Научная статья: Алмазные CVD-покрытия режущих инструментов (обзор) (2015) (читать, скачать)

Читать онлайн

Повышение требований к режущим инструментам, используемым в разных сферах деятельности, начиная от обработки твёрдых материалов до хирургических операций, в отношении твёрдости, химической инертности и стойкости к износу заставляет совершенствовать существующую технологию производства алмазного инструмента, последовательно приближая эти параметры к характеристикам самого алмаза. Вопрос жизнестойкости инструментов наиболее актуален сегодня в нефтегазодобывающей отрасли, где для бурения скальных пород используются вращательные долота, оснащенные PDC (Polycryиstalline Diamond Cutter) фрезами, которые производят спеканием при чрезвычайно высоких значениях давления и температуры.

В обзоре рассматриваются особенности производства PDC-резцов, их характеристики и ограничения по условиям применения. Стойкость PDC-фрез, цементированных кобальтом, ограничена максимально допустимой температурой 700 оС из-за разницы коэффициентов температурного расширения алмазного абразива и цементирующей связки, а также из-за графитизации алмаза кобальтом. Обзор ориентирован на инженеров, связанных с обработкой твёрдых и абразивных материалов. В нём объединены сведения, представленные в российских и зарубежных публикациях по вопросам технологии производства PDC-резцов и их упрочнения методами, СVD-осаждения поликристаллических алмазных плёнок. В заключение обсуждаются возможности применения СВЧ-реакторов ARDIS-100 и СВЧфакела для CVD-синтеза алмазных покрытий.

Increasing requirements for the cutting tools being used in the different fields of activity from the processing of solid materials down to surgery in respect of hardness, chemical inertness and resistance to wear stimulates evolution of the existing tools technology to approach their parameters near to diamond characteristics. Problem of resilience tools more relevant today in the oil and gas industry, where rotational rock-drilling bits are used. The bits are equipped with the polycrystalline diamond cutters (PDC) that have been sintered at extremely high pressures and temperatures. The review discusses the features of PDC production, their characteristics and limitations of the application. Resistance to wear of PDC cutters cemented with cobalt is limited by the maximum temperature — 700 °C because of the high difference of coefficients of thermal expansion of diamond abrasive and cobalt binder, as well as of diamond graphitization by cobalt.

The paper is dedicated for engineers related to the processing of hard and abrasive materials. Its content combines the information which was gathered among russian and abroad reviews of the PDC production technology, CVD deposition of polycrystalline diamond films, the formation and growth of carbon (diamond) films on non-diamond substrates, processing and methods for preparing the surface for a heterogeneous CVD deposition of diamond. Physical and chemical conditions MPACVD diamond synthesis are shown by the example of homoepitaxial growth of single crystals, considering that each crystal in the continuous polycrystalline diamond film grows like a single crystal in the desired orientation. Finally, most significant achievement of MPACVD technology designed to increase the area of the monocrystalline diamond substrates for use in electronics was jointing of substrates grown from HPHT monocrystalline diamond seeds. Finally, we discuss the possibility of using a microwave reactor Ardis 100 and microwave torch for CVD synthetisis of diamond coatings.

Ключевые фразы: сверхтвердые материалы, mpacvd, газофазное химическое осаждение, плазма, СВЧ, разряд, факел, водород, углеводород, pdc, поликристалл, алмаз, резец, монокристалл, графит, карбид вольфрама, цементирование, кобальт, ТВЁРДОСТЬ, ИЗНОСОСТОЙКОСТЬ, травление, температура, скорость осаждения, покрытие

Автор (ы): Сергейчев Константин Фёдорович (Sergeychev K. F.)

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 537.5. Электронные и ионные явления. Разряды. Плазма. Излучения
621.921. Абразивы. Шлифующие и полирующие материалы
eLIBRARY ID: 24124345

Для цитирования:

СЕРГЕЙЧЕВ К. Ф. АЛМАЗНЫЕ CVD-ПОКРЫТИЯ РЕЖУЩИХ ИНСТРУМЕНТОВ (ОБЗОР) // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2015. ТОМ 3, №4

Текстовый фрагмент статьи

В обзоре рассмотрены основные вопросы производства HPHT-алмазных инструментов и покрытий инструментов, создаваемых с помощью СVD-методов осаждения алмаза из газовой фазы с участием плазмы, среди которых ведущее место принадлежит MPACVD-методу. Показано, что для повышения температурной стойкости PDC-резцов буровых фрез обычно применяют предварительное выщелачивание цементирующей кобальтовой связки, что механически ослабляет резцы. В связи с этим актуальным становится упрочнение PDC-резцов осаждением ПКА-слоя после удаления кобальта.

В обзоре нашли отражение поисковые работы по созданию PDC с цементирующей матрицей из других материалов вместо кобальта, т. е. с меньшей разницей в КТР с алмазом, на которые можно осаждать ПКА, не опасаясь растрескивания и отслаивания PDC от твердосплавной подложки.

Рассмотрена технология производства PDCрезцов, режимы эксплуатации резцов и способы испытания их производственной жизнеспособности. Дан краткий обзор СVD-методов осаждения ПКА-покрытий на различные инородные подложки, обсуждены условия нуклеации и роста алмаза на начальной стадии до образования сплошной ПКА-плёнки, а также способы подготовки поверхности неалмазных подложек для усиления нуклеации алмаза.

Показаны возможности алмазного упрочнения других элементов буровых комплексов, в частности, осевых подшипников скольжения, а также упрочнения металлообрабатывающих инструментов нанесением ПКА-слоя с применением защиты ПКА-покрытия от деструктивного влияния кобальта предварительным нанесением на поверхность твердосплавных инструментов буферного слоя.

Физико-химические процессы и режимы синтеза алмаза рассмотрены на примере MPAСVD гомоэпитаксиального роста HPHT-монокристаллов.

Дано краткое описание современных методов получения больших монокристаллических алмазных подложек с участием MPACVD-метода.

Рассмотрена возможность упрочнения инструментов ПКА-слоем в MPAСVD-установках, разработанных в ИОФ РАН — ЦФП ИОФ РАН, а именно, в СВЧ-реакторе ARDIS-100 и плазме СВЧ-факела.

Моя история просмотров (4)

01. Статья: РАЗВИТИЕ АГРОПРОМЫШЛЕННОГО КОМПЛЕКСА РОССИИ НА СОВРЕМЕННОМ ЭТАПЕ

02. Статья: ПРОБЛЕМЫ КРЕСТЬЯНСТВА И ПРИРОДНО-ХОЗЯЙСТВЕННОГО КОМПЛЕКСА В НАУЧНЫХ ТРУДАХ ЕЛАГИНСКОЙ ВОЕННО-МОРСКОЙ ИСТОРИЧЕСКОЙ ШКОЛЫ

03. Статья: Фоторезисторы с кодом Грея из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe на спектральный диапазон 2—11 мкм с термоэлектрическим охлаждением

04. Статья: РАЗВИТИЕ СИСТЕМЫ ПРОДОВОЛЬСТВЕННОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ НИЖНИХ ЧИНОВ РУССКОЙ АРМИИ ВО ВТОРОЙ ЧЕТВЕРТИ XVIII ВЕКА

Список литературы

1. Wentorf R. H., Devries R. C., Bundy F. P. // Science. 1980. V. 208 (4446). P. 873.
2. Polini R., Barletta M., Rubino G., et al. // Advances in Materials Science and Engineering, 2012. V. 2012. P. 151629.
3. Бессон А., Берр Б., Диллард и др. Нефтегазовое обозрение. — Шлюмберже, весна 2002. С. 4—31.
4. Zhan G., Patin A., Pillai R., et al. / IADC/SPE drilling conference, IADC. Global leadership. Global challenges, 2014, Castagna, FEI.
5. Ortega A., Glowka D. A. // J. Soc. of Petr. Engineers. AIME V. SPE. P. 11061 (Annual techn. conf. and exh., New Orlean, LA USA, 26 Sept. 1982).
6. Пятницкий А. // www.smith.com
7. Bellin F., Dourfaye A., King W., et al. // World Oil, 2010. No. 10. P. 53.
8. Sumiya H., Irfune T. // SEI Technical Review. 2008. No. 66. P. 85.
9. Wang Y., Wang K., Tan N., et al. // Нigh Pressure Research: An International Journal. 2011. V. 31. No. 3. P. 419.
10. Westraadt J., Dubrovinskaya N., Neethling J. H., et al. // Diamond and Related Materials. 2007. V. 16. No. 11. P. 1929.
11. Boland J. N., Li X. S. // Materials. 2010. No. 3. P. 1390.
12. Clark I. E., Shafto G. R. Core drilling with SINDAX3 PCD in Industrial Review, 1987, April.
13. Yahiaoui M., Gerbaud L., Paris J-Y., et al. // Wear. 2012. V. 298–299. P. 32.
14. Konovalov V. V. Patent USA 20140060937. Publication date: 2014.03.06. http://www.faqs.org/patents/app/20140060937#ixzz3XnO2sM2r
15. Westraadt J., Sigalas J., Neethling J. H. // International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. 2015. V. 48. P. 286.
16. Liu H., Dandy D. S. Diamond Chemical Vapor Deposition: Nucleation and Early Growth Stage. — Elsevier, 1996.
17. Suryanarayana C., Moore J. J., Radtke R. R. // Advanced materials & processes, March 2001.
18. Sexton T. N., Cooley C. H. // Wear. 2009. V. 267. P. 1041.
19а. Дерягин Б. В., Федосеев Д. В. // Успехи химии. 1970. № 39. С. 1161.
20. Sevillano E. Microwave Plasma Deposition of Diamond. Book: Low Pressure Synthetic Diamond. — Springer Series in Materials Processing. 1998. Р. 11—39. www.cvddiamond. ru / www.optosystems.ru/eng/cvd.php
21. Bauer C. E., Inspector, A. and Oles E. J. // Sadhana© Printed in India. V. 28. Part 5. October 2003. P. 933.
22. Конов В. И., Ральченко В. Г., Сергейчев К. Ф. и др. СВЧ плазменный реактор. Патент РФ № 2299929. Заявл. 11 августа 2005 г.
23. The ellipsoidal microwave plasma reactor // www.diamond materials.com/ .../mw_plasma_re
24. Silva F., Hassouni K., Bonnin X., et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. P. 36402-1.
25. Вихарев A. Л., Горбачев А. М., Радищев Д. Б. и др. // Известия ВУЗов. Радиофизика. 2014. Т. 57. № 12.
26. Sergeichev K. F., Lukina N. A., Bolshakov A. P., et al. // Plasma Physics Reports. 2010. V. 36. No. 13. P. 1272.
27. Сергейчев К. Ф., Душик В. В., Иванов В. А. и др. // Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2. № 5. С. 453.
28. Sergeichev K. F., Lukina N. A. // Plasma Physics Reports. 2011. V. 37. No. 13. P. 1225.
29. Haubner R., Lux B. // Diam. Relat. Mater. 1993. V. 2. No. 9. P. 1277.
30. Robertson J. // Material Science and Engineering. 2002. V. R37. P. 129.
31. Aisenberg S., Chabot R. J. //Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 2953.
32. Liu H., Dandy D. S. // Diamond Relat. Mater. 1995. V. 4. P. 1173.
33. Singh J. // J. of Materials Science. 1994. V. 29. P. 2761.
34. Halpern J. M., Martin H. B. // Diam. Relat Mater. 2014. V. 42. P. 33.
35. Вуль А. Я., Голубев В. Г., Грудинкин С. А. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. С. 77.
36. Ito T. US Patent 4990403, 1991. http://www.freepatentsonline.com/4990403.html.
37. Kuo C. T., Yen T. Y., Huang T. H. // J. Mater. Res. 1990. V. 5. P. 2515.
38. Lux B., Haubner R. // Int. J. Ref. Met. Hard Mater. 1989. V. 8. P. 158.
39. McCune R. C., Chase R. E., Drawl W. R. // Surf. Coat. Technol. 1989. V. 30/40. P. 223.
40. Zhu W., Yang P. C., Glass J. T. et al. // J. Materials Research, 1995. V. 10. P. 1455.
41. Park B. S., Baik Y. J., Lee K. R., et al. // Diamond Relat. Mater. 1993. V. 2. P. 910.
42. Nesladek M., Spinnewyn J., Asinari C., et al. // Diamond Relat. Mater. 1994. V. 3. P. 98.
43. Soderberg S., Gerendas A. and Sjцstrand M. // Vacuum. 1990. V. 41. P. 1317.
44. Азарова Е. В., Левашов Е. А., Ральченко В. Г. и др. // Металлург. 2010. № 8. С. 50.
45. Tokuyuki Teraji. Chemical Мapor Deposition of Homoepitaxial Diamond Film in Physics and Applications of CVD Diamond. —Wiley-VCH, Verlag GmbH&Co.
46. Tallaire A., Achard J., Silva F., et al. // Comptes Rendus Physique. 2013. V. 14. P. 169.
47. Muchnikov A. B., Vikharev A. L., Gorbachev A. M., et al. // Diamond Relat Materials. 2010. V. 19. P. 432.
48. Vohra Y. K. University of Alabama at Birmingham (UAB) Birmingham, AL 35294-1170, USA.
49. Davies N, Khan R., Martineau P., et al. // Journal of Physics: Conference Series. 2011. V. 281. P. 012026.
50. Buttler, J. E. and Godwin D. G. Properties, Growth and Аpplications of Diamond. — Inspec. IEE, London, 2001.
51. Sevillano E. Low Pressure Synthetic Diamond: Manufacturing and Applications-Springer-Verlag, Heidelberg, 1998.
52. Tsuno T., Imai T., Nishibayashi Y., et al. // Japanese Journal of Applied Physics. 1991. V. 30. P. 1063.
53. Tsuno T., Shiomi, H., Kumazawa Y., et al. // Japanese Journal of Applied Physics. 1996. V. 35. No. 9a. P. 4724.
54. Yamamoto M., Teraji T. and Ito T. // Journal of Crystal Growth. 2005. V. 285. P. 130.
55. Moustakas T. D. Synthetic Diamond: Emerging CVD Science and Technology. — John Wiley & Sons, NY. 1994.
56. Teraji T., Mitani S., Wang C.L., et al. // Journal of Crystal Growth. 2002. V. 235. P. 287.
57. Teraji T. and Ito T. // Journal of Crystal Growth. 2004. V. 271. P. 409.
58. Zhang J. Y., Wang P. F., Ding S. J., et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 368. P. 266.
59. Achard J., Tallaire A., Sussmann R., et al. // Journal of Crystal Growth. 2005. V. 284. P. 396.
60. Takeuchi D., Watanabe H., Yamanaka S., et al. // Physica Status Solidi (a). 1999. V. 174. P. 101.
61. Watanabe H., Takeuchi D., Yamanaka S., et al. // Diamond and Related Materials. 1999. V. 8. P. 1272.
62. Sternschulte H., Bauer T., Schreck M., et al. // Diamond and Relat. Materials. 2006. V. 15. P. 542.
63. Tallaire A., Achard J., Silva F., et al. // Physica Status Solidi (a). 2005. V. 202. P. 2059.
64. Mokuno Y., Chayahara A., Yamada H. // Diamond and Relat. Materials. 2008. V. 17. P. 415.
65. Yamada H., Chayahara A., Mokuno Y., et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. P. 102.
66. Muchnikov A. B., Vikharev A. L., Radishev D. B., et al. // Materials Letters. 2015. V. 139. P. 1.
67. Asmussen J., Grotjohn T. A., Schuelke T., et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 031502.
68. Gippius A. A., Khmelnitsky R. A., Dravin V. A., et al. // Diamond and Related Materials. 2003. V. 12. P. 538.
69. Pezzagna S. and Meijer J. High-Resolution Ion Implantation from keV to MeV. Book: Ion Implantation. — Rijeka, Croatia. 2012.

1. R. H. Wentorf, R. C. Devries, and F. P. Bundy, Science 208, 873 (1980).
2. R. Polini, M. Barletta, G. Rubino, et al., Advances in Materials Science and Engineering 2012, 151629 (2012).
3. A. Besson, B. Berr, Dillard et al., Oil and Gas Review (Shlumberge, 2002), P. 4—31.
4. G. Zhan, A. Patin, R. Pillai, et al., in Proc. IADC/SPE Drilling Conference, IADC. Global leadership. Global challenges, (2014, Castagna, FEI).
5. A. Ortega and D. A. Glowka, J. Soc. of Petr. Engineers. AIME V. SPE. P. 11061 (Annual techn. conf. and exh., New Orlean, LA USA, 26 Sept. 1982).
6. A. Pyatnitsky, http://www.smith.com
7. F. Bellin, A. Dourfaye, W. King, et al., World Oil, No. 10, 53 (2010).
8. H. Sumiya and T. Irfune, SEI Technical Review, No. 66, 85 (2008).
9. Y. Wang, K. Wang, N. Tan, et al., Нigh Pressure Research: An International Journal. 31, 419 (2011).
10. J. Westraadt, N. Dubrovinskaya, J. H. Neethling, et al., Diamond and Related Materials 16, 1929 (2007).
11. J. N. Boland and X. S. Li, Materials, No. 3, 1390 (2010).
12. I. E. Clark and G. R. Shafto, Core Drilling with SINDAX3 PCD in Industrial Review, (1987, April).
13. M. Yahiaoui, L. Gerbaud, J-Y. Paris, et al., Wear 298–299, 32 (2012).
14. V. V. Konovalov, Patent USA 20140060937. Publication date: 2014.03.06. http://www.faqs.org/patents/app/20140060937#ixzz3XnO2sM2r
15. J. Westraadt, J. Sigalas, and J. H. Neethling, International Journal of Refractory Metals and Hard Materials 48, 286 (2015).
16. H. Liu and D. S. Dandy, Diamond Chemical Vapor Deposition: Nucleation and Early Growth Stage. — Elsevier, 1996.
17. C. Suryanarayana, J. J. Moore, and R. R. Radtke, Advanced Materials & Processes (March 2001).
18. T. N. Sexton and C. H. Cooley, Wear. 267, 1041 (2009).
19. B. V. Deryagin and D. V. Fedoseev, Chem. Usp., No. 39, 1161 (1970).
20. E. Sevillano, Microwave Plasma Deposition of Diamond. In Book: Low Pressure Synthetic Diamond. (Springer Series in Materials Processing. 1998. Р. 11—39).
21. C. E. Bauer, A. Inspector, and E. J. Oles, Sadhana© Printed in India. 28, 933 (2003).
22. V. I. Konov, V. G. Ral’chenko, K. F. Sergeichev, et al., RF Patent No. 2299929. August 2005.
23. The ellipsoidal microwave plasma reactor http://www.diamond materials.com/ .../mw_plasma_re
24. F. Silva, K. Hassouni, X. Bonnin, et al., J. Phys.: Condens. Matter. 21, 36402-1 (2009).
25. A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishchev, et al., Izv. VUZov. Radiofizika 57, No. 12 (2014).
26. K. F. Sergeichev, N. A. Lukina, A. P. Bolshakov, et al., Plasma Physics Reports. 36, 1272 (2010).
27. K. F. Sergeichev, V. V. Dushik, V. A. Ivanov, et al., Uspekhi Prikladnoi Fiziki 2, 453 (2014).
28. K. F. Sergeichev and N. A. Lukina, Plasma Physics Reports. 37, 1225 (2011).
29. R. Haubner and B. Lux, Diam. Relat. Mater. 2, 1277 (1993).
30. J. Robertson, Material Science and Engineering R37, 129 (2002).
31. S. Aisenberg and R. J. Chabot, Appl. Phys. 42, 2953 (1971).
32. H. Liu and D. S. Dandy, Diamond Relat. Mater. 4, 1173 (1995).
33. J. Singh, J. of Materials Science 29, 2761 (1994).
34. J. M. Halpern and H. B. Martin, Diam. Relat Mater. 42, 33 (2014).
35. A. Ya. Vul’, V. G. Golubev, S. A. Grudinkin, et al., Tech. Phys. Lett. 28, 77 (2002).
36. T. Ito, US Patent 4990403, 1991. http://www.freepatentsonline. com/4990403.html.
37. C. T. Kuo, T. Y. Yen, and T. H. Huang, J. Mater. Res. 5, 2515 (1990).
38. B. Lux and R. Haubner, Int. J. Ref. Met. Hard Mater. 8, 158 (1989).
39. R. C. McCune, R. E. Chase, and W. R. Drawl, Surf. Coat. Technol. 30/40, 223 (1989).
40. W. Zhu, P. C. Yang, J. T. Glass, et al., J. Materials Research. 10, 1455 (1995).
41. B. S Park., Y. J. Baik, K. R. Lee, et al., Diamond Relat. Mater. 2, 910 (1993).
42. M Nesladek., J. Spinnewyn, C. Asinari, et al., Diamond Relat. Mater. 3, 98 (1994).
43. S. Soderberg, A. Gerendas, and M. Sjцstrand, Vacuum 41, 1317 (1990).
44. E. V. Azarova, E. A. Levashov, V. G. Ral’chenko, et al., Metallurtg., No. 8, 50 (2010).
45. Tokuyuki Teraji. Chemical Мapor Deposition of Homoepitaxial Diamond Film in Physics and Applications of CVD Diamond. (Wiley-VCH, Verlag GmbH&Co).
46. A. Tallaire, J. Achard, F. Silva, et al., Comptes Rendus Physique 14, 169 (2013).
47. A. B. Muchnikov, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, et al., Diamond Relat Materials 19, 432 (2010).
48. Y. K. Vohra, University of Alabama at Birmingham (UAB) Birmingham, AL 35294-1170, USA.
49. N. Davies, R. Khan, P. Martineau, et al., Journal of Physics: Conference Series. 281,. 012026 (2011).
50. J. E. Buttler and D. G. Godwin, Properties, Growth and Аpplications of Diamond. (Inspec. IEE, London, 2001).
51. E. Sevillano, Low Pressure Synthetic Diamond: Manufacturing and Applications (Springer-Verlag, Heidelberg, 1998).
52. T. Tsuno, T. Imai, Y. Nishibayashi, et al., Japanese Journal of Applied Physics 30, 1063 (1991).
53. T. Tsuno, H. Shiomi, Y. Kumazawa, et al., Japanese Journal of Applied Physics 35, 4724 (1996).
54. M. Yamamoto, T. Teraji, and T. Ito, Journal of Crystal Growth. 285, 130 (2005).
55. T. D. Moustakas, Synthetic Diamond: Emerging CVD Science and Technology. (John Wiley & Sons, NY. 1994).
56. T. Teraji, S. Mitani, C. L.Wang, et al., Journal of Crystal Growth 235, 287 (2002).
57. T. Teraji and T. Ito, Journal of Crystal Growth 271, 409 (2004).
58. J. Y. Zhang, P. F. Wang, S. J. Ding, et al., Thin Solid Films 368, 266 (2000).
59. J. Achard, A. Tallaire, R. Sussmann, et al., Journal of Crystal Growth 284, 396 (2005).
60. D. Takeuchi, H. Watanabe, S. Yamanaka, et al., Physica Status Solidi (a) 174, 101 (1999).
61. H. Watanabe, D. Takeuchi, S. Yamanaka, et al., Diamond and Related Materials 8, 1272 (1999).
62. H. Sternschulte, T. Bauer, M. Schreck, et al., Diamond and Relat. Materials 15, 542 (2006).
63. A. Tallaire, J. Achard, F. Silva, et al., Physica Status Solidi (a) 202, 2059 (2005).
64. Y. Mokuno, A. Chayahara, and H. Yamada, Diamond and Relat. Materials 17, 415 (2008).
65. H. Yamada, A. Chayahara, Y. Mokuno, et al., Appl. Phys. Lett. 104, 102 (2014).
66. A. B. Muchnikov, A. L. Vikharev, D. B. Radishev, et al., Materials Letters 139, 1 (2015).
67. J. Asmussen, T. A. Grotjohn, T. Schuelke, et al., Appl. Phys. Lett. 93, 031502 (2008).
68. A. A. Gippius, R. A. Khmelnitsky, V. A. Dravin, et al., Diamond and Related Materials 12, 538 (2003).
69. S. Pezzagna and J. Meijer, High-Resolution Ion Implantation from keV to MeV. Book: Ion Implantation, (Rijeka, Croatia. 2012).

Выпуск

Том 3, №4 (2015)

Кол-во страниц: 100 страниц

Другие статьи выпуска

Эффективный заряд плазмы в режиме нагрева индукционным током на стеллараторе Л-2М в условиях боронизации вакуумной камеры (2015)

Авторы: Мещеряков А. И., Вафин И. Ю.

После проведения процедуры боронизации из оптических измерений было установлено, что в числе прочего изменился состав примесей плазмы. Встала задача определения эффективного заряда плазмы. В режиме омического нагрева из значений электрического сопротивления плазменного шнура вычислены значения эффективного заряда плазмы для различных концентраций электронов. Сделаны выводы о влиянии боронизации на значение эффективного заряда плазмы, а также изменении значений эффективного заряда в зависимости от плотности плазмы.

Сохранить в закладках

Релаксационная оптика: состояние и перспективы (обзор) (2015)

Авторы: Трохимчук П. П.

В обзоре анализируются основные положения релаксационной оптики, которая рассматривает процессы необратимого воздействия лазерного излучения на вещество. Проведен сравнительный анализ экспериментальных результатов, а также представлены модели, которые необходимы для их объяснения. Показаны области применения процессов и явлений релаксационной оптики в современной оптоэлектронике. Обсуждаются перспективные направления развития этого раздела физики.

Сохранить в закладках

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.

Сказать «Спасибо»

Вы можете поблагодарить автора за публикацию. Ему (ей) будет приятно.

Наведите камеру на QR-код, чтобы открыть моб. версию страницы.

Ведущий журнала

Ильина Надежда

Написать

По вопросам связанным с журналом вы можете связаться с его ведущим.

Статья: Алмазные CVD-покрытия режущих инструментов (обзор) (2015)