SCI Библиотека

Обосновывается необходимость расширения динамического диапазона в МФПУ коротковолнового ИК-спектра. Традиционно применяемые способы обладают низкой эффективностью, в особенности, в крупноформатных матрицах с шагом не более 15 мкм. Наибольшей эффективностью расширения динамического диапазона (до 100 дБ) обладают накопительные ячейки с индивидуально изменяемой передаточной характеристикой в зависимости от яркости фрагментов наблюдаемой сцены. В данной работе предлагается простой в топологической реализации и эффективный способ расширения динамического диапазона, основанный на автоподстройке времени накопления индивидуально в каждой ячейке интегральной схемы считывания. При этом сохраняется высокая крутизна и линейность преобразования в накопительных ячейках с умеренной освещенностью (до 50–70 % от максимального сигнала), но снижается чувствительность в ячейках, близких к насыщению. В результате формируется линейно-логарифмическая передаточная характеристика, обеспечивающая расширенный динамический диапазон. В работе приводятся примеры полученных изображений с расширенным динамическим диапазоном в коротковолновом ИК-спектре.

Рассмотрена возможность создания диода с барьером Шоттки на GaP с низкой высотой барьера для реализации возможности работы в качестве обнаружителя мощных оптических сигналов в среднем ИК-диапазоне. Были проведены исследования влияния увеличения концентрации носителей заряда в области контакта на высоту барьера. В структуру GaP n- и pтипа проводимости были имплантированы различные ионы при разных дозах и энергиях с последующим отжигом в течении 60 минут при температуре 700 оС в азотной среде. Были исследованы CV-характеристики образцов, по результатам которых были определены высоты барьеров. Полученные результаты подтвердили теоретические расчёты. В работе показано, что необходимое снижение высоты барьера «металл–полупроводник» для сдвига спектральной чувствительности GaP в инфракрасную область, может быть получено путем подлегирования контактной области эпитаксиального слоя n-типа проводимости ионами Si с энергией 100 кэВ и дозой (флюенсом) 41014 см-2 с последующим отжигом имплантированного слоя в течении 60 минут в атмосфере N2 при температуре 700 °С. В качестве барьерного металла может быть использована золотая плёнка, напылённая в вакууме. Результаты исследования показали, что увеличения концентрации носителей заряда в области контакта до значений около 1019 см-3 даёт возможность снижения высоты барьера Au-n-GaP до 0,2 эВ.

Рассматриваются варианты применения нейронной схемы для коррекции неоднородности и дефектов фотоприемных устройств. Анализируются варианты с использованием корректирующих коэффициентов и вариант без коэффициентов. Рассматривается альтернатива микросканера и опорных сигналов. Варианты сопоставляются с коррекцией с использованием для калибровки двух опорных сигналов. Вариант без коэффициентов – нейронная схема формирует выходное сигналы по градиентам входных сигналов. В других вариантах нейронная схема используется для формирования коэффициентов по чувствительности и по смещению. Улучшение коэффициентов достигается распараллеливанием их вычисления. Варианты сопоставляются по коэффициенту корреляции входных и выходных кадров. Совокупные показатели качества вариантов – это наличие микросканирования/опорных сигналов, использование корректирующих коэффициентов, кадровая частота, непрерывность/прерывность работы, корреляция входных и выходных кадров. С увеличением кадровой частоты нейронная схема с использованием микросканера позволяет обеспечить непрерывный режим работы с соизмеримым с двухточечной коррекцией качеством изображения и более простой обработкой.

В данной статье говорится о допустимых отклонениях глубины диффузии, выборе оптимального типа эпитаксиальных структур для изготовления лавинных InGaAs/InP-фотодиодов. При изготовлении ЛФД особое внимание уделяется созданию определённой конфигурации электрического поля в структуре. Конфигурация электрического поля в структуре зависит от исходных параметров структуры и от процессов диффузии. Отклонения от параметров приводят к неработоспособности ЛФД. Было представлено два типа структуры: тип 1 – с равномерным легированием лавинной области (треугольное поле) и тип 2 – с пиковым легированием лавинной области (прямоугольное поле). Указанные эпитаксиальные структуры выращивались методом МОС-гидридной эпитаксии. Типичные параметры структуры типа 1: лавинная область n-InP толщиной 3,9 мкм и уровнем легирования 1,71016 см-3, область поглощения n-InGaAs толщиной 2,35 мкм и уровнем легирования не более 11015 см-3. Типичные параметры структуры типа 2: лавинная область n-InP толщиной 3,6 мкм и уровнем легирования не более 11015 см-3 зарядная область n+-InP толщиной 0,3 мкм и уровнем легирования 8,51016 см-3, область поглощения n-InGaAs толщиной 2,1 мкм и уровнем легирования не более 11015 см-3. В обеих структурах p–n-переход создавался в лавинной области n-InP методом диффузии цинка. Для каждой структуры при различных глубин p–n-перехода, создаваемого диффузией, рассчитывалось напряжение, при котором обеспечивался коэффициент умножения равный 10. Структура типа 1 работоспособна в диапазоне глубин p–n-перехода х0 = (1,77– 2,18) мкм при рабочих напряжениях (56–75) В. Допустимый разброс х0 = 0,41 мкм ( 10 %). Структура типа 2 работоспособна в диапазоне глубин p–n-перехода х0 = (2,50–3,40) мкм при рабочих напряжениях (49–61) В. Допустимый разброс х0 = 0,90 мкм ( 15 %). При изготовлении InGaAs/InP ЛФД структура с пиковым легированием в лавинной области (тип 2) обладает большей технологической устойчивостью по сравнению со структурой с равномерным легированием лавинной области (тип 1). Допустимые отклонения по глубинам p–n-перехода составляют ( 15 %) для структуры типа 2, и ( 10 %) для структуры типа 1.

Настоящий сборник, являющийся результатом работы кружка народовольцев, в своей основе представляет сводку сырого материала.

В тех случаях, когда составители сборника и авторы помещаемых в нем статей пытаются хотя бы мимоходом проанализировать «первоматровскую» эпоху, они не в состоянии дать правильной оценки ни обстановки, ни явлений, ни роли классов или их прослоек.

Проведено исследование пространственной неоднородности спектральных характеристик фоточувствительности матриц фоточувствительных элементов на основе твёрдых растворов кадмий-ртуть-теллур (КРТ) различных форматов. Описана методика исследования спектральных характеристик чувствительности. Приведено распределение длинноволновой границы чувствительности для линейки формата 6576 фоточувствительных элементов (ФЧЭ). Проведен расчёт среднего состава и погрешности измерения состава КРТ для всех элементов линейки. Проведено сравнение вычисления погрешности длинноволновой границы чувствительности выбранного ФЧЭ с значениями границы в локальной области матрицы ФЧЭ. Показана эффективность экспресс-методики контроля качества матриц в части равномерности распределения состава КРТ по площади матрицы.

Автор этой книги, Саул Ушерович, по своей профессии бывший типографский рабочий-революционер, политкаторжанин. Он—один из многих, перед кем постоянно витала угроза насильственной смерти от тех или иных царских палачей, и кто в стенах каторжных тюрем стоял вплотную к „смертникам“.

Одни из смертников уходили на виселицы. С другими, оставшимися в живых, автора соединили на долгие годы одни и те же цепи-кандалы каторги и общая революционная работа.

Настоящая работа представляет собой попытку марксистского объяснения переворота 1868 г., с которого буржуазно-капиталистическая Япония ведет свое начало. Для этого нам пришлось рассмотреть предшествовавшую перевороту «токугавскую эпоху» (1603—1868), которая является не чем иным, как японской разновидностью поздней фазы феодализма, со всеми характерными ее особенностями, в недрах которой уже стали складываться первичные элементы капиталистических отношений. Указанными рамками определяется содержание предлагаемой вниманию читателя книжки. Характеристика развития Японии после 1868 г. не входила и не входит в нашу задачу.

Однако для всякого хоть немного знакомого с условиями и обстановкой современной империалистической Японии совершенно ясно, какое громадное значение для правильного понимания японского сегодняшнего дня имеет правильное понимание переворота 1868 г. Ибо ни одна из крупных империалистических держав наших дней не сохранила в своем настоящем столько пережитков феодального прошлого, как именно Япония.

Затерянное в сопках тихоокеанского побережья приграничное озеро Хасан вошло в историю человечества. Впервые это название облетело мир, когда публиковались короткие, сдержанные сообщения ТАСС и штаба Первой (Приморской) армии о советском отпоре японским провокаторам войны. Потом оно повторилось в простых, скромных рассказах командиров, политработников и красноармейцев, участников разгрома японских захватчиков. Отныне это название никогда не умрет.

Безвестное географическое имя наполнилось глубоким содержанием. Оно будет всегда напоминать человечеству, как у маленького озера доблестные сыны советского народа, защищая Заозерную и Безымянную сопки, продемонстрировали миру мужество нашего народа и силу советского оружия.

В основу перевода „Автобиографии Тимура“ положена тюркская рукопись, найденная в Бухаре и представляющая перевод с персидского, сделанный Наби-джан-Хатыфом в 1251 г. хиджры (1835 г. христианской эры). Первый русский перевод с рукописи был сделан Нилом Лыкошиным, под заглавием: „Автобиография Тамерлана (родился в 1333 г., умер в 1405 г.)“, Ташкент 1894. Перевод, хотя и близкий к подлиннику, но тяжелый и устарелый в ряде мест. В настоящей книге предлагается попытка нового перевода с той же рукописи.