Обсуждаются возможности управления модовой структурой полупроводниковых лазеров различного типа и конструкции, в том числе в следующих условиях: подавление генерации на возбужденном оптическом переходе в лазерах на основе квантовых точек за счет модулированного p-легирования; стабилизация генерации на основной поперечной моде лазеров полосковой конструкции с оптически связанными волноводами; возможность реализации низкопороговой лазерной генерации на модах шепчущей галереи в инжекционных микролазерах дисковой геометрии с активной областью на основе квантовых точек, включая микродисковые лазеры, изготовленные из материалов А3В5, синтезированных на кремниевых подложках; управление выводом излучения и характером его пространственного распределения в микродисковых лазерах с помощью резонансных суб-волновых рассеивателей, например, таких как кремниевые наносферы.
Different methods for controlling the modal structure in diode lasers of various types and designs are discussed, including suppression of excited-state lasing in quantum dot lasers by means of modulation p-type doping; stabilization of fundamental transverse mode lasing in edge-emitting lasers with optically coupled cavities; possibility of achieving low-threshold lasing via whispering gallery modes in injection microlasers of disk geometry with quantum-dot based active region, including those grown on a silicon substrate; control of emission outcoupling and spatial distribution in microdisk lasers by means of resonant subwavelength scatterers, such as silicon nanospheres.
Идентификаторы и классификаторы
Таким образом, в настоящей работе рассмотрены различные способы управления модовой структурой лазеров и микролазеров. Было исследовано влияние модулированного легирования квантовых точек InAs/InGaAs примесью p-типа на поведение полосковых лазеров в режиме двухуровневой генерации – одновременного излучения с длинами волн, соответствующими основному и возбужденному оптическим переходам. Показано, что увеличение p-легирования (в диапазоне от 0 до 10 дырок на квантовую точку) ведет к росту плотности тока, соответствующего порогу двухуровневой генерации, и тока, при котором мощность, излучаемая на длине волны основного перехода, достигает своего максимального значения. Эта тенденция наиболее заметна в лазерных диодах с высоким уровнем потерь на вывод излучения. В диодах с малыми потерями существенное влияние оказывает снижение внешней дифференциальной эффективности, вызванное ростом внутренних потерь на свободных носителях. В результате, при больших концентрациях дырок имеет место примерно одинаковая мощности излучения ОС (7–8 кА/см2), нормированная на площадь активной области, независимо от уровня потерь.
Была исследована возможность подавления генерации на возбужденных поперечных модах в лазерах с расширенным волноводом с помощью дополнительного (пассивного) волновода, оптически связанного с основным (активным) волноводом. Подавление возбужденных мод связано с формированием композитных мод, для которых удаётся изменить пороговое усиление до величин, значительно превосходящих пороговое усиление для возбужденной моды в лазере традиционной конструкции. В результате, в лазерах с GaAs/AlGaAs волноводом толщиной 4,8 мкм наблюдается стабильная по току и по температуре лазерная генерация на фундаментальной поперечной моде с уменьшенной угловой расходимостью излучения 12 град.
Были исследованы микролазеры дисковой геометрии, изготовленные на основе синтезированных на кремниевых подложках лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs. Показано, что в таких микролазерах удается реализовать низкопороговую лазерную генерацию на одной из мод шепчущей галереи с длиной волны свыше 1,3 мкм. При этом пороговая плотность тока, а также добротность микрорезонатора соответствуют значениям, полученным в микролазерах на основе гетероструктур, синтезированных на GaAs. Наибольшая температура лазерной генерации составила 110 оС в импульсном режиме, что является наибольшим сообщенным на сегодня значением для микролазеров на основе КТ на кремнии. В непрерывном режиме генерация достигалась вплоть до 60 оС.
Были исследованы микродисковые лазеры, в которых селекция требуемой моды и вывод излучения осуществлялся с помощью диэлектрических наноантенн сферической формы. Показано, что при выборе размера наносферы и ее расположения на поверхности микрорезонатора, соответствующих резонансному связыванию наносфер с лазерной модой микрорезонатора, можно значительно увеличить выходную интенсивность и реализовать направленный вывод излучения из микролазера при сохранении низкого порога генерации и узких спектральных линий излучения.
Список литературы
1. Жуков А. Е., Максимов М. В., Ковш А. Р. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 10. С. 1249. EDN: RCQUTZ
2. Zhukov A. E., Kovsh A. R., Livshits D. A., Ustinov V. M., Alferov Zh. I. // Semiconductor Science and Technology. 2003. Vol. 18. No. 8. P. 774. EDN: LHSAUD
3. Markus A., Fiore A. // Physica Status Solidi (a). 2004. Vol. 201. P. 338.
4. Pietrzak A., Wenzel H., Erbert G., Tränkle G. // Optics Letters. 2008. Vol. 33. No. 19. P. 2188. EDN: MKKBTR
5. Gordeev N. Yu., Payusov A. S., Shernyakov Yu. M., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Kulagina M. M., Maximov M. V. // Optics. Letters. 2015. Vol. 40. No. 9. P. 2150. EDN: WNZQHB
6. Kato K., Tohmori Y. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2000. Vol. 6. No. 1. P. 4.
7. Ben Bakir B., Descos A., Olivier N., Bordel D., Grosse P., Augendre E., Fulbert L., Fedeli J.-M. // Optics Express. 2011. Vol. 19. No. 11. P. 10317.
8. Крыжановская Н. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. // Квантовая электроника. 2014. Т. 44. № 3. С. 189. EDN: SKPJWP
9. Ji H.-M., Yang T., Cao Y.-L., Xu P.-F., Gu Y.-X., Wang Z.-G. // Japanese Journal of Applied Physics. 2010. Vol. 49. No. 7R. P. 072103.
10. Gordeev N. Yu., Maximov M. V., Zhukov A. E. // Laser Physics. 2017. Vol. 27. No. 8. P. 86201. EDN: UXVLOP
11. Miah M. J., Kalosha V. P., Rosales R., Bimberg D. // Frontierrs of Optoelectronics. 2016. Vol. 9. No. 2. P. 225.
12. Kryzhanovskaya N. V., Moiseev E. I., Kudashova Yu. V., Zubov F. I., Lipovskii A. A., Kulagina M. M., Troshkov S. I., Zadiranov Yu. M., Livshits D. A., Maximov M. V., Zhukov A. E. // Electronics Letters. 2015. Vol. 51. No. 17. P. 1354. EDN: UFJLGX
13. Tang M., Chen S., Wu J., Jiang Q., Kennedy K., Jurczak P., Liao M., Beanland R., Seeds A. J., Liu H. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2016. Vol. 22. No. 19. P. 1900207. EDN: WSKEUP
14. Mao M.-H., Chien H.-C., Hong J.-Z., Cheng C.-Y. // Optics Express. 2011. Vol. 19. No. 15. P. 14145. EDN: OKQMAH
15. Крыжановская Н. В., Максимов М. В., Блохин С. А., Бобров М. А., Кулагина М. М., Трошков С. И., Задиранов Ю. М., Липовский А. А., Моисеев Э. И., Кудашова Ю. В., Лившиц Д. А., Устинов В. М., Жуков А. Е. // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 3. С. 393. EDN: VPSDCP
16. Munsch M., Claudon J., Malik N. S., Gilbert K., Grosse P., Gerard J.-M., Albert F., Langer F., Schlereth T., Pieczarka M. M., Hofling S., Kamp M., Forchel A., Reitzenstein S. // Applied Physics Letters. 2012. Vol. 100. No. 3. P. 031111.
17. Wan Y., Norman J., Li Q., Kennedy M. J., Liang D., Zhang C., Huang D., Liu A. Y., Torres A., Jung D., Gossard A. C., Hu E. L., Lau K. M., Bowers J. E. / CLEO: Applications and Technology, May 14-19, 2017, San Jose, CA, USA. P. JTh5C.3.
18. Moiseev E. I., Kryzhanovskaya N. V., Polubavkina Yu. S., Maximov M. V., Kulagina M. M., Zadiranov Yu. M., Lipovskii A. A., Mukhin I. S., Mozharov A. M., Komissarenko F. E., Sadrieva Z. F., Krasnok A. E., Bogdanov A. A., Lavrinenko A. V., Zhukov A. E. // ACS Photonics. 2017. Vol. 4. No. 2. P. 275. EDN: YVGTGN
19. Bohren K. F., Huffman D. R. Absorption and Scattering of Light by Small Particles. - Wiley-VCH Verlag, Weinheim, Germany, 1998.
1. A. E. Zhukov, M. V. Maximov, and A. R. Kovsh, Semiconductors 46 (10), 1225 (2012).
2. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, and Zh. I. Alferov, Semiconductor Science and Technology 18 (8) 774 (2003).
3. A. Markus and A. Fiore, Physica Status Solidi (a) 201, 338 (2004).
4. A. Pietrzak, H. Wenzel, G. Erbert, and G. Tränkle, Optics Letters 33 (19), 2188 (2008).
5. N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, Yu. M. Shernyakov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. M. Kulagina, and M. V. Maximov, Optics. Letters 40 (9), 2150 (2015).
6. K. Kato and Y. Tohmori, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6 (1), 4 (2000).
7. B. Ben Bakir, A. Descos, N. Olivier, D. Bordel, P. Grosse, E. Augendre, L. Fulbert, and J.-M. Fedeli, Optics Express 19 (11), 10317 (2011).
8. N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maximov, and A. E. Zhukov, Quantum Electronics 44 (3), 189 (2014).
9. H.-M. Ji, T. Yang, Y.-L. Cao, P.-F. Xu, Y.-X. Gu, and Z.-G. Wang, Japanese Journal of Applied Physics 49 (7R), 072103 (2010).
10. N. Yu. Gordeev, M. V. Maximov, and A. E. Zhukov, Laser Physics 27 (8), 86201 (2017).
11. M. J. Miah, V. P. Kalosha, R. Rosales, and D. Bimberg, Frontierrs of Optoelectronics 9 (2), 225 (2016).
12. N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, F. I. Zubov, A. A. Lipovskii, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, D. A. Livshits, M. V. Maximov, and A. E. Zhukov, Electronics Letters 51 (17), 1354 (2015).
13. M. Tang, S. Chen, J. Wu, Q. Jiang, K. Kennedy, P. Jurczak, M. Liao, R. Beanland, A. J. Seeds, and H. Liu, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 22 (19), 1900207 (2016).
14. M.-H. Mao, H.-C. Chien, J.-Z. Hong, and C.-Y. Cheng, Optics Express 19 (15), 14145 (2011).
15. N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maximov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, E. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, and A. E. Zhukov, Semiconductors 50 (3), 390 (2016).
16. M. Munsch, J. Claudon, N. S. Malik, K. Gilbert, P. Grosse, J.-M. Gerard, F. Albert, F. Langer, T. Schlereth, M. M. Pieczarka, S. Hofling, M. Kamp, A. Forchel, and S. Reitzenstein, Applied Physics Letters 100 (3), 031111 (2012).
17. Y. Wan, J. Norman, Q. Li, M. J. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, D. Huang, A. Y. Liu, A. Torres, D. Jung, A. C. Gossard, E. L. Hu, K. M. Lau, and J. E. Bowers, CLEO: Applications and Technology, (May 14–19, 2017, San Jose, CA, USA).
P. JTh5C.3.
18. E. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, Yu. S. Polubavkina, M. V. Maximov, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, I. S. Mukhin, A. M. Mozharov, F. E. Komissarenko, Z. F. Sadrieva, A. E. Krasnok, A. A. Bogdanov, A. V. Lavrinenko, and A. E. Zhukov, ACS Photonics 4 (2), 275 (2017).
19. K. F. Bohren and D. R. Huffman, Absorption and Scattering of Light by Small Particles (Wiley-VCH Verlag, Weinheim, Germany, 1998).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Бакшт Ф. Г., Лапшин В. Ф. Генерация видимого излучения с непрерывным спектром импульсно-периодическим разрядом высокого давления в цезии 525
Егоров В. К., Егоров Е. В. О некоторых особенностях рентгеновской нанофотоники на базе плоских рентгеновских волноводов-резонаторов 534
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Савкин К. П., Николаев А. Г., Окс Е. М., Юшков Г. Ю., Шандриков М. В. Нестационарные режимы тлеющего разряда в воздушной струе при атмосферном давлении 549
Бочарников В. М., Володин В. В., Голуб В. В. Плазменные струи, создаваемые диэлектрическим барьерным разрядом симметричного актуатора 559
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Полесский А. В. Структура методик измерения параметров инфракрасных и ультрафиолетовых фотоприемных устройств второго поколения 568
Козлов К. В., Соляков В. Н., Стрельцов В. А., Исаева О. Д., Савцов В. В., Жирихов Д. С. Анализ и классификация топологий матриц фоточувствительных элементов многорядных фотоприемных устройств 574
Кашуба А. С., Пермикина Е. В., Головин С. В., Лакманова М. Р., Погожева А. В. Микроструктурирование поверхности высокоомного монокристаллического кремния химическим травлением 585
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Соловьёва А. Е. Изменения структуры поликристаллического оксида иттрия при облучении ионами ксенона 591
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Гордеев Н. Ю., Кулагина М. М., Савельев А. В., Коренев В. В., Полубавкина Ю. С., Моисеев Э. И., Максимов М. В., Зубов Ф. И. Управление модовой структурой лазер-ных резонаторов и микрорезонаторов 598
Кобелев А. А., Андрианов Н. А., Хилькевич Е. М., Черноизюмская Т. В., Смирнов А. С. Многосеточные энергоанализаторы задерживающего потенциала для измерения функции распределения ионов по энергиям из плазмы высокочастотного емкостного разряда 608
Паринов Д. Г., Коротеев Г. А., Матюхин В. В., Татаринова Е. А. Влияние пространственных шумов на функцию передачи модуляции в цифровых рентгенологических системах 619
ИНФОРМАЦИЯ
XLV Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 626
Сводный перечень статей, опубликованных в журнале «Успехи прикладной физики» в 2017 г. 629
Правила для авторов 632
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
F. G. Baksht and V. F. Lapshin Generation of visible radiation with the continua spectrum in conditions of a pulse-periodical high pressure cesium discharge 525
V. K. Egorov and E. V. Egorov About peculiarities of X-ray nanophotonics on the base of the planar X-ray waveguide-resonators 534
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
K. P. Savkin, A. G. Nikolaev, Е. М. Oks, G. Yu. Yushkov, and М. V. Shandrikov Non-steady state modes of the atmospheric pressure glow discharge in air jet 549
V. M. Bocharnikov, V. V. Volodin, and V. V. Golub Synthetic jets produced by a dielectric barrier dis-charge of the symmetric actuator 559
PHOTOELECTRONICS
A. V. Polesskiy Organizational structure of measurement techniques for the IR and UV FPA of the sec-ond generation 568
K. V. Kozlov, V. N. Solyakov, V. A. Streltsov, O. D. Isaeva, V. V. Savtsov, and D. S. Zhirikhov Classifica-tion and analysis of the TDI FPA photosensitive elements matrixes 574
A. S. Kashuba, E. V. Permikina, S. V. Golovin, M. R. Lakmanova, and A. V. Pogozheva Investigation of single-crystalline etching for surface microstructurization 585
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
A. E. Solovyeva Modeling of the mechanism of changing the structure of polycrystalline yttrium oxide upon irradiation with xenon ions 591
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
A. Е. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, N. Yu. Gordeev, M. M. Kulagina, A. V. Savelyev, V. V. Korenev, Yu. S. Ploubavkina, E. I. Moiseev, M. V. Maximov, and F. I. Zubov Control of modal structure of laser cavities and micro-cavities 598
A. A. Kobelev, N. A. Andrianov, E. M. Khilkevitch, T. V. Chernoizyumskaya, and A. S. Smirnov Multi-grid retarding field energy analyzer for gas discharge diagnostics 608
D. G. Parinov, G. A. Koroteev, V. V. Matyukhin, and E. A. Tatarinova Influence of spatial noises on the MTF function in the digital radiological systems 619
INFORMATION
XLV International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thermonuclear Fusion 626
The summary list of the articles published in Uspekhi Prikladnoi Fiziki in 2017 629
Rules for authors 632
Другие статьи выпуска
Функция передачи модуляции (MTF) широко используется в медицинских рентгенологических исследованиях как один из эффективных критериев для сравнения детектирующих систем. В настоящей статье анализируется поведение функции MTF в зависимости от уровня и характера шума при больших пространственных частотах. Описан алгоритм вычисления MTF. Проведено моделирование различных типов пространственных шумов: белый шум, красный, синий, фиолетовый, сверточный шум и шум вида «соль перец». Отмечено, что в случае определенного распределения шумов возникает ситуация, что MTF становится чувствительной к спектру и уровню шума. Путем сравнения экспериментальных данных и данных, смоделированных для различных типов шумов, авторы пришли к выводу, что для практически важной части диапазона параметров существует возможность различения отдельных типов шумов, что впоследствии может быть использовано для идентификации источников шума.
Настоящая работа посвящена численному и экспериментальному исследованию влияния элементов конструкции энергоанализатора на разрешающую способность прибора при измерении функции распределения ионов по энергии, ускоренных в приэлектродном слое высокочастотного емкостного разряда. С помощью трехмерного численного моделирования движения заряженных частиц показано, что аппаратная функция прибора сильно зависит от взаимной ориентации ячеек сеток. Показано, что уширение энергетического спектра заряженных частиц в энергоанализаторе в большой мере зависит от величины провисания потенциала в ячейках анализирующей сетки. Приведены формулы для количественной оценки уширения энергетического спектра заряженных частиц для энергоанализаторов, в которых используются сетки с квадратными или шестиугольными ячейками.
Проведено рентгеновское исследование структуры оксида иттрия после облучения ионами ксенона с энергиями 140 и 300 кэВ. Обнаружено, что облучение ионами ксенона приводит к изменению химического состава оксида иттрия и увеличению отражательной интенсивности рентгеновских линий основной структуры оксида. Рентгеновским методом определена концентрация ионов ксенона, растворенная по глубине образца, в зависимости от энергии облучения. Обнаружено, что концентрация ионов ксенона влияет на изменение интенсивности рентгеновских отражений и уменьшение параметров элементарной ячейки оксида иттрия в зависимости от энергии облучения. Показана структурная модель растворения ионов ксенона в решетке оксида иттрия, которая объясняет образование ионной связи ксенона с атомами иттрия, кислорода и анионными вакансиями. Ионная связь атомов оксида иттрия с ионами ксенона возникает при торможении их по глубине образца оксида иттрия и приводит к образованию твердого раствора внедрения на основе оксида иттрия. Приведена математическая модель, которая объясняет увеличение отражательной рентгеновской интенсивности линий оксида иттрия.
В работе приведены результаты исследований воздействия различных способов травления на поверхность монокристаллического кремния ориентации (100) для получения фигур травления заданной конфигурации. Установлено что микроструктурирование поверхности высокоомного монокристаллического кремния в щелочных растворах целесообразно проводить электролитическими методами при температуре не менее 80 оС. Фигуры травления с более четкими боковыми гранями получаются в результате анизотропного травления при добавлении перекиси водорода.
В данной работе представлена классификация и проведен сравнительный анализ топологий матриц фоточувствительных элементов (МФЧЭ) многорядных матричных фотоприемных устройств (ФПУ) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН) для инфракрасных (ИК) односпектральных оптико-электронных систем (ОЭС) с линейным однокоординатным сканированием. Предложен новый тип топологий МФЧЭ с «вложенными субматрицами», позволяющий снизить требования к юстировке ОЭС с одновременным обеспечением высоких пороговых характеристик. Рассчитаны требования к точности юстировки ОЭС со сканированием в зависимости от типа и параметров топологии МФЧЭ. Предложены топология МФЧЭ и новый способ комбинированного ВЗНсуммирования, позволяющие улучшить пороговые характеристики ОЭС на основе аналоговых КМОП-регистров ВЗН при сохранении суммарной емкости схемы ВЗН-суммирования. Предложен метод расчета требований к устройству, сканирующему ОЭС при использовании ФПУ с многосубматричной топологией МФЧЭ. Рассчитаны амплитуды сигналов на выходе ОЭС после процедуры согласованного суммирования в зависимости от степени рассинхронизации процессов сканирования и ВЗН-суммирования.
Фотоприемные устройства (ФПУ) второго поколения – это твердотельные многоэлементные фотоприемные устройства с большой интегральной схемой считывания (с топологией в виде матриц или линеек, работающих в режиме временной задержки накопления (ВЗН)). В настоящее время ФПУ второго поколения активно используются в различных отраслях техники и оптико-электронных приборах. В России проводятся работы по стандартизации методик измерения, которые приведут к созданию Государственного стандарта. В статье приведены предложения по организации стандарта измерения параметров ФПУ второго поколения и перечень методик, которые в него должны входить. Также приведены входные и выходные метрологические параметры для каждой методики измерения, которые должны быть нормированы. На основе этих входных и выходных параметров должен проводиться расчет погрешностей измерения.
Симметричный актуатор на диэлектрическом барьерном разряде создает плазменную струю, направленную перпендикулярно его поверхности. Тяга подобной струи, часто называемой синтетической, зависит от ряда геометрических и электрических параметров. Получена зависимость погонной тяги от расстояния между внешними электродами при различных напряжениях. Исследовано влияние материала электродов на величину погонной тяги. Проведено сравнение зависимостей погонной тяги от расстояния между внешними электродами для меди, алюминия, никеля и титана. Обнаружено, что геометрическая форма внешних электродов симметричного актуатора существенно влияет на величину погонной тяги.
Представлены результаты исследования вольт-амперной характеристики и оптических спектров тлеющего разряда атмосферного давления, функционирующего в воздушной струе с расходом до 1 л/мин. Показано, что в диапазоне токов до 100 мА и при средней мощности разряда до 50 Вт наблюдаются колебания напряжения и тока с периодом около 200 мкс, обусловленные перемещением по поверхностям электродов и изменением протяженности положительного столба разряда в потоке воздуха. В диапазоне токов от 100 до 200 мА, на фоне практически постоянного напряжения горения около 600 В, наблюдаются спонтанные переходы к режиму разряда с достаточно низким, на уровне 100 В, напряжением горения и временем жизни от нескольких сотен микросекунд, до нескольких секунд. Основной причиной появления и прекращения этого нестационарного низковольтного режима является нагрев локальных участков электродов разрядной системы в области катодного и анодного свечений до температуры плавления их материала и последующее охлаждение в результате его испарения. При токах разряда более 800 мА наблюдается появление катодных пятен и переход разряда в дуговую форму.
В работе кратко описано явление полного внешнего отражения (ПВО) потоков квазимонохроматического рентгеновского излучения на материальном интерфейсе, эффект волноводно-резонансного распространения этих потоков в наноразмерных протяженных щелевых зазорах, а также устройство, функционирующее на базе этого эффекта: плоский рентгеновский волновод-резонатор (ПРВР). Представлены экспериментальные данные по формированию потока рентгеновских лучей составным плоским волноводом-резонатором (СПРВР) и предложена модель, описывающая снижение угловой расходимости формируемого им потока без уменьшения его интегральной интенсивности. Модель основана на концепции явления частичного углового туннелирования радиационного потока в промежутке между двумя последовательно установленными и взаимно сьюстированными волноводами-резонаторами. Явление туннелирования реализуется вследствие взаимодействия интерференционных полей стоячих рентгеновских волн, возбужденных излучением, транспортируемым щелевыми зазорами этих волноводов-резонаторов.
Выполнено моделирование импульсно-периодического излучающего разряда высокого давления в цезии в рамках двухтемпературной многожидкостной радиационной газодинамики. Показано, что исследуемый разряд позволяет создавать плазму при значениях давления 200–800 Торр и температуры 6000 К, интенсивно излучающую свет с непрерывным спектром. Установлено, что для эффективной генерации видимого излучения газоразрядный объём должен быть заполнен однородной плазмой, оптическая толщина которой имеет значение порядка единицы. Выявлены механизмы формирования видимого спектра разряда. Выполнен расчёт баланса энергии разряда. Показано, что в оптимальных режимах разряд излучает до 95 % вложенной в него электрической энергии. При этом доля видимого излучения в спектре разряда достигает 58 %.
Статистика статьи
Статистика просмотров за 2026 год.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400