SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 689
  • Журналы 13
  • Организации 13
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Болтарь Константин Олегович

Автор
Город
Москва
Учёная степень
Доктор наук
Учёное звание
Профессор
SciID
0000000165
SPIN-код
9249-2720
ОНП
МФПУ, темновой ток, HgCdTe, антимонид индия, indium antimonide, Focal Plane Array (FPA)
Заходил
показать
ОНП
МФПУ, темновой ток, HgCdTe, антимонид индия, indium antimonide, Focal Plane Array (FPA)
43
работы
15
библиотека
0
блог
0
конференции
0
группы
0
контакты
Работы Болтарь К.: новые поступления
Матричные фотоприемные устройства длинноволнового ИК-диапазона на основе кванторазмерной структуры AlGaAs/GaAs формата 384288
Статья
Матричные фотоприемные устройства длинно…
Дефекты гибридизации матричных фоточувствительных элементов и схем считывания
Статья
Дефекты гибридизации матричных фоточувст…
Фотоэлектрические характеристики МФПУ на основе эпитаксиальных слоев антимонида индия на высоколегированной подложке
Статья
Фотоэлектрические характеристики МФПУ на…
Методы измерения вольт-амперных характеристик фотодиодов в многорядном ИК-фотоприемнике
Статья
Методы измерения вольт-амперных характер…
Матричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры InGaAs/InP для формирователей 3D-изображений в коротковолновом ИК-диапазоне
Статья
Матричный фотоприемный модуль на основе …
Вольт-амперные характеристики nBp-структур с поглощающим слоем In0,53Ga0,47As
Статья
Вольт-амперные характеристики nBp-структ…
 
Ещё ...
Библиотека Болтарь К.: новые поступления
Матричные фотоприемные устройства длинноволнового ИК-диапазона на основе кванторазмерной структуры AlGaAs/GaAs формата 384288
Статья
Матричные фотоприемные устройства длинно…
Исследование фотодиодов с граничной длиной волны до 2,06 мкм на основе структур InGaAs
Статья
Исследование фотодиодов с граничной длин…
Неоднородность чувствительности матриц ИК-фотоприемников вследствие дифракции при фотолитографических процессах
Статья
Неоднородность чувствительности матриц И…
Матричное фотоприемное устройство средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой из CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки
Статья
Матричное фотоприемное устройство средне…
Зависимость пространственного разрешения матричного фотоприемного устройства на основе антимонида индия от толщины фоточувствительного слоя
Статья
Зависимость пространственного разрешения…
Фотоприемные устройства на основе p–i–n и барьерных структур средневолнового ИК диапазона спектра
Статья
Фотоприемные устройства на основе p–i–n …
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.