SCI Библиотека

Разработана универсальная установка измерения и контроля параметров электронных блоков фотоприемных устройств, позволяющая проводить тестирование сложных электронных блоков без монтажа специального оборудования и оснастки. Высокая универсальность установки заключается в наличии широкого набора средств для работы с цифровыми и аналоговыми сигналами, а также гибко настраиваемым программным обеспечением. Для подключения к измерительному тракту достаточно разработки жгутов и программного обеспечения, использующего модули АЦП, ЦАП, порты цифрового ввода-вывода и стандартное контрольно-измерительное оборудование, размещенное в 19’ серверной стойке, управляемое по интерфейсам IVI, NI DAQ, SCPI и VISA. В качестве примера применения измерительной установки представлены исследования характеристик электронного тракта блока телеметрии

Экспериментально исследованы зависимости основных параметров и характеристик собственной фотопроводимости от различных факторов в монокристаллах моноселенида индия (n-InSe). Показано, что полученные экспериментальные результаты могут удовлетворительно объясняться на основе частичной неупорядоченности кристаллов этого полупроводника и позволяют рекомендовать их в качестве подходящего материала для создания многофункциональных фотоприемников света — фоторезисторов со свойством фотоэлектрической памяти и накопления воздействия последовательных слабых световых сигналов.

Для кристаллографического анализа гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия-ртути использованы высокоточные методы микроскопии высокого разрешения, рентгеновской дифрактометрии, энергодисперсионного и микрорентгеновского анализа. Определен количественный состав химических компонентов внутри области структурного V-дефекта. Определены значения углов Брэгговского отражения, которые составили 47,1—47,5 градуса, и полуширины кривой качания, которая по измеренным образцам составила 74˝.

Исследовано влияние толщины фоточувствительного слоя в МФПУ на основе антимонида индия на одноточечную дефектность и чувствительность до и после утоньшения. На большом объеме матричных фотоприемников (МФП) установлено отсутствие увеличения одноточечной дефектности после утоньшения. Показана возможность изготовления МФП в области диапазона толщин 8÷12 мкм в случае улучшения контроля толщины без уменьшения процента выхода годных. В этом случае должна отсутствовать корреляция между чувствительностями до и после утоньшения, то есть исключено влияние величины объемной диффузионной длины неосновных носителей заряда на квантовый выход МФП после утоньшения, а также должны быть меньше величина разброса чувствительности после утоньшения и меньше взаимосвязь.

Исследовано влияние светового отжига на напряжение пробоя фотодиодов на пластинах InSb, объемную диффузионную длину неосновных носителей заряда и одноточечную дефектность матричных фотоприемников (МФП) на основе InSb, изготовленных из различных слитков. Обнаружено, что объемная диффузионная длина неосновных носителей заряда в среднем меньше для светового отжига по сравнению со стандартным отжигом в печи для всех исследованных слитков InSb. Установлено отсутствие ухудшения величины напряжения пробоя на пластинах InSb, прошедших световой отжиг, по сравнению с отжигом в печи. Тот факт, что разброс одноточечной дефектности МФП оказался больше разницы средних значений дефектности при различных методах отжига свидетельствует о том, что дефектность фотодиодов не связана с методом отжига.

Исследована температурная зависимость диффузионной длины неосновных носителей заряда в активном фоточувствительном слое матричного фотоприёмного устройства на основе гетероэпитаксиальной структуры КРТ, выращенной методом молекулярнолучевой эпитаксии.

В работе приведены результаты исследований электролюминесценции и фотоэлектрических свойств монолитной диодной матрицы 33 на основе одиночной гетероструктуры р-InAsSbP/n-InAs/n+-InAs, чувствительной/излучающей на длинах волн вблизи 3,3 мкм в области рабочих температур -20….+80 оС. Рассмотрены возможности формирования как положительного, так и отрицательного эквивалента теплового контраста.

Впервые приводится карта внутреннего строения фундамента всей Восточно-Европейской платформы и тектонические схемы Сибирской и Северо-Американской платформ. Описываются основ ные структурные элементы фундамента платформ архейские массивы, опоясанные нижне- и среднепротерозойскими складчатыми системами, и байкалиды по их периферии. Нуклеарные массивы характеризуются мозаичным магнитным полем, протогеосинклинальные системы археид, а также системы карелид и байкалид зонами полосовых максимумов и минимумов. Различие и своеобразие платформ выявляются в крупной специфической зональности их фундамента, процесс развития которого протекал стадийно с качественными изменениями структурных свойств. Основные закономерности становления фундамента платформ заключаются в формировании “гранитного” слоя в ходе геосинклинального развития архейских и протерозойских систем и его латерального перераспределения в результате горизонтальных перемещений глыб земной коры. Древнейшие структуры платформенного чехла (рифейские авлакогены) обнаруживают унаследованность от внутреннего строения и возраста фундамента.

Монография посвящена вопросам разработки элементов теории аппаратуры и методики непрерывных частотных электромагнитных зондирований геологических структур, изучению перспективности этой методики применительно к задачам разведочной геофизики.

Приводится решение задач, связанных с определением наиболее важных статических и динамических характеристик аппаратуры Для зондирования, кратко описывается методика непрерывных частотных зондирований, приемы обработки и предварительного анализа полевого материала, содержится краткий обзор экспериментальных исследований, проведенных автором в Воронежской области и Эстонской ССР. Была создана электроразведочная станция НЧЗ-64, которая в настоящее время выпускается промышленностью.

В монографии дана комплексная характеристика теплового режима земной коры в пределах СССР. Описано температурное поле Земли по районам, показано распределение теплового потока, термальные ресурсы и проанализированы основные закономерности их формирования. Рассматривается геотермическое значение различных природных факторов и процессов: тектонических, тепловых, геологической структуры, состава горных пород, движения подземных вод и т. п. Освещена взаимосвязь различных направлений геотермических исследований и возможность их приложения к изучению земной коры и верхней мантии Земли.