Архив статей журнала
Влияние кислородных преципитатов на темновой ток кремниевых фотодиодов (2023)
Выпуск:
Том 11 № 6 (2023)
Проведено сравнение распределений темновых токов, времени жизни неосновных носителей заряда и микродефектов, выявляемых селективным травлением. Показано, что основной причиной повышенных темновых токов и пониженной фото-чувствительности в кремниевых фотодиодах, изготовленных на кремнии n-типа, изготовленным методом Чохральского, являются генерационно-рекомбинационные процессы на мелких окисных преципитатах.
Л.Н. Курбатов – основатель отечественной школы полупроводниковой фотоэлектроники (к 100-летию со дня рождения) (2013)
Выпуск:
Том 1, №1 (2013)
Описан научный и жизненный путь видного русского и советского учёного-физика
Л.Н. Курбатова, по праву считающегося основателем отечественной школы полупроводниковой фотоэлектроники.