Архив статей

Исследование имплантации бериллия в InP (2015)
Выпуск: Том 3, №2 (2015)
Авторы: Будтолаева А. К., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В.

Авторами исследовалась имплантация ионов бериллия в InP с последующим отжигом с целью ее использования для формирования охранного кольца в планарном лавинном фотодиоде (ЛФД) на основе структур n-InP/n-InGaAs/n+-InP. Проведен качественный анализ изменения профилей легирования в зависимости от температуры и времени отжига. Рассмотрены процессы, происходящие в InP при его легировании бериллием с последующим отжигом имплантированных слоев.

Сохранить в закладках