Научный архив: статьи

Представлены результаты воздействия импульсного мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы на морфологию поверхности твердых растворов эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe. Увеличение дозы облучения приводит к росту перепада высот микровыступов и шероховатости.

Предлагается способ количественной оценки качественного состояния процессов ионно-плазменного нанесения покрытий путем анализа комплекса технологических условий процесса с применением методов квалиметрии. Рассматривается математическая модель комплекса качественных характеристик плазменной среды в процессе нанесения покрытия, предполагающая количественную оценку основных характеристических параметров, с учетом взаимосвязи величины рабочего давления газа в вакуумной камере с наличием в ней газовых примесей. Приводятся результаты апробации предлагаемого способа при различных условиях реализации ионно-плазменного нанесения покрытия.

В работе представлены результаты математического моделирования параметров плаз- мы индуктивного ВЧ разряда в аргоне PIC методом в диапазоне давлений 1мТор — 1Тор. Показано, что при низких давлениях в области скин-слоя азимутальное поле осциллирует на основной частоте со средним значением равным нулю, в то время как радиальное поле имеет отличную от нуля постоянную составляющую. Осцилляции азимутального электрического поля приводят к формированию пучка электронов, азимутальная скорость которого осциллирует со временем, достигая максимума дважды за период.

В работе представлены результаты экспериментального исследования эффективной температуры и концентрации электронов в области скин-слоя индуктивного ВЧ-разряда в инертных газах. Диапазон рассмотренных давлений 0.3─1000 мТорр. Результаты измерений проявили немонотонную зависимость параметров плазмы от давления. Показано, что при давлениях, соответствующих минимуму электронной температуры, частота упругих столкновений в аргоне и криптоне ниже, чем в гелии, вследствие эффекта Рамзауэра.

Представлены экспериментальные результаты исследования спектра рентгеновского излучения плазмы микропинчевого разряда получаемого на установке «низкоиндуктивная вакуумная искра». Получены зависимости выхода рентгеновской эмиссии плазмы микро-пинчевого разряда от разрядного тока и конфигурации электродов, в том числе при их естественной эрозии

Установлено, что при положительном потенциале на осевом электроде коаксиального резонатора CERA-RX(C) в режимах генерации рентгеновского излучения в спектре СВЧ-сигнала из резонатора регистрируются сателлиты основной частоты 2,45 ГГц, частота которых линейно зависит от величины потенциала. Hа основе полученных результатов делается вывод о формировании в азимутально симметричной ЭЦР-области источника сгустков электронов, скорость азимутального дрейфа которых определяется потенциалом на осевом электроде

Представлены результаты экспериментального исследования параметров плазмы, формируемой в узком коаксиальном резонаторе инжектора CERA-RI-2. Определены зависимости газовой и энергети- ческой эффективности формирования ионного потока от массового расхода рабочего газа – Ar.

В работе представлены результаты измерения эквивалентного сопротивления плазмы, являющегося мерой способности плазмы поглощать ВЧ-мощность. Рассмотрен индуктивный ВЧ-разряд в инертных газах в диапазоне давлений 1 мТорр - 10 Торр. Показано, что при частотах упругих столкновений, не превышающих 3∙107 с-1, значения эквивалентного сопротивления различных газов в пределах ошибки эксперимента «ложатся» на одну кривую. При частотах столкновений более 3∙107 с-1 значительный вклад в поглощение вносит емкостная составляющая разряда.

В статье представлены результаты исследования спектра излучения микроплазменного разряда, возбуждаемого на поверхности титанового образца при воздействии импульсного потока плазмы в режиме поддержания разряда импульсным электрическим током амплитудой 100 А и длительностью до 20 мс. На основании анализа соотношений интенсивностей линий излучения атомов и ионов титана в интервале длин волн 390 ─ 525 нм сделана оценка электронной температуры в микроплазменном разряде, величина которой находится в интервале 0,3 ─ 1,5 эВ.

Рассмотрены различные способы построения источников мощных СВЧ-импульсов на основе взаимодействия релятивистских сильноточных электронных пучков с заранее созданной плазмой. Предложена конфигурация СВЧ-генератора с минимально возможным объемом, занятым магнитным полем, и пригодная для генерации импульсов с большой частотой повторения.

В работе представлены результаты численных расчетов температуры и концентрации электронов в плазме индуктивного ВЧ-разряда в инертных газах. Диапазон рассмотренных давлений 1─200 мТорр. Результаты расчетов позволили объяснить немонотонную зависимость параметров плазмы от давления инертных газов возрастанием энергозатрат на возбуждение атомов при низких значениях электронной температуры и усилением выноса энергии ионами на стенки источника плазмы при повышении роли емкостной составляющей разряда

Рассмотрены области применения ионных пучков и плазмы. Обсуждены тезисы докладов по источникам быстрых ионов и атомов, ионным и плазменным ускорителям, физике и материаловедению ионной имплантации, ионно-пучковой обработке диэлектриков, модификации материалов высокоэнергетическими ионами, получению алмазоподобных пленок и сверхтонких мишений. Проведено обобщение представленных результатов