SCI Библиотека

Обучение тактике шахматиста следует начинать с решения элементарных матовых задач. Успешное выполнение заданий способствует появлению уверенности в своих силах, позволит ощутить гармонические связи между фигурами и знакомит с типичными матовыми “картинами”.

Книга известного шахматного литератора и гроссмейстера Николая Калиниченко представляет собой сборник тщательно отобранных матовых задач на мат в 1, 2, 3, 4, 5 ходов матование в эндшпиле.

Работа с книгой не только доставит вам истинное наслаждение от шахматной красоты, но и быстро поможет существенно усилить вашу игру и добиться высоких турнирных результатов.

Книга интересна шахматистам самой разной квалификации.

Манга - один из самых популярных современных художественных жанров. Эта книга расскажет все, что нужно знать о создании собственных героев в данном стиле. В пяти частях японские художники собрали всю необходимую для начинающих информацию - от подробного разбора анатомии до постановки настоящей боевой сце ны. Пособие расскажет об особенностях жанра и его персонажах, покажет, как создавать реалистичных героев, а потом и целые комиксы с ними, а также научит работать со сторителлингом.

В работе описана трёхмерная и трёхфазная математическая модель математическая процесса промышленного электролиза алюминия, которая основана на системе уравнений Навье-Стокса, системе уравнений Максвелла с использованием уравнения для поиска температуры в рабочем пространстве ванны. Характерной особенностью данной модели является непосредственное влияние температуры на форму рабочего пространства ванны, которое проявляется в размытии и кристаллизации настыли и гарнисажа алюминиевого электролизёра. С помощью представленной математической модели проводится численное исследование динамики изменения настыли при вариации начальной конфигурации рабочего пространства ванны. На основе графиков раздела сред для различной формы гарнисажа сделан вывод о наиболее МГД-стабильной форме электролизной ванны.

Проведено исследование профилей концентрации и оптических констант ионноимплантированных пленок соединений халькогенидов элементов первой группы. Основными параметрами, определяющими относительные пробеги частиц в пленке материалов, являются атомный номер и масса бомбардирующих частиц и атомов мишени. Оптические константы облученных поверхностей пленок соединений халькогенидов элементов первой группы изменяются по сравнению с исходными значениями, причем их изменения тем больше, чем выше доза облучения и чем тяжелее внедряемые ионы. Минимальная доза, необходимая для изменения оптических констант, с уменьшением массы иона увеличивается, показатель преломления увеличивается, коэффициент экстинкции уменьшается. Показано, что максимум концентрационного профиля ионно-имплантированной примеси смещается к поверхности с увеличением порядкового номера и атомного веса внедренного иона. Профили концентрации по глубине хорошо согласуются с теоретическими выводами о положении и распределении имплантированных ионов.

Проведены экспериментальные исследования коэффициента поглощения в структурах HgCdTe с одним фоточувствительным слоем р-типа проводимости, выращенных методами жидкофазной эпитаксии на подложках CdZnTe, эпитаксией из металлоорганических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs, а также сравнение экспериментальных данных с теоретической классической моделью коэффициента поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов, и другими эмпирическими зависимостями. В области энергий ħω > Eg (области собственного поглощения) для всех образцов на основе материала HgCdTe получено удовлетворительное соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей коэффициента поглощения. В области энергий ħω < Eg (область Урбаха) у структур HgCdTe, выращенных методами ЖФЭ, МЛЭ и МОС, наблюдаются отклонения характеристик поглощения по сравнению с теоретическими экспоненциальными зависимостями Урбаха. Экспериментальные исследования коэффициента поглощения структур InGaAs, выращенных эпитаксией из металлоорганических соединений на кристаллически соответствующих подложках InP, показали соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей в рабочей области длин волн. Отклонение угла наклона теоретической и экспериментальной характеристик поглощения структур на основе InGaAs в 6— 10 раз меньше, чем у структур HgCdTe, что показывает на лучшее кристаллическое совершенство материалов группы А3В5 и их пригодность для изготовления фотоприемных устройств с предельными параметрами.

В статье предпринята попытка проанализировать опыт научно-педагогической школы, организованной в начале 1980-х гг. В. П. Золотаревым в Сыктывкарском государственном университете и нашедшей институциональное выражение в учрежденной в конце 1990-х гг. межкафедральной научно-исследовательской лаборатории «Научная школа академика Н. И. Кареева по новистике». В ходе исследования авторы пришли к выводу о том, что студенческая лаборатория способствовала зарождению и развитию «научной школы В. П. Золотарева по кареевистике».

Динамические характеристики некоторых типов глубинных сейсмических волн позволяют изучать тонкую структуру области перехода от коры к мантии (область М), т. е. выяснять, представлена ли она резкой границей со скачком скоростей между толстыми слоями, переходной зоной с плавным возрастанием скорости с глубиной или тонкослоистой зоной со слоями с повышенной и пониженной скоростью. В работе рассматривается методика использования динамических характеристик волн для изучения тонкой структуры области М, обсуждаются вопросы неоднозначности и степени достоверности интерпретации сейсмических данных при использовании разных классов интерпретационных моделей, информативные возможности разных типов волн. Обсуждается методика использования докритических глубинных отраженных волн для изучения изменений во времени тонкой структуры области М в разных тектонических провинциях, что представляет интерес для изучения глубинных процессов и природы границы Мохоровичича.

Работа рассчитана на специалистов по глубинным сейсмическим исследованиям, геофизиков, геохимиков, геологов.

Разработана аналитическая модель облученности фотослоя сканирующих и смотрящих матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Плоскость фотослоя МФПУ в общем случае представляет собой любой заданный набор матриц фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с различными спектральными характеристиками и расположением. Конструкция оптического тракта также представляет собой набор заданных плоскостей с любыми заданными окнами (диафрагмами), светопоглощающими экранами и светофильтрами, согласованными с заданным объективом и МФЧЭ. Учтены такие паразитные компоненты, как облученность от объектива, от всех светопоглощающих экранов и внешнего корпуса, от окон, с учетом их спектральных коэффициентов пропускания. Рассмотрены случаи с однородным и неоднородным внешним фоном, с изображением объектов с низкими и высокими пространственными частотами вплоть до точечных изображений.