SCI Библиотека

Цель исследования состоит в установлении взаимосвязи между сформированностью языковой компетенции носителя русского языка и появлением речевых ошибок в интернет-отзывах покупателей о товарах. В статье рассматривается проблема общего снижения грамотности населения РФ в связи с переходом коммуникации в интернет-пространство. Научная новизна исследования заключается в том, что впервые предпринята попытка установить связь между получением базовых знаний по русскому языку с их реальным применением при составлении письменного текста - интернет-отзыва о товаре. В результате исследования было выявлено, что существуют различные причины появления речевых ошибок в интернет-отзывах: отсутствие правил и ограничений в реальной интернет-коммуникации, тенденция к сближению устной и письменной коммуникации в интернет-пространстве, а также преобладание черт разговорного стиля в интернет-текстах. Исследование демонстрирует, что у авторов интернет-отзывов существует недостаточность усвоения правил орфографии и пунктуации современного русского языка, а также неумение применять их на практике.

В книге «Введение в молекулярную диагностику и генотерапию наследственных заболеваний» изложены современные представления о структуре генома человека, методах его изучения, исследования генов, мутации которых приводят к тяжелой наследственной патологии: рассмотрены методы детекции мутаций, особенности молекулярной диагностики, состояние и перспективы генотерапии различных наследственных заболеваний.

Книга «Введение в молекулярную диагностику и генотерапию наследственных заболеваний» рассчитана на медиков, биологов, специалистов смежных профессий, может служить справочным руководством для студентов мединститутов и биофаков, врачей курсов повышения квалификации, сотрудников медико-генетических центров. Широкому кругу читателей книга может дать представление о блестящих достижениях современной науки в познании молекулярных основ наследственности, о Международной программе «Геном человека», фундаментальном и прикладном значении происходящей уже сегодня революции в генетике человека.

Автор на основании данных отечественной и зарубежной литера­ туры и собственного многолетнего опыта излагает основные вопросы патогенеза, клиники, лечения и правового обеспечения больных с различными формами гермафродитизма.

Клиническое описание и дифференциальная диагностика заболева­ния построены в соответствии с разработанной в Институте экспериментальной эндокринологии и химии гормонов АМН СССР классифи­кацией, опирающейся на современные представления о законах эмбриогенеза половой системы.

Излагаются принципы диагностики и выбора гражданского пола в зависимости от клинической формы патологии, оптимальных возможностей терапевтической, хирургической, психологической и социальной реабилитации больных.

Дается описание методов хирургической коррекции пола, подроб­но излагаются разработанные автором оригинальные методики пластических корригирующих операций, а также основы гормональ­ной терапии в зависимости от формы патологии.

Монография рассчитана на эндокринологов, урологов, гинеколо­гов, хирургов, сталкивающихся с вопросами диагностики и коррек­ции врожденной патологии полового развития.

Показаны возможности применения волоконного лазера с фемтосекундной длительностью импульсов излучения в изготовлении миниатюрных термоэмиссионных катодов из 50 мкм вольфрам-рениевой фольги. Катодный узел, состоящий из подогревателя и керна, выполнен в виде цельной конструкции с нанесенным методом ионно-плазменного напыления оксидным покрытием. Представлены эмиссионные характеристики катода.

Остроумное изложение, образные примеры, легкость подачи оригинального материала, отображение современного состояния разговорного языка и деловой переписки делают издание совершенно необходимым преподавателям, студентам, учащимся и всем, кто
активно соприкасается с английской языковой средой. В конце книги помещен словарь идиом, слэнга, устойчивых и крылатых выражений, наиболее часто употребляемых в Америке.

В основу этой книжки легли лекции-беседы, которые я несколько раз проводил со школьниками либо 7-8, либо 9-10 классов в школьном математическом лектории при Московском государственном университете имени М. В. Ломоносова.

Из-за особенностей легирования полупроводниковых структур группы нитридов и высокой степени компенсации, существует проблема определения концентрации легирующей примеси традиционными методами. В работе предложен и исследован метод расчета концентрации носителей заряда с учетом модели зонных состояний в полупроводниковых структурах группы нитридов n-типа проводимости. Метод основан на уравнении электронейтральности носителей заряда с учетом статистического закона распределения носителей в зонах и на дополнительных уровнях в запрещенной зоне.

Книга предназначена для лиц, желающих углубить и расширить свои знания по математике перед вступительным экзаменом в высшее учебное заведение. Особенно полезной она может оказаться слушателям подготовительных отделений вузов. Учителя средней школы найдут в ней богатый материал по
некоторым узловым темам школьной программы

В книге изложены отдельные важные теоретические вопросы, подкрепленные большим количеством разобранных конкурсных задач. Особое внимание авторы уделяют логике решений, подробно обсуждают типичные ошибки поступающих. Книга снабжена упражнениями, взятыми из опыта приемных экзаменов.

При подготовке пятого издания книга подверглась переработке, имевшей целью учесть опыт приемных экзаменов последних лет.

Проанализированы темновые токи в усовершенствованной архитектуре матрицы фотодиодов на основе тройного соединения CdHgTe, предназначенной для регистрации слабого инфракрасного излучения. Формирование областей противоположной проводимости в широкозонном слое уменьшает вклад токов генерации-рекомбинации ШРХ, что увеличивает влияние Оже-механизмов, определяющих ток диффузии. Используя области различного состава с переходными подслоями с уменьшенной на границах раздела скоростью поверхностной рекомбинации, можно снизить вклад поверхностных механизмов в суммарный темновой ток фотодиода. За счет правильного выбора состава области поглощения и верхнего широкозонного слоя в усовершенствованной архитектуре ФЧЭ можно добиться уменьшения темнового тока, что позволяет повысить фотоэлектрические параметры.