Представлены способы выявления дислокаций в эпитаксиальных слоях гетероструктур теллурида кадмия-ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Путем поочередного селективного и полирующего травления обнаружены краевые дислокации, дислокации смешанного типа с винтовой составляющей и дислокационные петли. Полирующее травление позволило выявить скопление примесей в ГЭС КРТ МЛЭ на границах двойникования. При помощи селективного травления исследованы распределения плотности дислокаций на участках поверхности ГЭС КРТ МЛЭ и определена плотность дислокаций в слоях, которая на разных образцах составила от 3106 до 8106 на один квадратный сантиметр.
Consideration is given to ways to identify dislocations in the epitaxial mercury cadmium telluride heterostructures grown by the molecular beam epitaxy. The edge dislocations, the dislocation of the mixed type with a screw component and dislocation loops have been detected by alternately selective etching and polishing. Accumulation of impurities in MCT MBE on the borders of the twinning has been revealed by the polishing etching. A distribution of the dislocation density in the areas of the HgCdTe MBE surface has been investigated with selective etching. The densities of dislocations in the layers have been determined. Their values are different for samples and vary from 3106 to 8106 cm-2.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 27637676