SCI Библиотека

В статье говорится о существующих современных методах
литографии. Описаны общие шаги процесса литографии в
полупроводниковом производстве. Рассмотрены тенденции развития
полупроводниковой промышленности в целом.
Произведен анализ методов литографии на основе информации о
современной полупроводниковой промышленности, и выбран наиболее
инновационный метод литографии: электронная лучевая литография, – как
метод, позволяющий повысить технологически уровень полупроводниковой
промышленности

Получение, обработка, передача и хранение информации является неотъемлемой частью
созидательной деятельности современного общества. Прогресс XX века во многом обусловлен
развитием методов и средств передачи и обработки информационных сигналов с использова-
нием электромагнитных волн [1–5]. Появление полупроводниковой микроэлектроники [6, 7],
лазерной техники [8–12] и оптоволоконных линий связи [13, 14] привело к созданию гло-
бальной сети Интернет, повсеместному распространению средств коммуникации, вычисли-
тельных устройств и персональных компьютеров, цифровых средств радио-электронной и
оптико-электронной регистрации и мониторинга, а также компактных систем хранения дан-
ных. Развитие технологий матричных фото-детекторов типа ПЗС и КМОП привело к по-
явлению цифровой фотографии и цифрового видео. В результате количество генерируемой
и накапливаемой цифровой информации имеет тенденции экспоненциального роста, и по
современным оценкам [15] объём глобальной датасферы к 2025 году может достичь 175 ЗБ
(ЗеттаБайт или 1021 Байт). Параллельно с этим, подчиняясь закону Мура, возрастают требо-
вания к вычислительной способности систем обработки больших массивов данных. Уровень
современных вычислительных задач, требует применение устройств [16] с производительно-
стью 1018 вычислительных операций в секунду (OPS). В этой связи создание сверхшироко-
полосных коммуникационных систем с высокой пропускной способностью и стабильностью,
систем надёжного и компактного хранения данных, а также систем обработки с высокой
вычислительной мощностью и низким энергопотреблением является одними из важнейших
задач в современных информационных технологиях.
Использование света для формирования, передачи и детектирования информационных
сигналов является привлекательным благодаря высокой собственной частоте колебаний элек-
тромагнитных волн оптического диапазона (300 ГГц ÷ 3 ПГц), а также возможности сво-
бодного и независимого распространения световых сигналов по воздуху, в стекле и в других
известных прозрачных мате

В пособии представлены методические материалы по курсу «Оптические
системы записи, хранения и отображения информации». Кратко изложены
основные принципы действия оптических, как голографических, так и по-
битовых, систем хранения памяти, сведения об используемых в них свето-
чувствительных материалах, представлены сведения о принципах действия
устройств отображения информации (дисплеев) различных систем.
Учебное пособие предназначено для студентов СПбГУ ИТМО спе-
циальностей NN 2006006802, 010500. Рекомендовано к печати Ученым Со-
ветом факультета фотоники и оптоинформатики, протокол N5 от 18 февра-
ля 2009 г

. Изд. 2-е, доп. и пе-
реработ. М., «Сов. радио», 1974

Настоящая книга является вторым переработанным и дополненным
изданием учебника по антенно-фидерным устройствам для слушателей
радиотехнических факультетов высших военных учебных заведений.
В книге излагаются теория и принципы работы различных типов
.антенн, фидерных устройств и элементов техники сверхвысоких частот.
Главное внимание обращается на физическую сторону яnлений; важное
место отводится изучению методов расчета основных электрических
_ лараметров указанных устройств

It is well known that vanadium oxide can take many different forms. However for this
study, only the amorphous phase was investigated. Amorphous vanadium oxide (VOx ) thin films
were deposited on thermally grown silicon dioxide by DC magnetron sputtering using a
vanadium metal target in an argon / oxygen atmosphere. The driving force of this study was to
investigate the temperature coefficient of resistance (TCR) and low resistivity in the amorphous
films. Sheet resistance is very sensitive to small changes in temperature, making amorphous VOx
very attractive to thermal sensor applications such as infrared detectors.
To form the vanadium oxide, physical vapor deposition of vanadium metal at 200 Watts
of DC power was used with varied amounts of oxygen in a primary argon atmosphere. During
deposition, the concentration of oxygen was controlled by using a 20:80 mixture of O2 and Ar in
conjunction with high purity Ar supply. Flow control techniques were derived and calculated to
predict the percentage of oxygen before and during deposition to understand the reaction
between the vanadium metal and oxygen. Concentrations of O2 in the deposition chamber were
varied from 0.025% to 3.000% with the purpose of gaining an understanding of the affects of O2
concentration in amorphous VOx films. TCR and resistivity measurements were performed to
characterize the films. The results showed a resistivity decrement with decreasing oxygen
concentration. The films with lower concentrations of oxygen were found to have better TCR
values then those with higher percentages of oxygen
To further reduce the resistivity of the VOx and maintain the TCR value, co-sputtering of
noble metals (gold and platinum) with VOx was studied. The metals were co-sputtered at various
power settings with the vanadium oxide reactive process at a fixed percentage of oxygen. The TCR and resistivity results showed that the additions of Au and Pt into VOx reduced the
resistivity. However, only Au was found to improve TCR value.
The results

Вопросы обнаружения засыпанных биообъектов, рукотворных объектов, взрывных устройств, мин, в укрывающих средах ( грунте, воде, растительности, снеге) с использованием ряда методов и устройств. Приведены физические эффекты ив основе средств обнаружения объектов в укрывающих средах.