Статья: Формирование охранного кольца лавинного фотодиода на основе гетероструктуры InGaAs/InP (2016)

Читать онлайн

Авторами исследовалась возможность подавления раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs. Для этого использовалась структура с заглубленной центральной частью и мелкой периферией, созданная путем жидкостного химического травления с последующей одностадийной диффузией цинка. Определены скорость травления эпитаксиального InP в различных травителях. Подобран состав травителя и оптимальные режимы его использования. В результате использования жидкостного химического травления верхнего эпитаксиального слоя InP в смеси кислот HCl: HNO3: H3PO4 и одностадийной диффузии Zn была получена конфигурация p–n-перехода с заглубленной на 0,5 мкм центральной областью и мелкой периферией (охранным кольцом) на глубине 1,3 мкм. Таким образом, в результате исследования была показана возможность использования описанного метода для предотвращения раннего краевого пробоя в лавинном фотодиоде на основе гетероструктуры InP/InGaAs, особенно для производства коммерческих ЛФД.

The authors have investigated the possibility of early edge breakdown suppression in the planar avalanche photodiodes based on the InP/InGaAs heteroepitaxial structures. For this purpose, a structure with sunken central and shallow peripherical areas was used, made by wet chemical etching with subsequent one-step zinc diffusion. An epitaxial InP etching rate was determined for various etching agents. The etching agent composition and modes of use have been chosen. Upon wet chemical etching of the InP upper epitaxial layer in the HCl: HNO3: H3PO4 acid mixture and onestep Zn diffusion, a p-n junction configuration was produced with the 0.5 deep sunk central area and the 1.3 m deep shallow peripherical area (the guard ring). So, the fulfilled investigation demonstrates the possibility of applying of the described method for preventing the early edge breakdown in the avalanche photodiodes based on InP/InGaAs, especially for commercial production of avalanche photodiodes.

Ключевые фразы: планарный лавинный фотодиод, гетероструктура, ingaasinp, жидкостное химическое травление, травитель, глубина p–n-перехода, вольт-амперные характеристики
Автор (ы): Будтолаев Андрей Константинович, Гришина Татьяна Николаевна, Хакуашев Павел Евгеньевич, Чинарева Инна Викторовна
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
621.383. Фотоэлектроника
eLIBRARY ID
27637673
Для цитирования:
БУДТОЛАЕВ А. К., ГРИШИНА Т. Н., ХАКУАШЕВ П. Е., ЧИНАРЕВА И. В. ФОРМИРОВАНИЕ ОХРАННОГО КОЛЬЦА ЛАВИННОГО ФОТОДИОДА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ INGAAS/INP // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2016. ТОМ 4, №6
Текстовый фрагмент статьи