Представлены одномерная и двухмерная математические модели мыльного пузыря, в основе которых находится предположение о растечении жидкости по выпуклой поверхности. Математическое моделирование проводится на основе трехмерных уравнений гидродинамики отдельно для верхней и для нижней частей сферы, “склеенных” по экватору. Проводится анализ численных результатов и сравнение их с экспериментальными данными, полученными французскими учеными.
В статье рассматривается принцип работы и конструкция диффузионного источника ионов натрия на базе разрядной трубки натриевой лампы высокого давления типа Днат- 400. Созданный источник ионов натрия может найти применение в технике физического эксперимента, в разборных конструкциях электровакуумных приборов. Он прост по конструкции, экономичен и допускает развакуумирование вакуумной системы.
Исследованный в данной работе при атмосферном давлении в воздухе комбинированный барьерный электрический разряд создается в разрядной камере двумя парами электродов различных конфигураций, подсоединенных к двум автономным высоковольтным источникам питания. В экспериментальной установке предусмотрена возможность изменения фазового сдвига между напряжениями, приложенными к двум контурам разряда. Получены при различных напряжениях, приложенных к контурам разряда, зависимости токов через них, а также выхода озона от фазового сдвига. Установлено, что существует оптимальный сдвиг фаз, при котором выход озона максимален.
Представлены экспериментальные результаты исследования спектра рентгеновского излучения плазмы микропинчевого разряда получаемого на установке «низкоиндуктивная вакуумная искра». Получены зависимости выхода рентгеновской эмиссии плазмы микро-пинчевого разряда от разрядного тока и конфигурации электродов, в том числе при их естественной эрозии
Рассматривается лазерный телевизионный прибор для наблюдения местности и обнаружения объектов по бликам от их оптики. Угол поля зрения прибора — 5×3,7° Дальность зоны подсвета составляет от 20 до 2000м. Глубина зоны подсвета: мгновенная — 10, 20, 40, 100, 200, 400 м, полная — от 20 до 2000 м. Дальность распознавания при освещенности до 1000 лк фигуры человека оставляет 700 м, грузового автомобиля — до 1100 м. Дальность обнаружения оптических приборов в зоне подсвета при освещенности до 50 000 лк с диаметром объектива 24 мм составляет до 1500 м, с диаметром объектива 100 мм — до 2500 м. Энергопотребление прибора составляет < 10 Вт, масса — 1,8 кг, габаритные размеры — 235×145×70 мм.
Рассматриваются методы уменьшения шума БИС считывания для ближнего инфракрасного (ИК) и ультрафиолетового (УФ) спектральных диапазонов. Приведены схемо-технические способы шумовой коррекции в зависимости от формата фоточувствительных матриц.
Приведены результаты исследований фотоэлектрических параметров неохлаждаемых фотодиодов и ФПУ на спектральный диапазон 1,8─2,4 мкм в течение длительного срока хранения. Установлено, что нестабильность в течение десяти лет хранения при нормальных климатических условиях без создания в зоне хранения газовой среды специального состава лежит в пределах норм точности измерения этих параметров.
Представлены результаты измерения скорости ионно-лучевого травления гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN (ГС), различных сочетаний слоевых конфигураций, выращенных на подложках α-Al2O3 (0001) методами МОС-гидридной или молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ).
Определены пороговые значения плотности мощности моноимпульсного лазерного излучения с длиной волны λ = 1535 нм и длительностью 8,6 нс, приводящего к деградации In0,53Ga0,47As p–i–n фотодиода с обратной засветкой. Выявлен немонотонный характер изменения темнового тока: в диапазоне от 18,2 до 166,6 МВт/см2 зафиксировано его снижение, тогда как при превышении 216,8 МВт/см2 наблюдается резкий рост тока и потеря работоспособности фотодиода. Экспериментально установлен порог образования абляционных кратеров (267,1–338,9 МВт/см2) и показана логарифмическая зависимость их диаметра от плотности мощности воздействия.
В обзоре представлены результаты исследований влияния состава на структуру, ширину запрещенной зоны, а также на времена жизни фотогенерированных носителей тока в новых полупроводниковых соединениях – Cu2-δASnS4 (A = Mg, Ca, Sr, Ba), полученных методом твердофазного синтеза в замкнутом объеме. Установлено, что наиболее стабильными являются Cu2-δSrSnS4 и Cu2-δBaSnS4 с тригональной структурой (P31). При этом наибольшие из времен жизни фотогенерированных носителей тока характерны для Cu2-δSrSnS4.