Научная статья: Релаксационная оптика: состояние и перспективы (обзор) (2015) (читать, скачать)

Статья Литература Выпуск Статистика Издательство

Читать онлайн

В обзоре анализируются основные положения релаксационной оптики, которая рассматривает процессы необратимого воздействия лазерного излучения на вещество. Проведен сравнительный анализ экспериментальных результатов, а также представлены модели, которые необходимы для их объяснения. Показаны области применения процессов и явлений релаксационной оптики в современной оптоэлектронике. Обсуждаются перспективные направления развития этого раздела физики.

Basic concepts of Relaxed Optics are analyzed as a synthesized chapter of physics of irreversible interactions of light and matter. Comparative analysis of some experimental data and proper models have been represented. Basic applications of this science for resolution of problems of modern optoelectronics are observed. Also, the perspective directions of development of Relaxed Optics are discussed in the review.

Ключевые фразы: релаксационная оптика, оптоэлектроника, НЕЛИНЕЙНАЯ ОПТИКА, лазерный отжиг, лазерное легирование, НАНОСТРУКТУРЫ, микроструктуры, филаментация

Автор (ы): Трохимчук Петро Павлович (Trohimchuk P. P.)

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 537.311.33. в вакууме
539. Строение материи
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
eLIBRARY ID: 24124344

Для цитирования:

ТРОХИМЧУК П. П. РЕЛАКСАЦИОННАЯ ОПТИКА: СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ (ОБЗОР) // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2015. ТОМ 3, №4

Текстовый фрагмент статьи

Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.

Создать тему для обсуждения

Список литературы

1. Trokhimchuck P. P. Foundations of Relaxed Optics. — Lutsk: Vezha, 2011.
2. Trokhimchuck P. P. Nonlinear and Relaxed Optical Processes. Problems of interactions. — Lutsk: Vezha–Print, 2013.
3. Trokhimchuck P.P. // International Journal of Advanced Research in Physical Science. V. 2. Is. 3. 2015. P. 1.
4. Trokhimchuck P. P. // Proc. SPIE. 2004. V. 5582. P. 37.
5. Трохимчук П. П. Релаксационная оптика. Необходимость синтеза и проблемы развития и применения. / Сб. научных трудов IV когресса физиков Беларуси. — Минск: Ковчег, 2013. С. 93.
6. Maкин В. С. Диссертация на соискание степени доктора физико-математических наук. — Санкт-Петербург: государственный университет информационных технологий, механики и оптики, 2013.
7. Medvid’ A. Nano-cones Formed on a Surface of Semiconductors by Laser Radiation: Technology Model and Properties. Nanowires Science and Technology, ed. Nicoletta Lupu, Inech, Vukovar, 2010. P. 61.
8. Квантовая электроника: перспективные направления. Под ред. И. С. Манака. — Минск: 2012.
9. Трохимчук П. П. Необратимое воздействие оптического излучения на полупроводники. Боголюбовский поход // Физико-технический ин-т УНЦ АН СССР. — Деп. в ВИНИТИ 27.01.85. № 929.
10. Курбатов Л. Н., Стоянова И. Г., Трохимчук П. П. и др. // ДАН СССР. 1983. Т. 268. Вып. 3. С. 594.
11. Bahir G., Kalish R. // Applied Physics Letters. 1981. V. 39. No. 9. P. 730.
12. Bahir G., Bernstein T., Kalish R. // Applied Physics Letters. 1979. V. 34. No. 8. P. 486.
13. Хайбуллин И. Б., Смирнов Л. С. // ФТП. 1985. Т. 19. № 4. С. 569.
14. Романюк М. О. Кристаллооптика. — Київ: ІЗМН, 1997.
15. Трохимчук П. П. // Вісник СНУ ім. Лесі Українки. Фізичні науки. 2014. Т. 15 (292). С. 45.
16. Шен И. Принципы нелинейной оптики. — M.: Наука, 1989.
17. Haken H. Synergetics. — Berlin: Springer-Verlag, 1977.
18. Андреев A. В., Емельянов В. И., Ильинский Ю. А. Кооперативные явления в оптике. — Москва: Наука, 1988.
19. Трохимчук П. П. Радіаційна фізика твердого тіла. Курс лекцій. — Луцьк: Вежа, 2007.
20. Trokhimchuck P. P. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2012. V. 14. No. 3–4. P. 363.
21. Трохимчук П. П. Лазерный отжиг полупроводников / Институт прикладной физики. — М.: 1980. Деп. в ВИМИ № Д04804.
22. Bogatyryov V. A., Kachurin G. A. // Physics and technical of semiconductors. 1977. V. 11. No. 1. P. 100.
23. Фоти Дж. // Новости физики твердого тела. 1980. Т. 10. С. 132.
24. Philips J. C. // Journal of Applied Physics. 1981. V. 52. No. 12. P. 7397.
25. Коротеев Н. И., Шумай И. Л. Физика мощного лазерного излучения. — Москва: Наука, 1991.
26. Wautelet M., Faily-Lovatto M., Laude L.D. // Phys. C.: Sol.-St. Phys. 1980. V. 13. P. 5505.
27. Капаев В. В., Копаев Ю. В., Молотков С. Н. // Микроэлектроника. 1983. Т. 12. Вып. 6. С. 499.
28. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. — М.: Мир, 1973. .
29. Birnbaum M. // Journal of Applied Physics. 1965. V. 36. Issue 11. P. 3688.
30. Соколов И. A. Диссертация на соискание ученой степени кандидита физико-математических наук. — Ленинград: физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 1983.
31. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. — М.: ИЛ, 1950.
32. Трохимчук П. П. // Электроника ИНФО. № 1. 2014. С. 32.
33. R. W. Boyd, S. G. Lukishova, Y.-R. Shen. Self-focusing: Past and Present. / Topics in Applied Physics. 2009. V. 114.
34. Стафеев В. И. // Прикладная физика. 2005. № 4. С. 31.
35. Trokhimchuck P. P. // Proc. SPIE. 2008. V. 7009. P. 37.
36. Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фотоэлектроника: Физические основы. — M: Физматкнига, 2005.

1. P. P. Trokhimchuck, Foundations of Relaxed Optics. (Lutsk: Vezha, 2011).
2. P. P. Trokhimchuck, Nonlinear and Relaxed Optical Processes. Problems of Interactions. (Lutsk: Vezha–Print, 2013).
3. P. P. Trokhimchuck, International Journal of Advanced Research in Physical Science 2 (3), 1 (2015).
4. P. P. Trokhimchuck, Proc. SPIE 5582, 37 (2004).
5. P. P. Trokhimchuck, in Proc. IV Conf. Physicists Belarus (Minsk, 2013). P. 93.
6. V. S. Makin, Doctor Dissertation (SPb, Gos. Univer. Inf. Techn. Mechan. Optics, 2013) [in Russian].
7. A. Medvid’ Nano-cones Formed on a Surface of Semiconductors by Laser Radiation: Technology Model and Properties. Nanowires Science and Technology. Ed. Nicoletta Lupu, (Inech, Vukovar, 2010). P. 61.
8. Quantum Electronics. Ed. by I. S. Manak (Minsk, 2012) [in Russian].
9. P. P. Trokhimchuck, Deponir. VINITI No, 929, January 27, 1985 [in Russian].
10. K. N. Kurbatov, I, G, Stoyanova, P. P. Trokhimchuck, et al., Dokl. Phys. 268, 594 (1983).
11. G. Bahir and R. Kalish, Applied Physics Letters 39,730 (1981).
12. G. Bahir, T. Bernstein, and R. Kalish, Applied Physics Letters 34, 486 (1979).
13. I. B. Khaibullin and L. S. Smirnov, Semiconductors 19, 569 (1985).
14. M. O. Romanyuk, Crystal Optics. (kiev, IZMN, 1997) [in Russian].
15. P. P. Trokhimchuck, Visnik SNU Lesi Ukrainki. Fiz. Nauki 15 (292), 45 (2014).
16. I. Shen, Foundations of Nonlinear Optics (Nauka, Moscow, 1989) [in Russian].
17. H. Haken, Synergetics. (Berlin : Springer-Verlag, 1977)
18. A. V. Andreev, V. I. Emel’yanov, and Yu. A. Il’insky, Cooperative Phenomena in Optics (Nauka, Moscow, 1988) [in Russian].
19. P. P. Trokhimchuck, Radiation Physics of Solids. (Lutsk, Vezha, 2007) [in Ukrainen].
20. P. P. Trokhimchuck, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 14, 363 (2012).
21. P. P. Trokhimchuck, Depon. VIMI, No. D04804 (1980)
22. V. A. Bogatyryov and G. A Kachurin, Physics and Technical of Semiconductors 11 No. (1), 100 (1977).
23. J. Foti, Novost. Fiz. Tv. Tela 10, 132 (1980).
24. J. C. Philips, Journal of Applied Physics 52, 7397 (1981).
25. N. I. Koroteev and I. L. Shumai, Physics of Power Laser Radiation (Nauka, Moscow, 1991) [in Russian].
26. M. Wautelet, M. Faily-Lovatto, and L.D. Laude, Phys. C.: Sol.-St. Phys.13, 5505 (1980).
27. V. V. Kapaev, Yu. V. Kapaev, and S. N. Molotkov, Mikroelektronika 12, 499 (1983).
28. Zh. Pankov, Optical Processes in Semiconductors . (Mir, Moscow, 1973) [in Russian].
29. M. Birnbaum, Journal of Applied Physics 36, 3688 (1965).
30. I. A. Sokolov, Ph. D. Thesis (Leningrad, FTI AN USSR, 1983).
31. N. Bohr, Passing the Atomic Corpuscles through Matter (IL, Moscow, 1950) [in Russian].
32. P. P. Trokhimchuck, Elektronika INFO, No. 1, 32 (2014).
33. R. W. Boyd, S. G. Lukishova, Y.-R. Shen. Self-focusing: Past and Present. In Topics in Applied Physics. Vol. 114 (2009).
34. V. I. Stafeev, Prikladnaya Fizika, No. 4, 31 (2005).
35. P. P. Trokhimchuck, Proc. SPIE 7009, 37 (2008).
36. A. M. Filachev, I. I. Taubkin, and M. A. Trishenkov, Solid-State Photoelectronics. Physical Base. (Fizmatkniga, Moscow, 2005) [in Russian].

Выпуск

Том 3, №4 (2015)

Кол-во страниц: 100 страниц

Другие статьи выпуска

Методы расширения динамического диапазона матричных фотоприемных устройств (2015)

Авторы: Деомидов А. Д., Козлов К. В., Кузнецов П. А., Храбров П. В.

Проведен анализ современных схемотехнических и программных методов расширения динамического диапазона матричных фотоприемных устройств, а также их классификация. Выделены пять основных групп методов, включающих в себя: реализацию нелинейной зависимости фототока от падающего излучения, подключение дополнительных емкостей, адаптивные методы, многокадровую обработку, бинирование. Рассмотрены особенности каждой группы методов, приведены основные идеи и алгоритмы работы, а также варианты реализаций ячеек считывания.

Сохранить в закладках

Дисперсионный магнитный спектрометр энергии электронов (2015)

Авторы: Шабрин А. Д., Ляликов А. В., Васичев Б. Н., Бегучев В. П., Бурлаков И. Д.

Рассмотрены возможности электронной спектроскопии для определения элементного состава материалов. Показано, что для этого требуется разработка специального прецизионного оборудования вакуумной электроники — электронного спектрометра с дисперсионным магнитным анализатором. Предложен оригинальный вариант устройства диспергирующего магнита для спектрометра потерь энергий электронов, который можно установить на просвечивающие электронные микроскопы. Проведено приближённое математическое описание поведения электронов при взаимодействии с полем магнита, и составлен алгоритм, построенный на полученном описании. С помощью этого алгоритма проведены исследования с целью подбора оптимальных геометрических и конструктивных параметров системы, чтобы добиться наилучших результатов её работы. Предложена макетная конструкция диспергирующего магнита спектрометра.

Сохранить в закладках

Исследование омического контакта AuGe/n+-GaP (2015)

Авторы: Будтолаев А. К., Косухина Л. А., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В.

Исследование направлено на минимизацию удельного сопротивления омического контакта AuGe на поверхности GaP для использования в технологии фотодиодов Шоттки. Методом длинной линии (TLM) определялось удельное сопротивление контакта AuGe в зависимости от температуры отжига. Минимальное c = 4,0110-3 Омсм2 было получено быстрым термическим отжигом. Исследования вольтамперных характеристик фотодиодов Шоттки подтвердили возможность использования этого контактного покрытия в технологии производства фотодиодов.

Сохранить в закладках

ЛФД на основе гетероструктур InGaAs/InP (обзор) (2015)

Авторы: Будтолаева А. К., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В.

В статье предложен обзор литературных данных в области создания лавинных фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP. Рассмотрены типы эпитаксиальных структур, причем уделено особое внимание описанию изготовления планарных лавинных фотодиодов. На основе анализа литературных данных определены основные задачи, решение которых обеспечит разработку отечественных методов изготовления коммерческих лавинных фотодиодов в диапазоне длин волн 0,9—1,7 мкм.

Сохранить в закладках

Эффективный заряд плазмы в режиме нагрева индукционным током на стеллараторе Л-2М в условиях боронизации вакуумной камеры (2015)

Авторы: Мещеряков А. И., Вафин И. Ю.

После проведения процедуры боронизации из оптических измерений было установлено, что в числе прочего изменился состав примесей плазмы. Встала задача определения эффективного заряда плазмы. В режиме омического нагрева из значений электрического сопротивления плазменного шнура вычислены значения эффективного заряда плазмы для различных концентраций электронов. Сделаны выводы о влиянии боронизации на значение эффективного заряда плазмы, а также изменении значений эффективного заряда в зависимости от плотности плазмы.

Сохранить в закладках

Алмазные CVD-покрытия режущих инструментов (обзор) (2015)

Авторы: Сергейчев К. Ф.

Повышение требований к режущим инструментам, используемым в разных сферах деятельности, начиная от обработки твёрдых материалов до хирургических операций, в отношении твёрдости, химической инертности и стойкости к износу заставляет совершенствовать существующую технологию производства алмазного инструмента, последовательно приближая эти параметры к характеристикам самого алмаза. Вопрос жизнестойкости инструментов наиболее актуален сегодня в нефтегазодобывающей отрасли, где для бурения скальных пород используются вращательные долота, оснащенные PDC (Polycryиstalline Diamond Cutter) фрезами, которые производят спеканием при чрезвычайно высоких значениях давления и температуры.

В обзоре рассматриваются особенности производства PDC-резцов, их характеристики и ограничения по условиям применения. Стойкость PDC-фрез, цементированных кобальтом, ограничена максимально допустимой температурой 700 оС из-за разницы коэффициентов температурного расширения алмазного абразива и цементирующей связки, а также из-за графитизации алмаза кобальтом. Обзор ориентирован на инженеров, связанных с обработкой твёрдых и абразивных материалов. В нём объединены сведения, представленные в российских и зарубежных публикациях по вопросам технологии производства PDC-резцов и их упрочнения методами, СVD-осаждения поликристаллических алмазных плёнок. В заключение обсуждаются возможности применения СВЧ-реакторов ARDIS-100 и СВЧфакела для CVD-синтеза алмазных покрытий.

Сохранить в закладках

Статистика статьи

Статистика просмотров за 2026 год.

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.

Сказать «Спасибо»

Вы можете поблагодарить автора за публикацию. Ему (ей) будет приятно.

Наведите камеру на QR-код, чтобы открыть моб. версию страницы.

Ведущий журнала

Ильина Надежда

Написать

По вопросам связанным с журналом вы можете связаться с его ведущим.

Статья: Релаксационная оптика: состояние и перспективы (обзор) (2015)

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

Список литературы

Выпуск

Другие статьи выпуска

Статистика статьи

Издательство