SCI Библиотека

Учебное пособие «Импульсная геоэлектрика» написано на основе специального курса, который автор читает студентам геофизикам НГУ много лет, и предназначено в помощь слушателям спецкурса. Предыдущее издание 2002 года в значительной мере устарело в прикладных аспектах, и новое пособие отражает развитие импульсной электроразведки за эти годы. Причем отражены не только методические новации, но и новейшие теоретические воззрения на проблемы нестационарной геоэлектрики. Основной особенностью данного курса импульсной электроразведки, отраженной в учебном пособии, остается подход с позиций «ТЕТМ-дуализма» к описанию теории, развитию технических средств и практики электроразведки с контролируемыми источниками. Это его тема и метод, в этом заключается его смысл и особенность. Такой подход пока не освещен широко и отчетливо ни в учебниках, ни в монографиях по электроразведке. Пособие предназначено для студентов и аспирантов НГУ, однако оно будет интересно студентам других российских вузов, а также широкому кругу специалистов.

Эта книга-руководство написана с целью дать каждому человеку иллюстрированное пошаговое направление к действию по устранению проблем с компьютером, разрешению непонятных ситуаций и ответить на некоторые вопросы.

Когда я писал ее, я руководствовался правилом простота – залог успеха. Я, правда, старался как можно проще объяснить необъяснимое. Человеку, который знает на практике, как и что нужно делать, часто трудно объяснить это словами, ему проще показать! По этой причине я вставил в книгу более 120 изображений, фотографий, чтобы Вы могли видеть, что нужно делать!

Я надеюсь, Вы останетесь довольны этой книгой и воспользуетесь ей не один раз!

Обучение тактике шахматиста следует начинать с решения элементарных матовых задач. Успешное выполнение заданий способствует появлению уверенности в своих силах, позволит ощутить гармонические связи между фигурами и знакомит с типичными матовыми “картинами”.

Книга известного шахматного литератора и гроссмейстера Николая Калиниченко представляет собой сборник тщательно отобранных матовых задач на мат в 1, 2, 3, 4, 5 ходов матование в эндшпиле.

Работа с книгой не только доставит вам истинное наслаждение от шахматной красоты, но и быстро поможет существенно усилить вашу игру и добиться высоких турнирных результатов.

Книга интересна шахматистам самой разной квалификации.

Манга - один из самых популярных современных художественных жанров. Эта книга расскажет все, что нужно знать о создании собственных героев в данном стиле. В пяти частях японские художники собрали всю необходимую для начинающих информацию - от подробного разбора анатомии до постановки настоящей боевой сце ны. Пособие расскажет об особенностях жанра и его персонажах, покажет, как создавать реалистичных героев, а потом и целые комиксы с ними, а также научит работать со сторителлингом.

В работе описана трёхмерная и трёхфазная математическая модель математическая процесса промышленного электролиза алюминия, которая основана на системе уравнений Навье-Стокса, системе уравнений Максвелла с использованием уравнения для поиска температуры в рабочем пространстве ванны. Характерной особенностью данной модели является непосредственное влияние температуры на форму рабочего пространства ванны, которое проявляется в размытии и кристаллизации настыли и гарнисажа алюминиевого электролизёра. С помощью представленной математической модели проводится численное исследование динамики изменения настыли при вариации начальной конфигурации рабочего пространства ванны. На основе графиков раздела сред для различной формы гарнисажа сделан вывод о наиболее МГД-стабильной форме электролизной ванны.

Проведено исследование профилей концентрации и оптических констант ионноимплантированных пленок соединений халькогенидов элементов первой группы. Основными параметрами, определяющими относительные пробеги частиц в пленке материалов, являются атомный номер и масса бомбардирующих частиц и атомов мишени. Оптические константы облученных поверхностей пленок соединений халькогенидов элементов первой группы изменяются по сравнению с исходными значениями, причем их изменения тем больше, чем выше доза облучения и чем тяжелее внедряемые ионы. Минимальная доза, необходимая для изменения оптических констант, с уменьшением массы иона увеличивается, показатель преломления увеличивается, коэффициент экстинкции уменьшается. Показано, что максимум концентрационного профиля ионно-имплантированной примеси смещается к поверхности с увеличением порядкового номера и атомного веса внедренного иона. Профили концентрации по глубине хорошо согласуются с теоретическими выводами о положении и распределении имплантированных ионов.

Проведены экспериментальные исследования коэффициента поглощения в структурах HgCdTe с одним фоточувствительным слоем р-типа проводимости, выращенных методами жидкофазной эпитаксии на подложках CdZnTe, эпитаксией из металлоорганических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs, а также сравнение экспериментальных данных с теоретической классической моделью коэффициента поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов, и другими эмпирическими зависимостями. В области энергий ħω > Eg (области собственного поглощения) для всех образцов на основе материала HgCdTe получено удовлетворительное соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей коэффициента поглощения. В области энергий ħω < Eg (область Урбаха) у структур HgCdTe, выращенных методами ЖФЭ, МЛЭ и МОС, наблюдаются отклонения характеристик поглощения по сравнению с теоретическими экспоненциальными зависимостями Урбаха. Экспериментальные исследования коэффициента поглощения структур InGaAs, выращенных эпитаксией из металлоорганических соединений на кристаллически соответствующих подложках InP, показали соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей в рабочей области длин волн. Отклонение угла наклона теоретической и экспериментальной характеристик поглощения структур на основе InGaAs в 6— 10 раз меньше, чем у структур HgCdTe, что показывает на лучшее кристаллическое совершенство материалов группы А3В5 и их пригодность для изготовления фотоприемных устройств с предельными параметрами.

В статье предпринята попытка проанализировать опыт научно-педагогической школы, организованной в начале 1980-х гг. В. П. Золотаревым в Сыктывкарском государственном университете и нашедшей институциональное выражение в учрежденной в конце 1990-х гг. межкафедральной научно-исследовательской лаборатории «Научная школа академика Н. И. Кареева по новистике». В ходе исследования авторы пришли к выводу о том, что студенческая лаборатория способствовала зарождению и развитию «научной школы В. П. Золотарева по кареевистике».