SciNetwork
  • Поиск
  • Библиотека 414
  • Журналы 10
  • Организации 4
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Формулы
  • Вход
Найти:
Войти Регистрация
Рабочий стол Мои работы Моя библиотека Мои сообщения Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история
Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.
Приложение
на телефон

Болтарь Константин Олегович Boltar Konstantin Olegovich

Статусы
Автор
ОНП
гетероэпитаксиальные структуры, InGaAs, темновой ток, МФПУ, HgCdTe, КРТ
Учёная степень
Доктор наук
Учёное звание
Профессор
SciID
0000000165
SPIN-код
9249-2720
Город
Москва
Заходил
показать
Подробнее
Работы
70
Библиотека
19
Блог
0
Конференции
0
Группы
0
Контакты
0
Работы Болтарь К.: новые поступления
Твердотельная фотоэлектроника ультрафиолетового диапазона (обзор)
Статья
Твердотельная фотоэлектроника ультрафиол…
Исследование фотодиодных лавинных элементов матричных фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs
Статья
Исследование фотодиодных лавинных элемен…
Аналитическая модель МФПУ для коротковолнового диапазона ИК-спектра 0,9—1,7 мкм
Статья
Аналитическая модель МФПУ для коротковол…
Исследование структур InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Статья
Исследование структур InSb, выращенных м…
Исследование темновых токов в мезаструктурных матрицах на основе InGaAs
Статья
Исследование темновых токов в мезаструкт…
Методы повышения надежности гибридизации кристаллов
Статья
Методы повышения надежности гибридизации…
 
Ещё ...
Библиотека Болтарь К.: новые поступления
Твердотельная фотоэлектроника ультрафиолетового диапазона (обзор)
Статья
Твердотельная фотоэлектроника ультрафиол…
Исследования матричных фотоприемных устройств на основе барьерных структур КРТ средневолнового ИК диапазона спектра
Статья
Исследования матричных фотоприемных устр…
Влияние локальных дефектов в окисных слоях на вольт-амперные характеристики кремниевых фотодиодов
Статья
Влияние локальных дефектов в окисных сло…
Исследование релаксационных процессов в гетероэпитаксиальных структурах КРТ
Статья
Исследование релаксационных процессов в …
Матричные фотоприемные устройства длинноволнового ИК-диапазона на основе кванторазмерной структуры AlGaAs/GaAs формата 384288
Статья
Матричные фотоприемные устройства длинно…
Исследование фотодиодов с граничной длиной волны до 2,06 мкм на основе структур InGaAs
Статья
Исследование фотодиодов с граничной длин…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
Написать
Добавить в контакты
Другие действия
Пожаловаться
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2026
SciNetwork, © 2026
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.