Авторами исследовалась возможность подавления раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs. Для этого использовалась структура с заглубленной центральной частью и мелкой периферией, созданная путем жидкостного химического травления с последующей одностадийной диффузией цинка. Определены скорость травления эпитаксиального InP в различных травителях. Подобран состав травителя и оптимальные режимы его использования. В результате использования жидкостного химического травления верхнего эпитаксиального слоя InP в смеси кислот HCl: HNO3: H3PO4 и одностадийной диффузии Zn была получена конфигурация p–n-перехода с заглубленной на 0,5 мкм центральной областью и мелкой периферией (охранным кольцом) на глубине 1,3 мкм. Таким образом, в результате исследования была показана возможность использования описанного метода для предотвращения раннего краевого пробоя в лавинном фотодиоде на основе гетероструктуры InP/InGaAs, особенно для производства коммерческих ЛФД.
The authors have investigated the possibility of early edge breakdown suppression in the planar avalanche photodiodes based on the InP/InGaAs heteroepitaxial structures. For this purpose, a structure with sunken central and shallow peripherical areas was used, made by wet chemical etching with subsequent one-step zinc diffusion. An epitaxial InP etching rate was determined for various etching agents. The etching agent composition and modes of use have been chosen. Upon wet chemical etching of the InP upper epitaxial layer in the HCl: HNO3: H3PO4 acid mixture and onestep Zn diffusion, a p-n junction configuration was produced with the 0.5 deep sunk central area and the 1.3 m deep shallow peripherical area (the guard ring). So, the fulfilled investigation demonstrates the possibility of applying of the described method for preventing the early edge breakdown in the avalanche photodiodes based on InP/InGaAs, especially for commercial production of avalanche photodiodes.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 27637673