SCI Библиотека

Региональная сейсмостратиграфия имеет основополагающее значение в познании осадочных бассейнов Земли. Раскрыты методические приемы извлечения геологической информации, запечатленной на временных сейсмических разрезах отраженных волн. Сейсмостратиграфический материал по многим регионам мира, проработанный автором, позволил ему дать характеристику структурных элементов Земли и связанных с ними осадочных бассейнов, раскрыть создающие их процессы и рассмотреть формирование некоторых осадочных бассейнов.

Для геологов, геофизиков, сейсмологов.

В книге изложены основные закономерности электрических полей и электрофизические свойства частиц, обеспечивающие сепарацию минералов в сильном электрическом поле. способы зарядки частиц и методы расчета сил при электросепарации. Описаны основные промышленные и опытные конструкции электросепараторов и указаны области их использования. Даны примеры применения и технологические показатели электросепарации минерального сырья. Книга написана с учетом достижений в инженерной электрофизике, технике высоких напряжений, обогащении полезных ископаемых и др.

Книга предназначена для инженерно-технических и научных работников, занимающихся обогащением полезных ископаемых и применением сильных электрических полей в технологических процессах, а также может быть полезна студентам горных и горнометаллургических вузов.

Детально проанализировано, как влияет значение концентрации центров рекомбинации N на процесс генерации-рекомбинации Холла-Шокли-Рида. Рассмотрено слабое отклонение полупроводника от состояния термодинамического равновесия. Показано, что в концентрационных зависимостях времен жизни неравновесных электронов n(N) и дырок  p(N), в целом падающих с увеличением N, при определенных условиях может быть и участок роста на несколько порядков. Проведено аналитическое решение задачи о свойствах функций n(N) и  p(N) в их экстремальных точках. Проанализированы зависимости значений функций n(N),  p(N) в их экстремальных точках и положений этих экстремумов от концентрации мелкой легирующей примеси ND, энергии рекомбинационного уровня Et, отношения вероятностей захвата дырки и электрона на него , энергии запрещенной зоны полупроводника Eg, а также от температуры T. Вне традиционного приближения квазинейтральности развита теория эффекта всплеска до нескольких порядков фотоэлектрического отклика полупроводников при увеличении концентрации рекомбинационных центров N в случае межзонной фотогенерации носителей слабым излучением. Решены задачи об эффективностях фотовозбуждения электронов и дырок и фотоЭДС Дембера. Показано, что искомые величины можно радикально повысить за счет увеличения N. Исследованы зависимости коэффициента фотоэлектрического усиления G от N и напряжения на образце V. Выяснено, что величина всплеска G(N) немонотонно зависит от величины V. Вычислено максимально возможное значение всплеска G(N). Установлено, что неквазинейтральное решение рассмотренных задач может кардинально отличаться от квазинейтрального. Дано подробное физическое толкование полученных результатов.

Установлены нелинейное приближение графиков повторяемости по сейсмическому моменту и магнитуде. в также зависимости между его коэффициентами - закон повторяемости землетрясений. Исследованы зависимости параметров нелинейного графика от механических свойств и режима нагружения сейсмогенерируюшей среды: на них основам предлагаемый метод опенки макроскопических параметров сейсмического течение. Представлены результаты изучения вариаций значений этих параметров а районах Камчатки и Памиро-Гиндукушском. Исследована взаимосвязь величин сейсмического момента, размеров очага и магнитуды землетрясения, из которых каждая определяется как функция двух других.

На основании экспериментальных данных обсуждается вид двухмерной плотности распределения повторяемостей землетрясений по энергетической и геометрической характеристикам очага.

Сформулированы основы кумулятивной 3D-кристаллодинамики положительно заряженных плазмоидов, в которых локализованный ферми-газ формирует e-мембрану и ионные решётки. Ряд явлений в таких фрактализованных плазмоидах имеет аналоги в твердых телах и металлах. Аналитически: 1) рассчитаны коэффициенты объёмного сжатия кристаллов IV группы элементов; 2) исследованы поляризационный эффект, открытый автором, и эффект Казимира. Аналитически выявлены области их относительного доминирования.

Рассмотрены вопросы формирования электрических флуктуаций в твердых телах, вызванных дефектами структуры. Проанализированы деградационные процессы в твердых материалах. Установлена связь спектральных свойств шума в полупроводниках, вызванного ловушками, с характеристиками деградационных процессов. Вычислено выражение для спектра шума в полупроводниках, обусловленного ловушками, с флуктуирующим числом ловушек.

Авторами исследовалась имплантация ионов бериллия в InP с последующим отжигом с целью ее использования для формирования охранного кольца в планарном лавинном фотодиоде (ЛФД) на основе структур n-InP/n-InGaAs/n+-InP. Проведен качественный анализ изменения профилей легирования в зависимости от температуры и времени отжига. Рассмотрены процессы, происходящие в InP при его легировании бериллием с последующим отжигом имплантированных слоев.

Разработаны фоторезисторы для диапазона спектра 8—12 мкм из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией. Применение в качестве защитного покрытия поверхности чувствительных элементов собственного анодного окисла обеспечивает вместе с другими методами высокие чувствительность параметров фоторезисторов и их сохраняемость.

Приведены результаты разработки фоторезисторов с термоэлектрическим охлаждением фоточувствительных элементов в топологии пятиразрядного кода Грея из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией и предназначенных для регистрации импульсного лазерного излучения на длине волны 10,6 мкм. Исследованы зависимости отношения сигнал/шум от состава узкозонного рабочего слоя эпитаксиальной структуры и конструкции фоторезистора.

Представлены результаты исследований эпитаксиальных гетероструктур теллурида кадмия-ртути ориентации [310] р-типа проводимости, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из арсенида галлия. Исследованы морфология поверхности и электрофизические характеристики ГЭС КРТ. Приведены результаты исследований гетероструктур КРТ после полирующего травления и пассивации поверхности.