SCI Библиотека

Принятый Верховным Советом СССР Закон о пятилетнем плане восстановления и развития народного хозяйства СССР на 1946—1950 гг. — документ громадного значения. «Пятилетний план, обеспечивая восстановление и развитие народного хозяйства СССР, в то же время возобновляет тот путь развития советского общества, который был намечен XVIII съездом ВКП(б), но временно прерван вероломным нападением гитлеровской Германии на Советский Союз.

Этот путь предусматривает завершение строительства бесклассового социалистического общества и постепенный переход от социализма к коммунизму. Он предусматривает решение основной экономической задачи СССР — догнать и перегнать главные капиталистические страны в экономическом отношении, т. е. в смысле размеров промышленного производства на душу населения» (из доклада тов. Вознесенского на первой сессии Верховного Совета СССР).

Созданы селективные фотоприемники на основе барьера Шоттки Ме-AlGaN, работающие в ультрафиолетовом диапазоне спектра. С целью повышения фоточувствительности в УФ-диапазоне и устранения паразитных сигналов в длинноволновом диапазоне были изготовлены селективные фотодиоды на основе барьеров Шоттки Ag-AlGaN различного состава. Это позволило создать видимослепые фотоприемники, длинноволновый край фоточувствительности которых лежал на длинах волн менее 350 нм. Ширина спектра фоточувствительности на полувысоте находилась в диапазоне 15—40 нм в зависимости от толщины слоя Ag, которая варьировалась от 15 до 150 нм. Правильный выбор состава твердого раствора AlxGa1-xN позволил увеличить фотоответ и дополнительно уменьшить ширину спектра фоточувствительности на полувысоте до 11 нм путем совмещения максимумов спектра пропускания Ag и спектра поглощения эпитаксиального слоя. Чувствительность составила 0,071 А/Вт. Сочетание эффектов широкозонного окна и надбарьерного переноса позволило создать на основе структур Au-AlGaN ультраселективные УФ-фотоприемники с полушириной спектра фоточувствительности 5—6 нм для диапазона длин волн 350—375 нм с чувствительностью до 140 мА/Вт. На основе структуры с верхним эпитаксиальным слоем AlxGa1-xN (с содержанием AlN x = 0,1 и x = 0,06) созданы селективные фотоприемники с максимумом фоточувствительности при длинах волн 355 нм и 362 нм. Использование дополнительного менее широкозонного слоя GaN позволило независимо регулировать коротковолновую и длинноволновую границы диапазона чувствиительности.

Постановления ЦК ВКП(б) о журналах «Звезда» и «Ленинград», о репертуаре драматических театров, о кинофильме «Большая жизнь» и доклад А. А. Жданова о журналах «Звезда» и «Ленинград» вскользнули всех работников идеологического фронта; они заставили и наших ученых подвергнуть критической оценке идейное содержание своей работы, строго проверить приемы своих научных исследований, их действенность и актуальность, посмотреть, в какой мере они отвечают все растущим потребностям и культурным запросам широчайших масс трудящихся СССР, помогают им в борьбе за дальнейший рост и укрепление самой передовой социалистической культуры, ее победы над реакционными идеями капиталистического мира. В этой борьбе немалое значение имеет правильное познание исторических закономерностей, позволяющее ясно видеть в свете далекого и близкого прошлого перспективы будущего.

Для историка-марксиста изучение истории древнего мира не может сводиться только к установлению тех или иных фактов и объяснению их причинной связи. Явления далекого прошлого дают марксистски мыслящему исследователю богатый материал для разрешения общеисторических проблем, связанных с современностью. Именно так относились к древней истории основоположники марксистско-ленинского учения об обществе.

Так, например, анализируя в «Капитале» общественный строй и формы капиталистической собственности, Маркс неоднократно прибегает к конкретным примерам и иллюстрациям из области древней истории, а в порядке подготовительной работы к «Капиталу» он внимательно изучает ряд принципиальных проблем истории древнего мира. Плодом подобного изучения явилась работа Маркса «Формы, предшествующие капиталистическому производству», которая имеет огромное значение для понимания экономической основы рабовладельческого общества.

В текущем году исполнилось 15 лет со дня опубликования постановления СНК СССР и ЦК ВКП(б) о преподавании истории в школах. Это историческое постановление потребовало от советских историков коренной перестройки всей их педагогической и научно-исследовательской работы.

Указывая на необходимость «преподавания гражданской истории в живой занимательной форме с изложением важнейших событий и фактов в их хронологической последовательности, с характеристикой исторических деятелей», партия и правительство подчеркивали, что «только такой курс истории может обеспечить необходимые для учащихся доступность, наглядность и конкретность исторического материала, на основе чего только и возможны правильный разбор и правильное обобщение исторических событий, подводящие учащегося к марксистскому пониманию истории».

В книге изложены новейшие справочные данные по энергетическим характеристикам атомов, молекул и кристаллов (потенциалы ионизации, сродство к электрону, энергии связей, теплотам фазовых переходов, энергиям зон и кристаллических решеток), геометрическим параметрам вещества (длины связей и координа ционные числа в газообразном, жидком и кристаллическом состояниях, в растворах и стеклах) и их изменения при изменении термодинамических условий. Специально рассмотрено изменение структуры твёрдых тел при высоких статических и динамических давлениях. Обсуждена систематика геометрических характеристик атомов для металлического, ковалентного, ионного и ван-дер-ваальсового типов связей, даны таблицы рекомендованных значений соответствующих раднусов.

Подробно рассмотрены экспериментальные характеристики природы химической связи: табулированы значения дипольных моментов и эффективных зарядов атомов для веществ в разных агрегатных состояниях, определены области молекулярного пространства, к которым относятся эффективные заряды, проанализировано взаимное влияние атомов в бинарных и комплексных соединениях с позиций компенсационной зависимости при изменениях в атомной и электронной структуре вещества. Изложены факты изменения природы химической связи под давлением. Обсуждение экспериментальных характеристик дано с позиций концеп ции электроотрицательностей.

Описаны методики титриметрических и гравиметрических определении элементов в растворах, реактивах и материалах металлургической промышленности (сплавах, рудах и т. д). Приведены сведения, необходимые для расчета результатом анализа (титры стандартных растворов, гравиметрические факторы пересчета). Изложены способы разделения элементов в смесях и методы электрогравиметрических oпpeделений.

Для инженерно-технических работников, лаборантов хнмико-аналитических лабораторий металлургических предприятий. Может быть полезна студентам металлургических и химических вузов.

В работе обсуждаются причины образования термодоноров (ТД) и термоакцепторов (ТА) в кремнии с низкой концентрацией кислорода, выращенном методом бестигельной зонной плавки. Анализ результатов термообработок в диапазоне температур 400—1150 оС показывает, что основной вклад в образование ТД вносят атомы межузельного железа. Вероятной причиной образования ТА при высокотемпературной термообработке (ВТО) являются атомы железа в положении замещения и преципитаты железa, образующиеся при низкотемпературных отжигах (НТО)(400—600о). Концентрации ТД и ТА после ВТО зависят от вида и плотности структурных дефектов в материале и условий ТО: скорости охлаждения и газовой среды (кислород, аргон).

Проведены исследования матричных фотоприемных устройств формата 320256 элементов на основе четырехслойных гетероструктур р+-B-n-N+-типа с широкозонным барьерным слоем. Гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) с поглощающим узкозонным слоем InGaAs n-типа проводимости выращивались методами мосгидридной эпитаксии (МОСГЭ) на подложках InP. С помощью четырехкомпонентного тонкого слоя AlInGaAs n-типа с градиентным изменением ширины запрещенной зоны устранен разрыв между поглощающим (In0,53Ga0,47As) и барьерным (In0,52Al0,48As) слоями. Использование дельта-легированных слоев в составе гетероструктуры позволило уменьшить барьер в валентной зоне и устранить немонотонность энергетических уровней. Проведены экспериментальные исследования темнового тока, среднее значение которого по матрицам фотодиодов с шагом 30 мкм не превышало 10 фА.

Приведены результаты расчета характеристик электрической дуги в воздухе на основе решения уравнения Эленбааса-Геллера. Расчетные данные сравниваются с экспериментальными характеристиками плазмотрона с вихревой стабилизацией дуги. Сделан вывод о возможности расчета параметров таких плазмотронов при небольших расходах газа на основе рассмотренной модели.