Статья: Микроструктурирование поверхности высокоомного монокристаллического кремния химическим травлением (2017)

Читать онлайн

В работе приведены результаты исследований воздействия различных способов травления на поверхность монокристаллического кремния ориентации (100) для получения фигур травления заданной конфигурации. Установлено что микроструктурирование поверхности высокоомного монокристаллического кремния в щелочных растворах целесообразно проводить электролитическими методами при температуре не менее 80 оС. Фигуры травления с более четкими боковыми гранями получаются в результате анизотропного травления при добавлении перекиси водорода.

Results of investigation of single-crystalline etching for surface microstructurization are presented in this article. It has been found that the surface microstructurization of a high-resistance silicon must be done by electrochemical methods at the temperature no less than 80 оC. Given surface figures are received in these processes.

Ключевые фразы: микроструктурирование поверхности, анизотропное травление, монокристаллический кремний
Автор (ы): Кашуба Алексей Сергеевич, Пермикина Елена Вячеславовна, Головин Сергей Вадимович, Лакманова Медина Рефатовна, Погожева Анна Владимировна
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
eLIBRARY ID
32265830
Для цитирования:
КАШУБА А. С., ПЕРМИКИНА Е. В., ГОЛОВИН С. В., ЛАКМАНОВА М. Р., ПОГОЖЕВА А. В. МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ВЫСОКООМНОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2017. ТОМ 5, №6
Текстовый фрагмент статьи