Авторами исследовалась возможность подавления раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs. Для этого использовалась структура с заглубленной центральной частью и мелкой периферией, созданная путем жидкостного химического травления с последующей одностадийной диффузией цинка. Определены скорость травления эпитаксиального InP в различных травителях. Подобран состав травителя и оптимальные режимы его использования. В результате использования жидкостного химического травления верхнего эпитаксиального слоя InP в смеси кислот HCl: HNO3: H3PO4 и одностадийной диффузии Zn была получена конфигурация p–n-перехода с заглубленной на 0,5 мкм центральной областью и мелкой периферией (охранным кольцом) на глубине 1,3 мкм. Таким образом, в результате исследования была показана возможность использования описанного метода для предотвращения раннего краевого пробоя в лавинном фотодиоде на основе гетероструктуры InP/InGaAs, особенно для производства коммерческих ЛФД.
The authors have investigated the possibility of early edge breakdown suppression in the planar avalanche photodiodes based on the InP/InGaAs heteroepitaxial structures. For this purpose, a structure with sunken central and shallow peripherical areas was used, made by wet chemical etching with subsequent one-step zinc diffusion. An epitaxial InP etching rate was determined for various etching agents. The etching agent composition and modes of use have been chosen. Upon wet chemical etching of the InP upper epitaxial layer in the HCl: HNO3: H3PO4 acid mixture and onestep Zn diffusion, a p-n junction configuration was produced with the 0.5 deep sunk central area and the 1.3 m deep shallow peripherical area (the guard ring). So, the fulfilled investigation demonstrates the possibility of applying of the described method for preventing the early edge breakdown in the avalanche photodiodes based on InP/InGaAs, especially for commercial production of avalanche photodiodes.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 27637673
Проведенные в работе исследования позволили выбрать состав, концентрацию и режимы работы кислотного травителя HCl: HNO3: H3PO4 = 3:7:5 для получения структуры с охранным кольцом в виде заглубленной центральной области и мелкой периферией с целью подавления раннего краевого пробоя планарного лавинного диода. Разница в напряжениях пробоя активной области и охранного кольца составила в среднем 10 В при глубине травления умножающего слоя InP 0,5 мкм. Простота данного способа, не требующего специального, дорогостоящего оборудования, делает его особенно привлекательным для производства коммерческих ЛФД на основе InGaAs/InP.
Список литературы
1. Tarof L. E., Bruce R., Knight D. G., Yu J., Kim H. B., and Baird T. // IEEE Photonics Technology Letters. 1995. Vol. 7. No. 11.
2. Sungmin Hwang, Jongin Shim, and Kyungyul Yoo // Journal of the Korean Physical Society. 2006. Vol. 49. No. 1. P. 253.
3. LI Bin, YANG Huai-Wei, GUI Qiang, YANG Xiao-Hong, WANG Jie, WANG Xiu-Ping, LIU Shao-Qing, HAN Qin // Chin. Phys. Lett. 2012. Vol. 29. No. 11.
4. Bongyong Leea, Hongil Yoona, Kyung Sook Hyunb, Yong Hwan Kwonc, Ilgu Yuna // Microelectronics Journal. 2004. Vol. 35. P. 635.
5. Kyung-Sook Hyun, Youngmi Paek, Yong-Hwan Kwona, Ilgu Yunb, and El-Hang Leec // Proceedings of SPIE. 2003. Vol. 4999.
6. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. - М.: Высшая школа, 1984. EDN: WMVGBR
7. Андреев Д. С., Гришина Т. Н., Мищенкова Т. Н., Тришенков М. А., Чинарева И. В. // Прикладная физика. 2014. № 4. С. 90. EDN: STKXEZ
8. Clawson A. R. Guide to references on III-V semiconductor chemical etching. - Materials Science and Engineering, 2001.
9. Bandaruz P. and Yablonovitch E. // Journal of the Electrochemical Society. 2002. Vol. 149. No. 11. P. G599.
10. Гладков В. М., Нагиев В. А., Рзаев Ф. Р. // Обзор по ЭТ. 1974. Вып. 10. С. 243.
1. L. E. Tarof, R. Bruce, D. G. Knight, J. Yu, H. B. Kim, and T. Baird, IEEE Photonics Technology Letters 7 (11), (1995).
2. Sungmin Hwang, Jongin Shim, and Kyungyul Yoo, Journal of the Korean Physical Society 49 (1), 253 (2006).
3. LI Bin, YANG Huai-Wei, GUI Qiang, YANG Xiao-Hong, WANG Jie, WANG Xiu-Ping, LIU Shao-Qing, and HAN Qin, Chin. Phys. Lett. 29 (11), (2012).
4. Bongyong Leea, Hongil Yoona, Kyung Sook Hyunb, Yong Hwan Kwonc,and Ilgu Yuna, Microelectronics Journal 35, 635 (2004).
5. Kyung-Sook Hyun, Youngmi Paek, Yong-Hwan Kwona, Ilgu Yunb, and El-Hang Leec, Proc. SPIE 4999, (2002).
6. I. G. Pichugin and Yu. M. Tairov, Technology of Semiconductors Devices (Vyshshaya Shkola, Moscow, 1984) [in Russian].
7. D. S. Andreev, T. N. Grishina, T. N. Mishchenkova, M. A. Trishenlov, and I. V. Chinareva, Prikl. Fiz., No. 4, 90 (2014).
8. A. R. Clawson, Guide to references on III-V semiconductor chemical etching (Materials Science and Engineering, 2001).
9. P. Bandaruz and E.Yablonovitch, Journal of the Electrochemical Society 149 (11), G599 (2002).
10. V. M. Gladkov, V. A. Nagiev, and F. R. Rzaev, Obzor ET, No. 10, 243 (1974).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Верещагин К. А., Козлов Д. Н., Смирнов В. В., Фабелинский В. И. Диагностика метано-кислородного пламени при высоких давлениях с использованием когерентного антистоксова рассеяния света 543
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Шахатов В. А., Лебедев Ю. А. Анализ данных по сечениям возбуждения электронных состояний и ионизации атома водорода электронным ударом (обзор) 553
Гребенщиков С. Е., Терещенко М. А. Влияние радиальных электрических полей на дрейфовые траектории частиц в плазме стелларатора Л-2М 568
Йулдашев Х. Т., Хайдаров З., Касымов Ш. С. Исследование процессов усиления тока в газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом 580
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Балиев Д. Л., Болтарь К. О. Методы оптимизации напряжения смещения фотодиодов в матричных ИК-фотоприемных устройствах 588
Будтолаев А. К., Гришина Т. Н., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В. Формирование охранного кольца лавинного фотодиода на основе гетероструктуры InGaAs/InP 593
Дубов В. Л., Фомин Д. В. BaSi2 — перспективный материал для фотоэлектрических преобразователей (обзор) 599
Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Иродов Н. А., Климанов Е. А. Матричные лавинные фотодиоды на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InAlAs/InP с разделенными областями поглощения и умножения 606
Кашуба А. С., Пермикина Е. В. Исследование эпитаксиальных гетероструктур CdхHg1-хТе методами травления 613
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Телегин А. М. Детектор высокоскоростных микрочастиц на основе ионизационного принципа измерения 618
Волков А. Д. Исследование характеристик сварных строу трубок в вакууме 626
ИНФОРМАЦИЯ
Сводный перечень статей, опубликованных в журнале «Успехи прикладной физики» в 2016 г. 633
Правила для авторов 636
XLIV Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 639
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
K. A. Vereschagin, D. N. Kozlov, V. V. Smirnov, and V. I. Fabelinsky Diagnostics of methane-oxygen flame at high pressures using coherent anti-Stokes Raman scattering 543
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
V. A. Shakhatov and Yu. A. Lebedev Analysis of the data on cross sections of excitation of electronic states and ionization of hydrogen atom by electron impact (a review) 553
S. E. Grebenshchikov and M. A. Tereshchenko Effects of radial electric fields on particle drift orbits in L-2M stellarator plasmas 568
Kh. T. Yuldashev, Z. Khaydarov, and Sh. S. Kasymov Study of processes of magnifying in a gas discharge cell with the semiconductor electrode 580
PHOTOELECTRONICS
D. L. Baliev and K. O. Boltar Methods for photodiodes bias voltage optimization in scanning and staring FPA’s 588
A. K. Budlotaev, T. N. Grishina, P. E. Khakuashev, and I. V. Chinaryova Method of guard ring forming in the avalanche photodiodes based on the InGaAs/InP heterostructure 593
V. L. Dubov and D. V. Fomin BaSi2 is a promising material for photovoltaic cells (review) 599
N. I. Iakovleva, K. O. Boltar, N. A. Irodov, and E. A. Klimanov An avalanche photodiode array based on the InGaAs heterostructures with separated absorption and multiplication layers 606
A. S. Kashuba and E. V. Permikina The investigation of the CdхHg1-хTe multilayered structures by etching techniques 613
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
A. M. Telegin A detector of high-speed microparticles on the basis of the ionization principle of measurements 618
A. D. Volkov Behavior of welded straws in vacuum 626
INFORMATION
The summary list of the articles published in Uspekhi Prikladnoi Fiziki in 2016 633
Rules for authors 636
XLIV International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thernomuclear Fusion 639
Другие статьи выпуска
В работе рассмотрена возможность работы сварных строу трубок в условиях вакуума. Поведение строу в вакууме рассматривается в рамках теории цилиндрических оболочек. Приведено решение уравнения равновесного состояния строу, описывающее её поведение при действии предварительного натяжения и перепада давления. Решение показывает, что вращение самоподдерживающихся строу происходит за счет момента, действующего на незакрепленные концы. Сделана оценка деформации преднатянутой строу под действием давления. Её натяжение уменьшается пропорционально перепаду давления и коэффициенту Пуассона. Рассмотрено влияние температуры и скорости деформации на механические свойства строу. Указан оптимальный температурный режим для долговременной работы строу в эксперименте.
Описана конструкция детектора высокоскоростных микрочастиц на основе ионизационного принципа измерения. Приведены методика проведения эксперимента и результаты проведенных экспериментов. В частности, в диапазоне скоростей частиц 5002500 м/с минимальные величины сигналов с указанного типа приемника находятся на уровне шумов как 2 к 1, что затрудняет анализ характеристик объекта исследования. Эксперименты по регистрации зарядов при ударе соответствуют расчетным результатам поверхностной ионизации. Минимально регистрируемые заряды ионов находятся на уровне 10-1410-15 Кл. Чувствительность детектора зависит от емкости приемника ионов и свойств мишени. Увеличение входной емкости детектора приводит к снижению уровню входных помех, при этом уменьшается коэффициент усиления входной цепи.
Представлены способы выявления дислокаций в эпитаксиальных слоях гетероструктур теллурида кадмия-ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Путем поочередного селективного и полирующего травления обнаружены краевые дислокации, дислокации смешанного типа с винтовой составляющей и дислокационные петли. Полирующее травление позволило выявить скопление примесей в ГЭС КРТ МЛЭ на границах двойникования. При помощи селективного травления исследованы распределения плотности дислокаций на участках поверхности ГЭС КРТ МЛЭ и определена плотность дислокаций в слоях, которая на разных образцах составила от 3106 до 8106 на один квадратный сантиметр.
Проанализированы особенности построения архитектур лавинных фотодиодов с разделенными областями поглощения (InGaAs) и умножения (InAlAs). Рассмотрены две архитектуры: p+–M–с–i–n+ и p+–i–с–M–n+-типа, реализованные в гетероструктурах (ГЭС) InGaAs/InAlAs/InP. Обязательными для каждой архитектуры являлись три основных слоя: поглощающий (i), зарядовый (c) и умножающий (М). На основе данных ГЭС InGaAs/InAlAs/InP, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ), формировались матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ). Исследования вольтамперных характеристик лавинных элементов в матрицах позволило рассчитать коэффициенты умножения фототока, которые в диапазоне обратных напряжений смещения U = 8—14 В изменялись от 1 до 18—25.
В данном обзоре обобщены основные результаты теоретических и экспериментальных работ, посвященных методам формирования и исследованию свойств низкоразмерных структур BaSi2 на кремнии. Данный дисилицид в силу своих оптических свойств, фотовольтаических характеристик и устойчивости к воздействию атмосферного воздуха признается целым рядом исследователей как перспективный материал для фотопреобразователей солнечных батарей. В результате обзора можно сделать выводы о том, что непрямому переходу BaSi2 соответствуют энергии в 0,83—1,1 эВ, а прямому — 1,23—1,3 эВ, максимальная концентрация зарядов в дисилициде бария с примесью бора — 1020 см-3, а максимальной подвижностью носителей заряда 1000 см2·В−1·с−1. Наибольшее значение КПД обнаружено у тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей на основе структур p-BaSi2/n-Si, которое на данный момент составляет 9—10 %. Отдельно отмечена сложность выполняемых работ при формировании BaSi2. При этом наличие примеси в сформированных образцах может существенно повлиять на их свойства как в положительную, так и отрицательную стороны. В настоящее время активно идет поиск методов формирования данного дисилицида с заданными свойствами, о чем также говориться в статье.
Исследованы методы оптимизации напряжения смещения фотодиодов многорядных и матричных фотоприемных устройств для получения максимального соотношения сигнал/шум или получения минимального количества неработоспособных фотодиодов. Методы основаны на анализе зависимости дифференциального сопротивления фотодиодов от напряжения смещения, построенной по измеренным вольт-амперным характеристикам фотодиодов. Представлено применение методов для оптимизации напряжения смещения фотодиодов в многорядном фотоприемнике формата 6576 на основе КРТ длинноволнового диапазона спектра. Оптимизацию напряжения смещения фотодиодов с использованием данных методов можно проводить в автономном режиме без участия человека.
Рассмотрены возможные эффекты усиления тока плазмы, управляемой освещенным полупроводником, при использовании сеточных металлических электродов. Экспериментально изучены вольт-амперные характеристики ионизационных систем с сеточным усилением в непрерывном режиме работы и показано, что работоспособность системы сохраняется, а чувствительность улучшается в 8—10 раз.
Приведены результаты численного моделирования дрейфовых траекторий частиц в стеллараторе Л-2М с помощью разработанного в ИОФ РАН нового компьютерного кода «TRAZ». Код осуществляет интегрирование уравнения дрейфового движения частицы с учетом влияния на их движение возникающих в плазме радиальных электрических полей. Моделирование показало, что радиальное электрическое поле существенно меняет траектории движения частиц в стеллараторе. Установлены зоны параметров соотношений продольной и поперечной скоростей частиц (по отношению к магнитному полю), в которых характеристики дрейфовых траекторий качественно меняются при изменении знака продольной скорости.
Представлен обзор сечений ионизации, возбуждения и девозбуждения атома водорода, полученных как в экспериментах, так и расчетным путем. Определен набор сечений, который требуется использовать при расчете функции распределения электронов по энергиям и определении уровневых коэффициентов скоростей, необходимых при решении балансных уравнений для концентраций нейтральных и заряженных частиц в водородной плазме.
Методом спектроскопии когерентного антистоксова рассеяния света (КАРС) измерены распределения температур и относительных концентраций компонентов реагирующей рабочей смеси в турбулентном пламени метано-кислородной горелки непрерывного действия при давлениях до 1,2 МПа и различных коэффициентах избытка топлива. Обсуждаются возможности, особенности и ограничения нелинейно-оптической лазерной спектроскопической диагностики углеводородных пламен при высоких давлениях.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400