Статья: Релаксационная оптика: состояние и перспективы (обзор) (2015)

1. Trokhimchuck P. P. Foundations of Relaxed Optics. — Lutsk: Vezha, 2011.
2. Trokhimchuck P. P. Nonlinear and Relaxed Optical Processes. Problems of interactions. — Lutsk: Vezha–Print, 2013.
3. Trokhimchuck P.P. // International Journal of Advanced Research in Physical Science. V. 2. Is. 3. 2015. P. 1.
4. Trokhimchuck P. P. // Proc. SPIE. 2004. V. 5582. P. 37.
5. Трохимчук П. П. Релаксационная оптика. Необходимость синтеза и проблемы развития и применения. / Сб. научных трудов IV когресса физиков Беларуси. — Минск: Ковчег, 2013. С. 93.
6. Maкин В. С. Диссертация на соискание степени доктора физико-математических наук. — Санкт-Петербург: государственный университет информационных технологий, механики и оптики, 2013.
7. Medvid’ A. Nano-cones Formed on a Surface of Semiconductors by Laser Radiation: Technology Model and Properties. Nanowires Science and Technology, ed. Nicoletta Lupu, Inech, Vukovar, 2010. P. 61.
8. Квантовая электроника: перспективные направления. Под ред. И. С. Манака. — Минск: 2012.
9. Трохимчук П. П. Необратимое воздействие оптического излучения на полупроводники. Боголюбовский поход // Физико-технический ин-т УНЦ АН СССР. — Деп. в ВИНИТИ 27.01.85. № 929.
10. Курбатов Л. Н., Стоянова И. Г., Трохимчук П. П. и др. // ДАН СССР. 1983. Т. 268. Вып. 3. С. 594.
11. Bahir G., Kalish R. // Applied Physics Letters. 1981. V. 39. No. 9. P. 730.
12. Bahir G., Bernstein T., Kalish R. // Applied Physics Letters. 1979. V. 34. No. 8. P. 486.
13. Хайбуллин И. Б., Смирнов Л. С. // ФТП. 1985. Т. 19. № 4. С. 569.
14. Романюк М. О. Кристаллооптика. — Київ: ІЗМН, 1997.
15. Трохимчук П. П. // Вісник СНУ ім. Лесі Українки. Фізичні науки. 2014. Т. 15 (292). С. 45.
16. Шен И. Принципы нелинейной оптики. — M.: Наука, 1989.
17. Haken H. Synergetics. — Berlin: Springer-Verlag, 1977.
18. Андреев A. В., Емельянов В. И., Ильинский Ю. А. Кооперативные явления в оптике. — Москва: Наука, 1988.
19. Трохимчук П. П. Радіаційна фізика твердого тіла. Курс лекцій. — Луцьк: Вежа, 2007.
20. Trokhimchuck P. P. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2012. V. 14. No. 3–4. P. 363.
21. Трохимчук П. П. Лазерный отжиг полупроводников / Институт прикладной физики. — М.: 1980. Деп. в ВИМИ № Д04804.
22. Bogatyryov V. A., Kachurin G. A. // Physics and technical of semiconductors. 1977. V. 11. No. 1. P. 100.
23. Фоти Дж. // Новости физики твердого тела. 1980. Т. 10. С. 132.
24. Philips J. C. // Journal of Applied Physics. 1981. V. 52. No. 12. P. 7397.
25. Коротеев Н. И., Шумай И. Л. Физика мощного лазерного излучения. — Москва: Наука, 1991.
26. Wautelet M., Faily-Lovatto M., Laude L.D. // Phys. C.: Sol.-St. Phys. 1980. V. 13. P. 5505.
27. Капаев В. В., Копаев Ю. В., Молотков С. Н. // Микроэлектроника. 1983. Т. 12. Вып. 6. С. 499.
28. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. — М.: Мир, 1973. .
29. Birnbaum M. // Journal of Applied Physics. 1965. V. 36. Issue 11. P. 3688.
30. Соколов И. A. Диссертация на соискание ученой степени кандидита физико-математических наук. — Ленинград: физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 1983.
31. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. — М.: ИЛ, 1950.
32. Трохимчук П. П. // Электроника ИНФО. № 1. 2014. С. 32.
33. R. W. Boyd, S. G. Lukishova, Y.-R. Shen. Self-focusing: Past and Present. / Topics in Applied Physics. 2009. V. 114.
34. Стафеев В. И. // Прикладная физика. 2005. № 4. С. 31.
35. Trokhimchuck P. P. // Proc. SPIE. 2008. V. 7009. P. 37.
36. Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фотоэлектроника: Физические основы. — M: Физматкнига, 2005.