SCI Библиотека

Записки выдающегося русского путешественника Афанасия Никитина, пять столетий назад посетившего Индию, переведены на многие языки мира и издавна привлекают внимание писателей и ученых Автору, работавшему в Индии, удалось по-новому интерпретировать замечательный памятник древнерусской культуры. Сопоставляя русские летописи и индийские хроники с записками Афанасия Никитина, автор устанавливает новые хронологические рамки «Хожения за три моря», уточняет маршрут путешествия.

Последнее научное издание атласа по русской истории, которое мы имеем в известном труде проф. Замысловского, вышло в печати 40 лет тому назад и давно уже устарело. За эти 40 лет учеными исследованиями накоплен богатый запас новых фактов и данных, подлежащих занесению на историческую карту, и составление нового атласа давно стало очередной задачей русской исторической науки. Попыткой хотя бы отчасти содействовать успешному достижению этой цели и является составление настоящего атласа; оно потребовало от меня более 15 лет научно-исследовательской работы.

Настоящая работа ставит своей целью обобщить накопленный опыт и привести в систему использование наглядности при организации самостоятельной работы учащихся, при выполнении ими упражнений по грамматике русского языка.

Практика показывает, что учащиеся часто недостаточно осмысливают теоретический материал, заучивают его механически, пассивно приобретают и закрепляют знания. Поэтому при выполнении упражнений, встретившись с трудностями, не преодолевают их. Цель самостоятельной работы не достигается.

Показана возможность селективного поверхностного дефектообразования при облучении мягким рентгеновским излучением эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe за счет избирательного воздействия излучения на отдельные атомы поверхности.

В книге излагаются элементы теоретической механики, машиностроения и сопротивления материалов.

В первой части книги разбираются основные положения статики, кинематики и динамики.

Во второй части приводятся основные сведения о передачах вращательного движения и механизмах, преобразующих вращательное движение в возвратно-поступательное; дается понятие об основных видах деформации материалов и расчете на прочность.

Важнейшие положения рассматриваемого материала иллюстрируются практическими примерами, задачами и упражнениями.

Простота и доходчивость излагаемого материала делают эту книгу доступной широкому кругу читателей, интересующихся вопросами технической механики.

Четвертое, посмертное издание учебного пособия переработано и дополнено титульным редактором книги д-ром техн. наук Кобринским А. Е. применительно к программе курса «Техническая механика» для городских профессионально-технических училищ с двухгодичным сроком обучения.

Все отзывы о книге просим направлять по адресу: Москва, И-51, Неглинная ул., 29/14, издательство «Высшая школа».

Правила выполнения и оформления машиностроительных чертежей не являются предметом данной книги, — в ней рассматриваются лишь вопросы, связанные с чтением чертежей. Разбор этих вопросов, даже в самой сжатой и элементарной форме, невозможен без предварительного ознакомления читателя с исходными положениями машиностроительного черчения и, в частности, с прямоугольными проекциями. Ввиду этого автору пришлось, несколько отступив от основной темы данной книги, вначале рассмотреть прямоугольные проекции, как необходимое положение машиностроительного черчения.

В книге раскрываются содержание и методика работы с детьми старшего дошкольного возраста по совершенствованию основных движений и разучиванию спортивных упражнений, проводимой в помещении и на воздухе, на занятиях и в играх. Авторы рекомендуют различные методы обучения, дающие наибольший практический эффект, приводят возможные варианты планирования и организации занятий, показывают связь физического воспитания с умственным, нравственным, эстетическим.

Обосновывается необходимость расширения динамического диапазона в МФПУ коротковолнового ИК-спектра. Традиционно применяемые способы обладают низкой эффективностью, в особенности, в крупноформатных матрицах с шагом не более 15 мкм. Наибольшей эффективностью расширения динамического диапазона (до 100 дБ) обладают накопительные ячейки с индивидуально изменяемой передаточной характеристикой в зависимости от яркости фрагментов наблюдаемой сцены. В данной работе предлагается простой в топологической реализации и эффективный способ расширения динамического диапазона, основанный на автоподстройке времени накопления индивидуально в каждой ячейке интегральной схемы считывания. При этом сохраняется высокая крутизна и линейность преобразования в накопительных ячейках с умеренной освещенностью (до 50–70 % от максимального сигнала), но снижается чувствительность в ячейках, близких к насыщению. В результате формируется линейно-логарифмическая передаточная характеристика, обеспечивающая расширенный динамический диапазон. В работе приводятся примеры полученных изображений с расширенным динамическим диапазоном в коротковолновом ИК-спектре.

Рассмотрена возможность создания диода с барьером Шоттки на GaP с низкой высотой барьера для реализации возможности работы в качестве обнаружителя мощных оптических сигналов в среднем ИК-диапазоне. Были проведены исследования влияния увеличения концентрации носителей заряда в области контакта на высоту барьера. В структуру GaP n- и pтипа проводимости были имплантированы различные ионы при разных дозах и энергиях с последующим отжигом в течении 60 минут при температуре 700 оС в азотной среде. Были исследованы CV-характеристики образцов, по результатам которых были определены высоты барьеров. Полученные результаты подтвердили теоретические расчёты. В работе показано, что необходимое снижение высоты барьера «металл–полупроводник» для сдвига спектральной чувствительности GaP в инфракрасную область, может быть получено путем подлегирования контактной области эпитаксиального слоя n-типа проводимости ионами Si с энергией 100 кэВ и дозой (флюенсом) 41014 см-2 с последующим отжигом имплантированного слоя в течении 60 минут в атмосфере N2 при температуре 700 °С. В качестве барьерного металла может быть использована золотая плёнка, напылённая в вакууме. Результаты исследования показали, что увеличения концентрации носителей заряда в области контакта до значений около 1019 см-3 даёт возможность снижения высоты барьера Au-n-GaP до 0,2 эВ.