SCI Библиотека

Проведены исследования воздействия положительного и отрицательного коронного разряда на зараженность семян озимой пшеницы и озимого ячменя болезнетворными грибами. Обработка семян этих культур холодной плазмой коронного разряда способ-
ствует снижению их обсемененности спорами грибов, вызывающих заболевания растений. По мере увеличения продолжительности воздействия эффективность применения холодной плазмы повышается. При экспозиции 60 минут отрицательная
корона снизила количество спор грибов на одно зерно ячменя на 45 %. Положительная корона не оказала значимого влияния на зараженность семян озимого ячменя. На обсемененность семян озимой пшеницы спорами болезнетворных грибов отрицательная
и положительная короны оказали практически одинаковое воздействие

Проведен анализ с использованием метода хроматографии состава газа в холодной плазменной струе, представляющей собой потоковое послесвечение тлеющего
СВЧ-разряда атмосферного давления. Плазменная струя формировалась при взаимодействии плазмы разряда с атмосферным воздухом за выходным отверстием 6-ти электродной плазменной горелки, электрическая мощность к которой подводится от волноводного СВЧ (2,45 ГГц)-плазмотрона. Анализ газовых проб струи показал, что при протекании плазмообразующего аргона через СВЧ-разряд за областью разряда происходит образование водорода и метана, а концентрация оксида углерода увеличи-вается в 5–6 раз. Исследование активных форм кислорода в холодной плазменной струе проводилось с помощью жидкостной хроматографии водного раствора изопропилового спирта после обработки его плазменной струей. Получено, что в результате плазменной обработки происходило частичное окисление изопропилового спирта до ацетона, что позволяет рассматривать его в качестве индикатора активных форм кислорода (гидроксильных радикалов, атомарного кислорода и озона) в холодной плазменной струе.

Изобретение относится к способу
модифицирования структуры стекла под
действием лазерного пучка для формирования
люминесцирующих микрообластей и может быть
использовано для многократной перезаписи и
хранения информации. В силикатном стекле,
содержащем сульфид кадмия, записывают
микрообласть при локальном облучении
фемтосекундными лазерными импульсами с
длиной волны в ближнем инфракрасном
диапазоне, с энергией лазерных импульсов в
пределах 100-400 нДж, длительностью лазерных
импульсов 180-600 фс, частотой следования
лазерных импульсов в пределах 100-1000 кГц. Для
фокусировки лазерного пучка применяют
объектив с числовой апертурой 0,45-0,85. Далее
возможно стирание записанной микрообласти
путем ее сканирования фемтосекундным
лазерным пучком или перемещения стекла
относительно сфокусированного пучка по
траектории, которая задается скоростью
перемещения в диапазоне 10-30 мкм/с, диаметром
в диапазоне 30-100 мкм и частотой осцилляций
вдоль оси, перпендикулярной направлению
перемещения, в плоскости, перпендикулярной
направлению падения записывающего лазерного
пучка, равной 20 Гц. Для стирания используется
лазерный пучок с длиной волны в ближнем
инфракрасном диапазоне, с энергией лазерных
импульсов в пределах 100-400 нДж,
длительностью лазерных импульсов 180-600 фс,
частотой следования лазерных импульсов в
пределах 50-500 кГц при фокусировке лазерного
пучка объективом с числовой апертурой 0,45-0,85.
В стертой области возможна повторная запись
микрообластей при локальном облучении
фемтосекундными лазерными импульсами с
длиной волны в ближнем инфракрасном
диапазоне и параметрами лазерного пучка,
используемыми при записи исходных
микрообластей. Технический результат -
возможность создания долговечной оптической
памяти с возможностью перезаписи.

Изобретение относится к области оптического
материаловедения, к способу модифицирования
стекла в объеме под действием фемтосекундного
лазерного излучения. Способ лазерного
модифицирования стекла для записи информации
включает локальное облучение стекла состава,
мас.%: 3,85 CdS; 22,16 K2O; 19,27 ZnO; 3,86 B2O3;
50,86 SiO2 пучком фемтосекундного излучения
ближнего ИК диапазона, сфокусированным через
объектив с числовой апертурой 0,45-0.65, с
формированием микрообластей, при этом
записывают микрообласти, обладающие
одновременно люминесценцией, в том числе
частично-поляризованной, и поляризационно-
зависимым двулучепреломлением, а для записи
используют импульсы в количестве 5⋅103÷106 с
линейной поляризацией, длительностью 180-900
фс, энергией 100÷600 нДж и частотой следования
50-200 кГц. Техническим результатом является
формирование в стекле микрообластей,
обладающих одновременно люминесценцией, в
том числе частично-поляризованной, и
п о л я р и з а ц и о н н о - з а в и с и м ы м
двулучепреломлением, для повышения плотности
записи информации. 2 ил

Изобретение относится к области оптики и
может быть использовано для записи и хранения
оптической информации в виде текста,
изображений, штрих-кодов и цифровой битовой
информации. Целью изобретения является
увеличение скорости записи оптической
информации в стекле и упрощение состава стекла.
Сущность изобретения заключается в том, что
силикатное стекло, содержащее ионы и
молекулярные ионы серебра, локально облучают
фемтосекундными инфракрасными лазерными
импульсами с длиной волны 0.8-1.1 мкм. После
этого облученная зона стекла приобретает
люминесцентные свойства при возбуждении
люминесценции излучением с длиной волны 350-
410 нм. 2 ил

В настоящее время ведущие мировые производители
элементов памяти активно разрабатывают технологию памяти с изменяемым фазовым
состоянием, в основе которой лежит фазовый переход халькогенидное стекло – кристалл.
По сравнению с наиболее распространенной сегодня флэш-памятью, память с
изменяемым фазовым состоянием имеет значительно более высокую скорость записи,
выдерживает приблизительно в 10 тысяч раз больше циклов перезаписи и потенциально
может иметь более высокую плотность записи информации

В статье говорится о существующих современных методах
литографии. Описаны общие шаги процесса литографии в
полупроводниковом производстве. Рассмотрены тенденции развития
полупроводниковой промышленности в целом.
Произведен анализ методов литографии на основе информации о
современной полупроводниковой промышленности, и выбран наиболее
инновационный метод литографии: электронная лучевая литография, – как
метод, позволяющий повысить технологически уровень полупроводниковой
промышленности

Получение, обработка, передача и хранение информации является неотъемлемой частью
созидательной деятельности современного общества. Прогресс XX века во многом обусловлен
развитием методов и средств передачи и обработки информационных сигналов с использова-
нием электромагнитных волн [1–5]. Появление полупроводниковой микроэлектроники [6, 7],
лазерной техники [8–12] и оптоволоконных линий связи [13, 14] привело к созданию гло-
бальной сети Интернет, повсеместному распространению средств коммуникации, вычисли-
тельных устройств и персональных компьютеров, цифровых средств радио-электронной и
оптико-электронной регистрации и мониторинга, а также компактных систем хранения дан-
ных. Развитие технологий матричных фото-детекторов типа ПЗС и КМОП привело к по-
явлению цифровой фотографии и цифрового видео. В результате количество генерируемой
и накапливаемой цифровой информации имеет тенденции экспоненциального роста, и по
современным оценкам [15] объём глобальной датасферы к 2025 году может достичь 175 ЗБ
(ЗеттаБайт или 1021 Байт). Параллельно с этим, подчиняясь закону Мура, возрастают требо-
вания к вычислительной способности систем обработки больших массивов данных. Уровень
современных вычислительных задач, требует применение устройств [16] с производительно-
стью 1018 вычислительных операций в секунду (OPS). В этой связи создание сверхшироко-
полосных коммуникационных систем с высокой пропускной способностью и стабильностью,
систем надёжного и компактного хранения данных, а также систем обработки с высокой
вычислительной мощностью и низким энергопотреблением является одними из важнейших
задач в современных информационных технологиях.
Использование света для формирования, передачи и детектирования информационных
сигналов является привлекательным благодаря высокой собственной частоте колебаний элек-
тромагнитных волн оптического диапазона (300 ГГц ÷ 3 ПГц), а также возможности сво-
бодного и независимого распространения световых сигналов по воздуху, в стекле и в других
известных прозрачных мате

В пособии представлены методические материалы по курсу «Оптические
системы записи, хранения и отображения информации». Кратко изложены
основные принципы действия оптических, как голографических, так и по-
битовых, систем хранения памяти, сведения об используемых в них свето-
чувствительных материалах, представлены сведения о принципах действия
устройств отображения информации (дисплеев) различных систем.
Учебное пособие предназначено для студентов СПбГУ ИТМО спе-
циальностей NN 2006006802, 010500. Рекомендовано к печати Ученым Со-
ветом факультета фотоники и оптоинформатики, протокол N5 от 18 февра-
ля 2009 г

При формировании эластичных соединений в связи с непластичной природой метал-
лов требуется особая изогнутая форма проводников. Это позволяет уменьшить воз-
никающие напряжения в металле, которые могут привести к возникновению дефек-
тов топологического рисунка. Исследованы механические деформации в конструкции
эластичного носителя на основе полидиметилсилоксана с медными и золотыми про-
водниками различных форм. По результатам моделирования были определены зоны с
максимальной напряженностью, в которых наиболее вероятно возникновение дефек-
тов при одноосном растяжении для каждого типа проводника. Определено влияние
толщины эластичных подложек при разных приложенных нагрузках на механические
напряжения в зависимости от формы проводника. Рассмотрено влияние скруглений в
местах наибольших напряжений в проводниках. Определена лучшая форма проводни-
ка из рассмотренных, позволяющая в большей степени компенсировать приложенные
нагрузки одномерной деформации