SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 498
  • Журналы 10
  • Организации 1
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Болтарь Константин Олегович

Автор
Город
Москва
Учёная степень
Доктор наук
Учёное звание
Профессор
SciID
0000000165
SPIN-код
9249-2720
ОНП
гетероэпитаксиальные структуры, темновой ток, МФПУ, InGaAs, HgCdTe, КРТ
Заходил
показать
ОНП
гетероэпитаксиальные структуры, темновой ток, МФПУ, InGaAs, HgCdTe, КРТ
61
работы
17
библиотека
0
блог
0
конференции
0
группы
0
контакты
Работы Болтарь К.: новые поступления
Исследование влияния термообработки на электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев гетероструктур теллурида кадмия-ртути
Статья
Исследование влияния термообработки на э…
Ионно-лучевое травление для формирования мезаструктур МФПУ
Статья
Ионно-лучевое травление для формирования…
Исследование фотодиодов c токами утечки в матричных фотоприемниках на основе антимонида индия
Статья
Исследование фотодиодов c токами утечки …
Исследование влияния зонной структуры на диэлектрическую проницаемость эпитаксиальных слоев соединений AIIIBV
Статья
Исследование влияния зонной структуры на…
Исследование планарной матрицы p–i–n-фотодиодов на основе InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров
Статья
Исследование планарной матрицы p–i–n-фот…
Исследование характеристик мезаструктур матриц p–i–n-диодов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN
Статья
Исследование характеристик мезаструктур …
 
Ещё ...
Библиотека Болтарь К.: новые поступления
Влияние локальных дефектов в окисных слоях на вольт-амперные характеристики кремниевых фотодиодов
Статья
Влияние локальных дефектов в окисных сло…
Исследование релаксационных процессов в гетероэпитаксиальных структурах КРТ
Статья
Исследование релаксационных процессов в …
Матричные фотоприемные устройства длинноволнового ИК-диапазона на основе кванторазмерной структуры AlGaAs/GaAs формата 384288
Статья
Матричные фотоприемные устройства длинно…
Исследование фотодиодов с граничной длиной волны до 2,06 мкм на основе структур InGaAs
Статья
Исследование фотодиодов с граничной длин…
Неоднородность чувствительности матриц ИК-фотоприемников вследствие дифракции при фотолитографических процессах
Статья
Неоднородность чувствительности матриц И…
Матричное фотоприемное устройство средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой из CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки
Статья
Матричное фотоприемное устройство средне…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.