SCI Библиотека

Описан метод определения плотности энергии (мощности) импульсного лазерного из-лучения при введении эталонного материала в оптическую плоскость обработки, что позволяет исключить влияние физико-химических свойств исследуемых материалов. Параметры сфокусированного лазерного пучка определялись при измерении энергии, поглощенной эталоном, и площади пятна облучения, оставшегося на нем после взаимодействия с лазерным пучком. В случае разрушения исследуемого образца остается возможность определения плотности энергии (мощности) воздействующего лазерного излучения. Данный метод может быть применен в области исследования взаимодействия лазерного излучения с веществом, в частности, определения оптической стойкости (прочности) материалов

Представлено исследование коэффициента лобового сопротивления сферической ча-стицы Al2O3 в потоке термической плазмы. Разработана нестационарная модель взаимодействия мелкодисперсной частицы в прямоугольном канале с ламинарным сжимаемым неизотермическим потоком. Выполнен анализ влияния граничных условий на результаты моделирования. На основании результатов параметрического ис-следования определены функциональные зависимости коэффициента лобового сопротивления и числа Нуссельта, необходимые для моделирования технологии плазменного нанесения покрытий

Исследовано при атмосферном давлении в воздухе влияние частоты следования и формы высоковольтных импульсов на производительность по озону плоскопараллельной ячейки диэлектрического барьерного разряда (ДБР). Для различных частот проанализированы вольтамперные характеристики, а также зависимости концентрации синтезированного озона от действующего значения напряжения. Кроме того, производительность по озону в значительной мере зависит от длительности и амплитуды периодических импульсов высоковольтного напряжения на электродах. Так, при коротких последовательностях высоковольтных импульсов (в эксперименте 20 кВ пиковое значение) с длительностью 70 нс, следующих с частотой 400 Гц, производительность по озону такая же, как и при использовании переменного напряжения
с действующим значением 5,3 кВ и периодом 1/400 c. В первом случае активная потребляемая разрядной ячейкой мощность существенно меньше, чем во втором случае.

Выполнено экспериментальное исследование параметров сеточного ВЧ источника ионов с металлической газоразрядной камерой диаметром 10 см и внутренней антенной. Продемонстрирована стабильность работы указанного источника в случае, когда в цепь ВЧ-антенны последовательно включены 2 ёмкости, размыкающие эту цепь по постоянному току. Показано, что в зависимости извлечённого ионного тока от индукции внешнего продольного магнитного поля наблюдается максимум при значении 16 Гс. Извлечённый ионный ток у исследованного источника приблизительно в 2 раза меньше, чем у аналогичного источника с кварцевой ГРК такого же диаметра
и внешней ВЧ-антенной.

Проведены исследования воздействия положительного и отрицательного коронного разряда на зараженность семян озимой пшеницы и озимого ячменя болезнетворными грибами. Обработка семян этих культур холодной плазмой коронного разряда способ-
ствует снижению их обсемененности спорами грибов, вызывающих заболевания растений. По мере увеличения продолжительности воздействия эффективность применения холодной плазмы повышается. При экспозиции 60 минут отрицательная
корона снизила количество спор грибов на одно зерно ячменя на 45 %. Положительная корона не оказала значимого влияния на зараженность семян озимого ячменя. На обсемененность семян озимой пшеницы спорами болезнетворных грибов отрицательная
и положительная короны оказали практически одинаковое воздействие

Проведен анализ с использованием метода хроматографии состава газа в холодной плазменной струе, представляющей собой потоковое послесвечение тлеющего
СВЧ-разряда атмосферного давления. Плазменная струя формировалась при взаимодействии плазмы разряда с атмосферным воздухом за выходным отверстием 6-ти электродной плазменной горелки, электрическая мощность к которой подводится от волноводного СВЧ (2,45 ГГц)-плазмотрона. Анализ газовых проб струи показал, что при протекании плазмообразующего аргона через СВЧ-разряд за областью разряда происходит образование водорода и метана, а концентрация оксида углерода увеличи-вается в 5–6 раз. Исследование активных форм кислорода в холодной плазменной струе проводилось с помощью жидкостной хроматографии водного раствора изопропилового спирта после обработки его плазменной струей. Получено, что в результате плазменной обработки происходило частичное окисление изопропилового спирта до ацетона, что позволяет рассматривать его в качестве индикатора активных форм кислорода (гидроксильных радикалов, атомарного кислорода и озона) в холодной плазменной струе.

Изобретение относится к способу
модифицирования структуры стекла под
действием лазерного пучка для формирования
люминесцирующих микрообластей и может быть
использовано для многократной перезаписи и
хранения информации. В силикатном стекле,
содержащем сульфид кадмия, записывают
микрообласть при локальном облучении
фемтосекундными лазерными импульсами с
длиной волны в ближнем инфракрасном
диапазоне, с энергией лазерных импульсов в
пределах 100-400 нДж, длительностью лазерных
импульсов 180-600 фс, частотой следования
лазерных импульсов в пределах 100-1000 кГц. Для
фокусировки лазерного пучка применяют
объектив с числовой апертурой 0,45-0,85. Далее
возможно стирание записанной микрообласти
путем ее сканирования фемтосекундным
лазерным пучком или перемещения стекла
относительно сфокусированного пучка по
траектории, которая задается скоростью
перемещения в диапазоне 10-30 мкм/с, диаметром
в диапазоне 30-100 мкм и частотой осцилляций
вдоль оси, перпендикулярной направлению
перемещения, в плоскости, перпендикулярной
направлению падения записывающего лазерного
пучка, равной 20 Гц. Для стирания используется
лазерный пучок с длиной волны в ближнем
инфракрасном диапазоне, с энергией лазерных
импульсов в пределах 100-400 нДж,
длительностью лазерных импульсов 180-600 фс,
частотой следования лазерных импульсов в
пределах 50-500 кГц при фокусировке лазерного
пучка объективом с числовой апертурой 0,45-0,85.
В стертой области возможна повторная запись
микрообластей при локальном облучении
фемтосекундными лазерными импульсами с
длиной волны в ближнем инфракрасном
диапазоне и параметрами лазерного пучка,
используемыми при записи исходных
микрообластей. Технический результат -
возможность создания долговечной оптической
памяти с возможностью перезаписи.

Изобретение относится к области оптического
материаловедения, к способу модифицирования
стекла в объеме под действием фемтосекундного
лазерного излучения. Способ лазерного
модифицирования стекла для записи информации
включает локальное облучение стекла состава,
мас.%: 3,85 CdS; 22,16 K2O; 19,27 ZnO; 3,86 B2O3;
50,86 SiO2 пучком фемтосекундного излучения
ближнего ИК диапазона, сфокусированным через
объектив с числовой апертурой 0,45-0.65, с
формированием микрообластей, при этом
записывают микрообласти, обладающие
одновременно люминесценцией, в том числе
частично-поляризованной, и поляризационно-
зависимым двулучепреломлением, а для записи
используют импульсы в количестве 5⋅103÷106 с
линейной поляризацией, длительностью 180-900
фс, энергией 100÷600 нДж и частотой следования
50-200 кГц. Техническим результатом является
формирование в стекле микрообластей,
обладающих одновременно люминесценцией, в
том числе частично-поляризованной, и
п о л я р и з а ц и о н н о - з а в и с и м ы м
двулучепреломлением, для повышения плотности
записи информации. 2 ил

Изобретение относится к области оптики и
может быть использовано для записи и хранения
оптической информации в виде текста,
изображений, штрих-кодов и цифровой битовой
информации. Целью изобретения является
увеличение скорости записи оптической
информации в стекле и упрощение состава стекла.
Сущность изобретения заключается в том, что
силикатное стекло, содержащее ионы и
молекулярные ионы серебра, локально облучают
фемтосекундными инфракрасными лазерными
импульсами с длиной волны 0.8-1.1 мкм. После
этого облученная зона стекла приобретает
люминесцентные свойства при возбуждении
люминесценции излучением с длиной волны 350-
410 нм. 2 ил

В настоящее время ведущие мировые производители
элементов памяти активно разрабатывают технологию памяти с изменяемым фазовым
состоянием, в основе которой лежит фазовый переход халькогенидное стекло – кристалл.
По сравнению с наиболее распространенной сегодня флэш-памятью, память с
изменяемым фазовым состоянием имеет значительно более высокую скорость записи,
выдерживает приблизительно в 10 тысяч раз больше циклов перезаписи и потенциально
может иметь более высокую плотность записи информации