Работа посвящена изучению возможности применения метода плазмохимического синтеза поликристаллических алмазных плёнок в плазме факельного СВЧ-разряда при атмосферном давлении для покрытия рабочей поверхности твердосплавных режущих инструментов с целью увеличения их износостойкости. Режущий инструмент из поликристаллических алмазов находит применение, прежде всего, в станкостроении, автомобильном и сельскохозяйственном машиностроении, авиастроении при точении цветных металлов, титановых, абразивных алюминиевых сплавов, керамических и композиционных материалов. Лучший способ повысить прочность и устойчивость к износу твердосплавных режущих инструментов состоит в том, чтобы на поверхность твердосплавных или PDC-режущих вставок дополнительно нанести монолитный поликристаллический CVD-алмазный слой. Непосредственному нанесению поликристаллического алмазного слоя на поверхность резцов с хорошей адгезией мешает наличие кобальта, цементирующего режущие инструменты. Обсуждаются вопросов выбора лучшего материала и технологии создания изолирующего слоя между алмазом и твердым сплавом и технологии последующего осаждения на него алмазного покрытия в плазме СВЧ-факела.
The paper studies the possibility of applying the CVD method of plasma chemical synthesis of polycrystalline diamond films in plasma of the microwave torch discharge under atmospheric pressure to cover the working surface of carbide cutting tools to increase their durability. Cutting tool of polycrystalline diamond is used primarily in machine tool, automotive and agricultural machinery, aircraft for turning non-ferrous metals, titanium, abrasive aluminum alloys, ceramic and composite materials. The best way to increase the strength and wear resistance of cemented carbide cutting tools is that the surface of the cemented carbide or PDC cutting inserts should be covered with monolithic polycrystalline CVD-diamond layer. Direct coating of polycrystalline diamond layer on the surface of the cutters with a good adhesion prevents the presence of cobalt in cemented carbide tools. The choice of the best material and technology of the insulating layer between diamond and hard alloy and subsequent deposition of the diamond coating in microwave plasma torch are treated.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 537.5. Электронные и ионные явления. Разряды. Плазма. Излучения
621.921. Абразивы. Шлифующие и полирующие материалы - eLIBRARY ID
- 22490183
Написание работы дало возможность рассмотреть проблему упрочнения твердосплавных инструментов сверхтвердым поликристаллическим алмазным покрытием, осаждаемым методом MPACVD в факельном СВЧ-разряде. Главным здесь является вопрос выбора материала для буферного слоя, задача которого обеспечить высокую адгезию алмазного покрытия с твердосплавной подложкой, которая могла бы выдерживать изменения рабочей температуры режущего инструмента в требуемых пределах. Вторая не менее важная задача состоит в том, чтобы найти оптимальное сочетание толщины буферного слоя и его микропрофиля с толщиной полиалмазного покрытия, чтобы снизить внутренние напряжения в инструменте, способные привести к его разрушению.
Итак, MPACVD-технология перспективна для осаждения поликристаллических алмазных покрытий режущих твердосплавных инструментов, цементированных кобальтом, включая буровые PDC-резцы, при условии создания на их рабочей поверхности буферного подслоя, препятствующего контакту алмаза с цементирующей связкой, содержащейся в твердых сплавах и PDC, которая изза присутствия в ней кобальта приводит к термической деструкции этих инструментов в условиях высоких нагрузок и температур и, в конечном счете,- к ускоренному износу инструмента.
В качестве предпочтительного материала для создания буферного слоя на передний план выходит вольфрам и его карбиды, которые способны создать надёжный барьер для кобальта и обеспечить наилучшую адгезию алмазного покрытия.
Использование факельного СВЧ-разряда для осаждения полиалмазных покрытий на твердосплавные вставки в инструмент и на буровые PDC-резцы может стать перспективным технологическим решением, благодаря снижению стоимости оборудования, не требующего вакуумной системы откачки, и использующего серийные магнетроны бытовых микроволновых печей с мощностью не более 1 кВт. Использование технических рабочих газов (аргона, применяемого для аргоно-дуговой сварки и технического водорода) также позволяет снизить себестоимость производства алмазных покрытий и при этом получить полиалмазные покрытия удовлетворительного качества.
Применение чистых аргона и водорода экономически стает оправданным в случае оснащения CVD-процесса оборудованием рекуперации газов, позволяющим многократно использовать эти газы, поскольку они не расходуются.
Следует отметить, что MPACVD-технология алмаза не даёт вредных выбросов в окружающую среду и может широко использоваться не только в области инструментального производства в машиностроении, но также может использоваться в прикладных задачах, связанных, например, с медицинскими инструментами.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Список литературы
1. Handbook of Carbon, Graphite, Diamond and Fullerenes (Properties, Processing and Applications) by H.O. Pierson, Noyes Publications, Park Ridge, New Jersey, USA.
2. Ральченко В., Конов В. // Электроника: Наука, технологии, бизнес. 2007. № 4. C. 58. EDN: NXAPVR
3. Дигонский В. В., Дигонский С. В. Закономерности образования алмаза. - Спб.: Недра, 1992. EDN: CKRARP
4. Wentorf R. H. // J. Phys. Chem. 1971. V. 75. P. 1833.
5. Дерягин Б. В., Федосеев Д. В. // Успехи химии. 1970. № 39. С. 1161.
6. Спицын Б. В., Смольянинов А. В. Способ наращивания алмаза. А.с. 987912 СССР, приоритет от 21.04.71.
7. Deryaguin B. V., Spitsyn B. V., Bouilov L. L. et al. // Dokl. Akad. Nauk SSSR, 1976, V. 23, No.12. P. 333.
8. Bachman P. K. In the Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films, N.Y.: Marcel Dekker, 1998. P. 821-850.
9. Ho S. S., Yan C. V., Liu Z. et al. // Industrial Diamond Rev. 2006. No. 1. P. 28. EDN: XUHLRP
10. Matsumoto S., Sato Y., Kamo M. Setaka N. // Jap. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. P. L183. EDN: XUVEIJ
11. Matsui Y., Yabe H., Hirose Y. // Jap. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. No. 8. Р. 1552.
12. Okada M., Nishigavara Y., Kubomura K. A // Diamond Relat. Mater. 2002. V. 11. P. 1479. EDN: AXZPWJ
13. Kurihara K., Sasaki K., Kawarada M., et al. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. P. 437.
14. Bolshakov A. P., Konov V. I., Prokhorov A. M., et al. // Diamond Relat. Mater. 2001. V. 10. P. 1559. EDN: LGXINX
15. Косолапова Т. Я. Карбиды. - М.: Металлургия, 1968.
16. Самсонов Г. В., Косолапова Т. Я., Домасевич Л. Т. Свойства, методы получения и области применения тугоплавких карбидов и сплавов на их основе. - Киев: 1974.
17. Bauer C. E., Inspector A. and Oles E. J. // SїadhanЇa, India. 2003. V. 28. Part 5. Р. 933.
18. Polini R. // Thin Solid Films. 2006. V. 515. P. 4. EDN: KHSAWR
19. Степаненко Е. В. Дисс. к.т.н., (Москва, 2011). EDN: QFOZEP
20. Polini R, Baretta M., Crystofanilli G. // Thin solid films. 2010. V. 519. P. 1629.
21. Лахоткин Ю. В, Кузьмин В. П. Патент РФ № 2238922 по заявке 2002124866/03 с приоритетом от 15.03.2000, Бюлл. № 14 опубл. 27.10.2004.
22. Zalavutdinov R. Kh., Gorodetsky A. E., Zakharov A. P., et al. // Journal of Diamond and Related Materials. 1998. V. 7. P. 1014. EDN: LEQVGB
23. Душик В. В. Автореф. дисс. к.х.н., (Москва, 2012). EDN: QGAUVV
24. http://www.neocoat.ch/en/technology/diamond-coatings.
25. Бессон А., Берр Б., Диллард, и др. // Нефтегазовое обозрение. Шлюмберже, весна 2002. С. 4.
26. Wany Y., Wang K., Tan N.,et al. // High Pressure Research. 2011. V. 31. No. 3. P. 419. EDN: PMTHGZ
27. Smith Technology: www.smith.com; www.slb.com/smithbits.
28. Дигонский С. В. Газофазные процессы синтеза и спекания тугоплавких веществ. - Москва: ГЕОС, 2012.
29. www.cvd-diamond.ru.
30. Конов В. И., Ральченко В. Г., Сергейчев К. Ф.,и др. Патент РФ № 2299929 по заявке № 2005125464 с приоритетом от 11 августа 2005 г.
31. Сергейчев К. Ф., Лукина Н. А., Большаков А. П., и др. // Прикладная физика. 2009. № 6. С. 107. EDN: KYPAZF
32. Sergeichev K. F., Lukina N. A., Bolshakov A. P., et al. // Plasma Physics Reports, 2010. V. 36. No. 13. P. 1272. EDN: OHNMAX
33. Сергейчев К. Ф., Лукина Н. А. // Прикладная физика. 2010. № 6. С. 44. EDN: NBFXJN
34. Sergeichev K. F., Lukina N. A. // Plasma Physics Reports. 2011. V. 37. No. 13. P. 1225. EDN: PEPLOZ
35. Куксимова Л. И., Герасимов С. А., Лаптева В. Г. Износостойкость конструкционных материалов: учебное пособие. - Москва: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011.
1. Handbook of Carbon, Graphite, Diamond and Fullerenes (Properties, Processing and Applications). Ed. by H.O. Pierson, (Noyes Publications, Park Ridge, New Jersey, USA)
2. V. Ralchenko and V. Konov, Elektronika: Nauka, Tekhnologiya, Biznes, No. 4, 58 (2007).
3. V. V. Digonsky and S. V. Digonsky, Natural laws of Diamond Formation (Nedra, S.Ptb, 1992) [in Russian].
4. R. H. Wentorf, J. Phys. Chem. 75, 1833 (1971).
5. B. V. Deryagin and D. V. Fedoseev, Uspekhi Khimii, No. 39, 1161 (1970).
6. B. V. Spitsin and A. V. Smol’yaninov, USSR Inventors Certificate 987912, Priority from April 21, 1971.
7. B. V. Deryagin, B. V. Spitsin, L. L. Bouilov, et al., Dokl. Akad. Nauk SSSR 23, 333 (1976).
8. P. K. Bachman, in The Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films, (N.Y.: Marcel Dekker, 1998), pp. 821—850.
9. S. S. Ho, C. V. Yan, Z. Liu, et al., Industrial Diamond Rev., No. 1, 28 (2006).
10. S. Matsumoto, Y. Sato, M. Kamo, et al., Jap. J. Appl. Phys. 21, L183 (1982).
11. Y. Matsui, H. Yabe, and Y. Hirose, Jap. J. Appl. Phys. 29, 1552 (1990).
12. M. Okada, Y. Nishigavara, K. Kubomura, Diamond Relat. Mater. 11, 1479 (2002).
13. K. Kurihara, K. Sasaki, M. Kawarada, et al., Appl. Phys. Lett. 52, 437 (1988).
14. A. P. Bolshakov, V. I. Konov, A. M. Prokhorov, et al., Diamond Relat. Mater. 10, 1559 (2001).
15. T. Ya. Kosolapova, Carbides (Metallurgia, Moscow, 1968) [in Russian].
16. G. V. Samsonov, T. Ya. Kosolapova, and L. T. Domosevich, Features, Production Methods of Carbides… (Kiev, 1974) [in Russian].
17. C. E. Bauer, A. Inspector, and E. J. Oles, SїadhanЇa, India. 28, 933 (2003).
18. R. Polini, Thin Solid Films 515, 4 (2006).
19. E. V. Stepanenko, Candidate’s Dissertation in Engineering (Moscow, 2011).
20. R. Polini, M. Baretta, and G. Crystofanilli, Thin Solid Films 519, 1629 (2010).
21. Yu. V. Lakhotkin and V. P. Kuz’min, RF Inventors Certificate No. 2238922 on the Inventors Application 2002124866/03, 15.03.2000, Published 2004, Bull. No. 14.
22. R. Kh. Zalavutdinov, A. E. Gorodetsky, A. P. Zakharov, et al., Journal of Diamond and Related Materials 7, 1014 (1998).
23. V. V. Dushik, Candidate’s Dissertation in Chemistry (Moscow, 2012).
24. http://www.neocoat.ch/en/technology/diamond-coatings 25. A. Besson, B. Berr, Dillard, et al., Oil-and-Gas Review (Schlumberger, 2002), p. 4.
26. Y. Wany, K. Wang, N. Tan, et al., High Pressure Research. 31, 419 (2011).
27. Smith Technology: www.smith.com ; www.slb.com/smithbits
28. S. V. Digonsky, Gas-Cycle Processes of Synthesis and Sintering of High-Melting Materials (GEOS, Moscow, 2012) [in Russian].
29. www.cvd-diamond.ru
30. V. I. Konov, V. G. Ralchenko, et al., RF Patent No. 2299929.
31. K. F. Sergeichev, Lukina N. A., Bolshakov A. P., et al., Prikladnaya Fizika, No. 6, 107 (2009).
32. K. F. Sergeichev, N. A. Lukina, A. P.Bolshakov, et al., Plasma Physics Reports 36, 1272 (2010).
33. K. F. Sergeichev and N. A. Lukina, Prikladnaya Fizika, No. 6, 44 (2010).
34. K. F. Sergeichev and N. A. Lukina, Plasma Physics Reports 37, 1225 (2011).
35. L. I. Kuksimova, S. A. Gerasimov, and V. G. Lapteva, Wear Resistant of Constructional Materials (Bauman MGTU, Moscow, 2011) [in Russian].
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Якубович Б. И. Электрические флуктуации и многозарядные ловушки в полупроводниках 443
Марков О. И. Градиентно-варизонные сплавы висмут-сурьма 447
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Сергейчев К. Ф., Душик В. В., Иванов В. А., Лаптева В. Г., Лахоткин Ю. В., Лукина Н. А., Борисенко М. А., Поддубная Л. В. Газофазный плазмохимический синтез поликристаллического алмазного покрытия рабочей поверхности твердосплавных режущих инструментов в плазме СВЧ-факельного разряда (обзор) 453
Сахаров А. С., Иванов В. А., Коныжев М. Е. Численное моделирование методом частиц в ячейке мультипакторного разряда на диэлектрике в плоскопараллельном волноводе 476
Артемьев К. В., Давыдов А. М., Иванов В. А., Коссый И. А., Лукьянчиков Г. С., Моряков И. В. Микроволновый капиллярный факел как средство воздействия на электрофизические характеристики металлической по-верхности 486
Герман В. О., Глинов А. П., Головин А. П., Козлов П. В. Изучение воздействия внешнего магнитного поля на устойчивость электродугового разряда 498
Наумов Н. Д. Обобщение решения уравнения Шафранова для нестационарного случая 505
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Бурлаков И. Д., Дирочка А. И., Корнеева М. Д., Пономаренко В. П., Филачев А. М. Твердотельная фотоэлектроника. Современное состояние и прогноз развития (обзор к 50-летию факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института) 509
Патрашин А. И., Бурлаков И. Д., Иванов Г. А. Аналитическая модель вероятности безотказной работы многорядного МФПУ 520
Козлов К. В., Соляков В. Н., Кузнецов П. А., Полесский А. В., Хамидуллин К. А., Семенченко Н. А., Бедарева Е. А. Исследование частотных характеристик многоразрядного МФПУ с режимом ВЗН 528
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Мелкумян Б. В. Лазерный акселерометр с динамическим изменением моды излучения 539
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов 548
Бланк для подписки на 2014 г. 550
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
B. I. Yakubovich Electrical fluctuations and multicharge traps in semiconductors 443
O. I. Markov Gradient variband alloys of bismuth-antimony 447
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
K. F. Sergeichev, V. V. Dushík, V. A. Ivanov, V. G. Lapteva, Yu. V. Lakhotkin, N. A. Lukina, M. A. Borisenko, and L. V. Poddubnaya MPACVD plasma chemical synthesis of polycrystalline diamond coating on the working surface of carbide cutting tools in the microwave plasma torch discharge 453
A. S. Sakharov, V. A. Ivanov, and M. E. Konyzhev Particle-in-cell simulations of a multipactor discharge on a dielectric in a parallelplate waveguide 476
K. V. Artem’ev, A. M. Davydov, V. A. Ivanov, I. A. Kossyi, G. S. Luk’yanchikov, and I. V. Moryakov Microwave capillary torch as a means for action on electrophysical characteristics of metallic surface 486
V. O. German, A. P. Glinov, A. P. Golovin, and P. V. Kozlov Studying of an exterior magnetic field action on stability of an electric arc 498
N. D. Naumov Non-stationary generalization of Shafranov’s equation solution 505
PHOTOELECTRONICS
I. D. Burlakov, A. I. Dirochka, M. D. Korneeva, V. P. Ponomarenko, and A. M. Filachev Solid state photoelectronics: the current state and new prospects (Review on the 50th Anniversary of the Faculty of Physical and Quantum Electronics of the Moscow Physicotechnical Institute) 509
A. I. Patrashin, I. D. Burlakov, and G. A. Ivanov No-failure operation analytical model of linear array 520
K. V. Kozlov, V. N. Solyakov, P. A. Kyznetsov, A. V. Polessky, K. A. Khamidullin, N. A. Semenchenko, and E. A. Bedareva Mathematical model of TDI FPA 528
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
B. V. Melkoumian Laser accelerometer with dynamic change of the radiation mode 539
INFORMATION
Rules for authors 548
Subscription to the Journal. 2014 550
Другие статьи выпуска
Обсуждаются новые явления изменения пространственно-временных характеристик компонент стоячих волн света в резонаторе при его ускоренном движении. Обобщены полученные ранее результаты, на основе которых был создан автономный резонаторный датчик - акселерометр с неподвижным содержимым по патенту автора. Обсуждаются приложения и основные преимущества его применения.
В статье представлена модель многорядного матричного фотоприемного устройства (МФПУ) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), предназначенного для регистрации точечных источников оптического излучения в ближнем инфракрасном (ИК) диапазоне спектра. С использованием модели решены некоторые задачи метрологии, например расчет коэффициента ослабления амплитуды выходного сигнала ВЗН-МФПУ с фильтрами верхних частот на входе большой интегральной схемы (БИС) считывания при равномерной засветке матрицы фоточувствительных элементов (ФЧЭ) модулированным излучением абсолютно черного тела (АЧТ). Также произведена оценка формы выходного сигнала, создаваемого точечным источником оптического излучения при различных характеристиках электронного тракта МФПУ. Произведен расчет частотноконтрастных характеристик (ЧКХ) многорядных МФПУ с различными параметрами. Представлены выходные изображения модели при наличии в фокальной плоскости объектива цели и пространственно — неоднородного фонового изображения.
С помощью теории вероятности и теории надежности устройств разработана аналитическая модель, описывающая вероятность безотказной работы многорядного матричного фотоприёмного устройства (МФПУ), включающего B фотоприёмных модулей (ФПМ) формата MN с учётом критериев годности устройства. Эти критерии описываются средним временем безотказной работы одного фоточувствительного элемента (ФЧЭ), максимальным количеством дефектных ФЧЭ в канале, максимальным числом неработоспособных каналов ФПМ и общим количеством ФПМ. Режим работы устройства — режим с экспоненциальной моделью отказов ФЧЭ, в котором сигнал МФПУ является средним сигналом или максимальным из сигналов работоспособных ФЧЭ в канале. На основе модели выполнены расчёты зависимостей вероятности безотказной работы МФПУ, включающего B ФПМ, ФПМ с N каналами, L из которых неработоспособны и отсутствуют соседние неработоспособные каналы, и канала из M ФЧЭ с К неработоспособными ФЧЭ, соответственно, при B = 10, 8, 6, 4; N = 1024, 640, 480, 288; L = 5, 3, 2, 1; M = 16, 10, 8, 4; K = 15, 9, 7, 3.
В статье проведен анализ современного состояния твердотельной фотоэлектроники для тепловизионной и теплопеленгационной аппаратуры нового поколения. Приведены последние результаты разработок фотоэлектронных модулей для задач тепловидения и теплопеленгации в спектральных диапазонах 1—3, 3—5 и 8—12 мкм, а также для ультрафиолетового диапазона. Рассмотрены основные физико-технологические проблемы создания фотоэлектронных модулей, а также проблемы создания фоточувствительных материалов для них. Приведен прогноз развития направления. Описаны совместные достижения государственного научного центра «НПО «Орион» и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института (государственного университета).
Предлагается метод обобщения решения уравнения Шафранова для описания неустановившегося движения плазмы со скоростью, пропорциональной расстоянию до центра симметрии.
Проведено исследование способов стабилизации и дестабилизации разряда, связанных с наложением внешнего магнитного поля посредством системы линейных токов, включенных последовательно с разрядом. Получены данные о влиянии конфигурации внешнего магнитного поля на движение и форму дугового столба, размеры и скорости перемещения его опорных пятен и электродных струй-факелов. Определены статистические плотности распределения состояний разряда по мощности.
Фундаментальная задача, поставленная в настоящей работе, заключалась в исследовании возможности реализации в условиях свободного пространства в воздушной среде атмосферного давления взрывного образования металлической микроплазмы, обнаруженного и изученного ранее при контактах металлической поверхности с бесстолкновительной плотной и относительно горячей плазмой, получаемой в разрядах низкого давления.
Прикладная задача, стимулировавшая постановку экспериментов, заключалась в использовании поверхностных микровзрывов для создания поверхностной «шероховатости», способной существенно уменьшить вторично-эмиссионную способность металла и, таким образом, уменьшить вероятность или полностью исключить возможность возбуждения вторично-эмиссионных электронных микроволновых разрядов, ограничивающих уровень микроволновой мощности, принимаемой или передаваемой космическими спутниками связи.
Основные результаты, полученные в ходе выполнения исследований, состоят в следующем:
- впервые в условиях открытого пространства при атмосферном давлении воздушной среды реализована основанная на применениии импульсного капиллярного микроволнового факела схема эксперимента, позволяющая осуществить возбуждение взрывоэмиссионное образование микроплазмы на поверхности металла;
- проведена обработка поверхности алюминиевой пластины многократным облучением плазменной струёй капиллярного микроволнового разряда и показано, что в результате взрывоэмиссионных микроискрений происходит трансформация исходно гладкой поверхности в поверхность «шероховатую», представляющую из себя множество микронных размеров выступов и впадин («микрократеров»);
- максимальный коэффициент вторичной электронной эмиссии max «шероховатой» («рифлённой») поверхности снтжается от 2 для необработанного образца до 0,4 для обработанного образца, и остаётся стабильно низким в течение длительного пребывания образца в атмосфере.
Последний результат позволяет рассматривать предложенный и исследованный метод воздействия на металлическую поверхность, как способ обработки элементов бортовой спутниковой радио-электронной системы с целью подавления вторичноэмиссионных электронных разрядов («мультипакторов»), приводящих к временному нарушению работы или к невосстанавливаемому разрушению компонентов аппаратуры.
Разработан двумерный в координатном пространстве и трехмерный в пространстве скоростей численный код, основанный на методе частиц в ячейке, для моделирования мультипакторного разряда на диэлектрике, помещенном в плоскопараллельный волновод, с учетом вторичной электронной эмиссии с поверхности диэлектрика и стенок волновода, конечной температуры вторичных электронов, пространственного заряда электронов, а также упругого и неупругого отражения электронов от диэлектрика и стенок волновода. Код позволяет моделировать различные стадии мультипакторного разряда, начиная с возникновения электронной лавины и заканчивая стадией насыщения. Показано, что из-за утечки электронов на стенки волновода порог развития одностороннего мультипактора на диэлектрике, помещенном в зауженный волновод с абсорбирующими стенками, увеличивается по сравнению с порогом в случае неограниченного диэлектрика. Обнаружено, что, в зависимости от напряженности СВЧ-поля и вторично-эмиссионных характеристик стенок волновода, могут реализоваться два режима мультипакторного разряда. В первом режиме, который реализуется при относительно низких напряженностях СВЧ-поля, мультипакторный разряд развивается только на диэлектрике, поверхность которого заряжается положительно относительно стенок волновода. Во втором режиме, который реализуется при достаточно высоких напряженностях СВЧ-поля, происходит одновременное возбуждение одностороннего мультипактора на поверхности диэлектрика и двустороннего мультипактора между стенками волновода. В этом случае поверхность диэлектрика и пространство между стенками волновода приобретают отрицательный потенциал. Показано, что учет отражения электронов от поверхности диэлектрика и стенок волновода приводит к появлению высокоэнергетических хвостов функции распределения электронов.
Рассмотрены вопросы формирования электрических флуктуаций в полупроводниках многозарядными ловушками, образованными дефектами структуры. Проанализированы флуктуации, связанные с дефектами структуры различных типов. Вычислено выражение общего вида для спектра флуктуаций, вызванных многозарядной ловушкой. Дано количественное описание электрических флуктуаций в полупроводниках, обусловленных группой многозарядных ловушек.
Проанализирована возможность повышения термоэлектрической добротности сплавов висмут-сурьма с помощью формирования направленной неоднородности распределения компонентов сплава. Увеличение термоэлектрической эффективности градиентно-варизонных сплавов висмут-сурьма подтверждено экспериментально.
Статистика статьи
Статистика просмотров за 2026 год.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400