Статья: Матричные лавинные фотодиоды на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InAlAs/InP с разделенными областями поглощения и умножения (2016)

Читать онлайн

Проанализированы особенности построения архитектур лавинных фотодиодов с разделенными областями поглощения (InGaAs) и умножения (InAlAs). Рассмотрены две архитектуры: p+–M–с–i–n+ и p+–i–с–M–n+-типа, реализованные в гетероструктурах (ГЭС) InGaAs/InAlAs/InP. Обязательными для каждой архитектуры являлись три основных слоя: поглощающий (i), зарядовый (c) и умножающий (М). На основе данных ГЭС InGaAs/InAlAs/InP, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ), формировались матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ). Исследования вольтамперных характеристик лавинных элементов в матрицах позволило рассчитать коэффициенты умножения фототока, которые в диапазоне обратных напряжений смещения U = 8—14 В изменялись от 1 до 18—25.

The features of a heterostructure and operating conditions for avalanche photodiode arrays (APAs) with an absorption region and a multiplication region separated by a charge layer (SACM structures) have been reported. The spatial separation of the absorption and multiplication functions allows maintaining a low electric field in the narrower bandgap absorber while creating a sufficiently high electric field in the multiplication region. The doped «charge» layer between the absorption and multiplication regions allows for more flexible tailoring of the internal electric field profile, along with the associated avalanche process. Two main structures p+–N–с–i–n+- and p+–i–с–P–n+-types with multiplication processes have been considered, and both of InGaAs/InAlAs heterostructures were formed by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) on n+-type InP substrates. The current-voltage characteristics of SACM avalanche photodiodes have been measured to estimate the multiplication factors under revers bias witch changed from 1 to 25 within the range of revers bias 8—14 V.

Ключевые фразы: InGaAs, inp, коротковолновый инфракрасный спектральный диапазон, SWIR, гетероэпитаксиальные структуры ingaasinalas, ГЭС, лавинные структуры с разделенными слоями умножения и поглощения, матрицы лавинных фотодиодов, ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Автор (ы): Яковлева Наталья Ивановна, Болтарь Константин Олегович, Иродов Никита Александрович, Климанов Евгений Алексеевич
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
eLIBRARY ID
27637675
Для цитирования:
ЯКОВЛЕВА Н. И., БОЛТАРЬ К., ИРОДОВ Н. А., КЛИМАНОВ Е. А. МАТРИЧНЫЕ ЛАВИННЫЕ ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР INGAAS/INALAS/INP С РАЗДЕЛЕННЫМИ ОБЛАСТЯМИ ПОГЛОЩЕНИЯ И УМНОЖЕНИЯ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2016. ТОМ 4, №6
Текстовый фрагмент статьи