В статье представлена модель многорядного матричного фотоприемного устройства (МФПУ) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН), предназначенного для регистрации точечных источников оптического излучения в ближнем инфракрасном (ИК) диапазоне спектра. С использованием модели решены некоторые задачи метрологии, например расчет коэффициента ослабления амплитуды выходного сигнала ВЗН-МФПУ с фильтрами верхних частот на входе большой интегральной схемы (БИС) считывания при равномерной засветке матрицы фоточувствительных элементов (ФЧЭ) модулированным излучением абсолютно черного тела (АЧТ). Также произведена оценка формы выходного сигнала, создаваемого точечным источником оптического излучения при различных характеристиках электронного тракта МФПУ. Произведен расчет частотноконтрастных характеристик (ЧКХ) многорядных МФПУ с различными параметрами. Представлены выходные изображения модели при наличии в фокальной плоскости объектива цели и пространственно — неоднородного фонового изображения.
Focal plane arrays (FPA) with time delay integration (TDI) are used widely to reach high dimensional resolution and sensitivity. Such a system can solve different problems and one of them is the detection of weak point target. In order to make a comprehensive analysis of TDI FPA (which works in infrared optical range) the model has been designed. Using this model some problems has been solved. For example, the amplitudes of FPA signals have been calculated in different modes. These results can be used in metrology to recalculate the signal, which has been measured using modulated black body radiation without scanning, to the signal of point target in scanning mode. The model can also be used to predict the output image of TDI FPA with different parameters, such as the parameters of readout circuit (bandwidth, number of summators etc.), the parameters of topology (size and number of elements, number of matrixes etc.), the parameters of target and background etc. The modulation transfer function of TDI FPA has also been calculated.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 22490190
Проблема регистрации точечных источников оптического излучения с использованием ВЗН МФПУ актуальна и имеет ряд спорных и нерешенных вопросов. Одним из них является выбор оптимальной и технологически реализуемой топологии МФЧЭ для наиболее эффективного решения задач теплопеленгации. Другим вопросом является выбор оптимального электронного тракта ВЗН МФПУ для каждого конкретного применения. Вопросы часто возникают при прогнозировании параметров итогового изображения в условиях эксным излучением АЧТ при различных параметрах модулятора оптического излучения. Осуществлена экспериментальная проверка выходных характеристик модели, а также определена область ее применения.
Представлены коэффициенты пересчета значений сигналов для некоторых значений нижних граничных частот электронного тракта БИС, а также для затянутого фронта нарастания оптического сигнала в режиме модуляции. На основании данной серии экспериментов сделан вывод о возможности проведения корректного измерения основного параметра ВЗН систем с известной топологией МФЧЭ, известных параметрах БИС и контрольно-измерительного оборудования при равномерной засветке МФЧЭ излучением АЧТ.
Произведен расчет ЧКХ системы «объектив— МФЧЭ–ВЗН-тракт». Сделан вывод, что повышение нижней граничной частоты электронного тракта МФПУ до 200 Гц приводит к понижению максимума ЧКХ больше, чем на 20 %. Произведен расчет пеленгационных характеристик ВЗН МФПУ. Показано, что глубина модуляции при перемещении пятна относительно ФЧЭ составляет не более 10 %.
Представлены выходные изображения и характеристики МФПУ при подаче на вход изображения «многоточечной диафрагмы» с заданными параметрами. На основании серии экспериментов определен отклик в режимах AC и DC при различных значениях (fн > 50 Гц).
Произведено моделирование выходных изображений ВЗН–МФПУ при наличии в фокальной плоскости объектива изображения цели на неоднородном фоне.
Список литературы
1. Тришенков М. А. Фотоприемные устройства и ПЗС. Обнаружение слабых оптических сигналов. — М.: Радио и связь, 1992.
2. Бочков В. Д., Дражников Б. Н., Кузнецов П. А. и др. // Прикладная физика. 2014. № 1. С. 58.
3. Дж. Ллойд Системы тепловидения. — М.: Мир, 1978.
4. Филачев А. М., Бурлаков И. Д., Болтарь К. О. и др. / Труды 22-й Международной научно-технической конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22—25 мая 2012 г., Москва, ФГУП «НПО «Орион», с. 22—24.
5. Бочков В. Д., Дражников Б. Н., Кузнецов П. А. и др. // Прикладная физика. 2014. № 1. С. 53.
6. Госсорг Ж. Инфракрасная термография. Основы, техника, применение. — М.: Мир, 1988.
7. Tzannes A. P., Mooney J. M. / IEEE Meeting of the IRIS Specialty Group on Passive Sensors, Feb. 22—24, 1999, Monterey, CA.
8. Reed I. S., Gagliardi R. M., Shao H. M. / IEEE Transactions of Aerospace and Electronic Systems, AES-19(6):898-905, 1982.
9. Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы. — М.: Физматкнига, 2005.
10. Патрашин А. И. / Тез. докл. XX Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. — М.: ФГУП «НПО «Орион», А02, 2008.
11. ГОСТ 17772. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик, 1988.
12. Соляков В. Н., Дражников Б. Н., Хамидуллин К. А. и др. // Прикладная физика. 2013. № 6. С. 506.
13. Хадсон Р. Инфракрасные системы. — М.: Мир, 1972.
14. Соляков В. Н., Козлов К. В., Кондюшин И. С. и др. / IX Международный форум «Оптические системы и технологии» OPTICS-EXPO 2013 Официальный каталог. С. 61.
15. Бочков В. Д., Дражников Б. Н., Кузнецов П. А. и др. // Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2. № 1. С. 65.
16. Бочков В. Д., Дражников Б. Н., Кузнецов П. А. и др. // Успехи прикладной физики, 2014. Т. 2. № 1. С. 71.
17. Соляков В. Н., Козлов К. В., Кузнецов П. А. // Прикладная физика. 2014. № 2. С. 54.
18. Кузнецов П. А., Хромов С. С., Зайцев А. А. // Прикладная физика. 2012. № 5. С. 95.
19. Болтарь К. О., Бурлаков И. Д., Филачев А. М. и др. // Прикладная физика. 2012. № 3. С. 61.
1. M. A. Trishenkov, Photodetector Devices and CCD (Radio i Svyaz’, Мoscow, 1992) [in Russian]..
2. V. D. Bochkov, B. N. Drazhnikov, P. A. Kuznetsov, et al., Prikladnaya Fizika, No. 1, 58 (2014).
3. J. M. Lloyd, Thermal Imaging Systems (Plenum Press, New York and London, 1975; Mir, Moscow, 1978).
4. A. M. Filachev, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, et al., in Proc. XXII Intern. Conf. on Photoelectronics (NPO Orion, Moscow, May 22—25, 2012), pp. 22—24.
5. V. D. Bochkov, B. N. Drazhnikov, P. A. Kuznetsov, et al., Prikladnaya Fizika, No. 1, 53 (2014).
6. Gilbert Gaussorgues. La Thermographie Infrarouge. (Lavoisier, Paris; Mir, Moscow, 1988).
7. A. P. Tzannes and J. M. Mooney, in Proc. IEEE Meeting of the IRIS Specialty Group on Passive Sensors, (Feb. 22—24, 1999, Monterey, CA).
8. I. S. Reed, R. M. Gagliardi, and H. M. Shao, in Proc. IEEE Transactions of Aerospace and Electronic Systems, (AES-19(6):898-905, 1982).
9. A. M. Filachev, I. I. Taubkin, and M. A. Trishenkov, Solid-State Photoelectronics. Physical Base. (Fizmatkniga, Moscow, 2005) [in Russian].
10. A. I. Patrashin, in Proc. XX Intern. Conf. on Photoelectronics, A02 (Npo Orion, Moscow, 2008).
11. GOST R 17772. Detectors of Radiation. Semiconductor, Photoelectric, and Photodetector Devices. Measuring Methods. 1988 [in Russian].
12. V. N. Solyakov, B. N. Drazhnokov, K. A. Khamidullin, et al., Prikladnaya Fizika, No. 6, 506 (2013).
13. Richard D. Hudson, Infrared System Engineering (Wiley-Interscience, 1969; Mir, Moscow, 1972).
14. V. N. Solyakov, K. V. Kozlov, I. S. Kondyushin, et al., in Proc. IX Intern. Forum “Optical Systems and Technologees” (OPTICS-EXPO 2013, Official Catalogue). p. 61.
15. V. D. Bochkov, B. N. Drazhnikov, P. A. Kuznetsov, et al., Uspekhi Prikladnoi Fiziki 2, 65 (2014).
16. V. D. Bochkov, B. N. Drazhnikov, P. A. Kuznetsov, et al., Uspekhi Prikladnoi Fiziki 2, 71 (2014).
17. V. N. Solyakov, K. V. Kozlov, and P. A. Kuznetsov, Prikladnaya Fizika, No. 2, 54 (2014).
18. P. A. Kuznetsov, S. S. Khromov, and A. A. Zaitsev, Prikladnaya Fizika, No. 5, 95 (2012).
19. K. O. Boltar, I. D. Burlakov, A. M. Filachev, et al., Prikladnaya Fizika, No. 3, 61 (2012).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Якубович Б. И. Электрические флуктуации и многозарядные ловушки в полупроводниках 443
Марков О. И. Градиентно-варизонные сплавы висмут-сурьма 447
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Сергейчев К. Ф., Душик В. В., Иванов В. А., Лаптева В. Г., Лахоткин Ю. В., Лукина Н. А., Борисенко М. А., Поддубная Л. В. Газофазный плазмохимический синтез поликристаллического алмазного покрытия рабочей поверхности твердосплавных режущих инструментов в плазме СВЧ-факельного разряда (обзор) 453
Сахаров А. С., Иванов В. А., Коныжев М. Е. Численное моделирование методом частиц в ячейке мультипакторного разряда на диэлектрике в плоскопараллельном волноводе 476
Артемьев К. В., Давыдов А. М., Иванов В. А., Коссый И. А., Лукьянчиков Г. С., Моряков И. В. Микроволновый капиллярный факел как средство воздействия на электрофизические характеристики металлической по-верхности 486
Герман В. О., Глинов А. П., Головин А. П., Козлов П. В. Изучение воздействия внешнего магнитного поля на устойчивость электродугового разряда 498
Наумов Н. Д. Обобщение решения уравнения Шафранова для нестационарного случая 505
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Бурлаков И. Д., Дирочка А. И., Корнеева М. Д., Пономаренко В. П., Филачев А. М. Твердотельная фотоэлектроника. Современное состояние и прогноз развития (обзор к 50-летию факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института) 509
Патрашин А. И., Бурлаков И. Д., Иванов Г. А. Аналитическая модель вероятности безотказной работы многорядного МФПУ 520
Козлов К. В., Соляков В. Н., Кузнецов П. А., Полесский А. В., Хамидуллин К. А., Семенченко Н. А., Бедарева Е. А. Исследование частотных характеристик многоразрядного МФПУ с режимом ВЗН 528
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Мелкумян Б. В. Лазерный акселерометр с динамическим изменением моды излучения 539
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов 548
Бланк для подписки на 2014 г. 550
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
B. I. Yakubovich Electrical fluctuations and multicharge traps in semiconductors 443
O. I. Markov Gradient variband alloys of bismuth-antimony 447
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
K. F. Sergeichev, V. V. Dushík, V. A. Ivanov, V. G. Lapteva, Yu. V. Lakhotkin, N. A. Lukina, M. A. Borisenko, and L. V. Poddubnaya MPACVD plasma chemical synthesis of polycrystalline diamond coating on the working surface of carbide cutting tools in the microwave plasma torch discharge 453
A. S. Sakharov, V. A. Ivanov, and M. E. Konyzhev Particle-in-cell simulations of a multipactor discharge on a dielectric in a parallelplate waveguide 476
K. V. Artem’ev, A. M. Davydov, V. A. Ivanov, I. A. Kossyi, G. S. Luk’yanchikov, and I. V. Moryakov Microwave capillary torch as a means for action on electrophysical characteristics of metallic surface 486
V. O. German, A. P. Glinov, A. P. Golovin, and P. V. Kozlov Studying of an exterior magnetic field action on stability of an electric arc 498
N. D. Naumov Non-stationary generalization of Shafranov’s equation solution 505
PHOTOELECTRONICS
I. D. Burlakov, A. I. Dirochka, M. D. Korneeva, V. P. Ponomarenko, and A. M. Filachev Solid state photoelectronics: the current state and new prospects (Review on the 50th Anniversary of the Faculty of Physical and Quantum Electronics of the Moscow Physicotechnical Institute) 509
A. I. Patrashin, I. D. Burlakov, and G. A. Ivanov No-failure operation analytical model of linear array 520
K. V. Kozlov, V. N. Solyakov, P. A. Kyznetsov, A. V. Polessky, K. A. Khamidullin, N. A. Semenchenko, and E. A. Bedareva Mathematical model of TDI FPA 528
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
B. V. Melkoumian Laser accelerometer with dynamic change of the radiation mode 539
INFORMATION
Rules for authors 548
Subscription to the Journal. 2014 550
Другие статьи выпуска
Обсуждаются новые явления изменения пространственно-временных характеристик компонент стоячих волн света в резонаторе при его ускоренном движении. Обобщены полученные ранее результаты, на основе которых был создан автономный резонаторный датчик - акселерометр с неподвижным содержимым по патенту автора. Обсуждаются приложения и основные преимущества его применения.
С помощью теории вероятности и теории надежности устройств разработана аналитическая модель, описывающая вероятность безотказной работы многорядного матричного фотоприёмного устройства (МФПУ), включающего B фотоприёмных модулей (ФПМ) формата MN с учётом критериев годности устройства. Эти критерии описываются средним временем безотказной работы одного фоточувствительного элемента (ФЧЭ), максимальным количеством дефектных ФЧЭ в канале, максимальным числом неработоспособных каналов ФПМ и общим количеством ФПМ. Режим работы устройства — режим с экспоненциальной моделью отказов ФЧЭ, в котором сигнал МФПУ является средним сигналом или максимальным из сигналов работоспособных ФЧЭ в канале. На основе модели выполнены расчёты зависимостей вероятности безотказной работы МФПУ, включающего B ФПМ, ФПМ с N каналами, L из которых неработоспособны и отсутствуют соседние неработоспособные каналы, и канала из M ФЧЭ с К неработоспособными ФЧЭ, соответственно, при B = 10, 8, 6, 4; N = 1024, 640, 480, 288; L = 5, 3, 2, 1; M = 16, 10, 8, 4; K = 15, 9, 7, 3.
В статье проведен анализ современного состояния твердотельной фотоэлектроники для тепловизионной и теплопеленгационной аппаратуры нового поколения. Приведены последние результаты разработок фотоэлектронных модулей для задач тепловидения и теплопеленгации в спектральных диапазонах 1—3, 3—5 и 8—12 мкм, а также для ультрафиолетового диапазона. Рассмотрены основные физико-технологические проблемы создания фотоэлектронных модулей, а также проблемы создания фоточувствительных материалов для них. Приведен прогноз развития направления. Описаны совместные достижения государственного научного центра «НПО «Орион» и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института (государственного университета).
Предлагается метод обобщения решения уравнения Шафранова для описания неустановившегося движения плазмы со скоростью, пропорциональной расстоянию до центра симметрии.
Проведено исследование способов стабилизации и дестабилизации разряда, связанных с наложением внешнего магнитного поля посредством системы линейных токов, включенных последовательно с разрядом. Получены данные о влиянии конфигурации внешнего магнитного поля на движение и форму дугового столба, размеры и скорости перемещения его опорных пятен и электродных струй-факелов. Определены статистические плотности распределения состояний разряда по мощности.
Фундаментальная задача, поставленная в настоящей работе, заключалась в исследовании возможности реализации в условиях свободного пространства в воздушной среде атмосферного давления взрывного образования металлической микроплазмы, обнаруженного и изученного ранее при контактах металлической поверхности с бесстолкновительной плотной и относительно горячей плазмой, получаемой в разрядах низкого давления.
Прикладная задача, стимулировавшая постановку экспериментов, заключалась в использовании поверхностных микровзрывов для создания поверхностной «шероховатости», способной существенно уменьшить вторично-эмиссионную способность металла и, таким образом, уменьшить вероятность или полностью исключить возможность возбуждения вторично-эмиссионных электронных микроволновых разрядов, ограничивающих уровень микроволновой мощности, принимаемой или передаваемой космическими спутниками связи.
Основные результаты, полученные в ходе выполнения исследований, состоят в следующем:
- впервые в условиях открытого пространства при атмосферном давлении воздушной среды реализована основанная на применениии импульсного капиллярного микроволнового факела схема эксперимента, позволяющая осуществить возбуждение взрывоэмиссионное образование микроплазмы на поверхности металла;
- проведена обработка поверхности алюминиевой пластины многократным облучением плазменной струёй капиллярного микроволнового разряда и показано, что в результате взрывоэмиссионных микроискрений происходит трансформация исходно гладкой поверхности в поверхность «шероховатую», представляющую из себя множество микронных размеров выступов и впадин («микрократеров»);
- максимальный коэффициент вторичной электронной эмиссии max «шероховатой» («рифлённой») поверхности снтжается от 2 для необработанного образца до 0,4 для обработанного образца, и остаётся стабильно низким в течение длительного пребывания образца в атмосфере.
Последний результат позволяет рассматривать предложенный и исследованный метод воздействия на металлическую поверхность, как способ обработки элементов бортовой спутниковой радио-электронной системы с целью подавления вторичноэмиссионных электронных разрядов («мультипакторов»), приводящих к временному нарушению работы или к невосстанавливаемому разрушению компонентов аппаратуры.
Разработан двумерный в координатном пространстве и трехмерный в пространстве скоростей численный код, основанный на методе частиц в ячейке, для моделирования мультипакторного разряда на диэлектрике, помещенном в плоскопараллельный волновод, с учетом вторичной электронной эмиссии с поверхности диэлектрика и стенок волновода, конечной температуры вторичных электронов, пространственного заряда электронов, а также упругого и неупругого отражения электронов от диэлектрика и стенок волновода. Код позволяет моделировать различные стадии мультипакторного разряда, начиная с возникновения электронной лавины и заканчивая стадией насыщения. Показано, что из-за утечки электронов на стенки волновода порог развития одностороннего мультипактора на диэлектрике, помещенном в зауженный волновод с абсорбирующими стенками, увеличивается по сравнению с порогом в случае неограниченного диэлектрика. Обнаружено, что, в зависимости от напряженности СВЧ-поля и вторично-эмиссионных характеристик стенок волновода, могут реализоваться два режима мультипакторного разряда. В первом режиме, который реализуется при относительно низких напряженностях СВЧ-поля, мультипакторный разряд развивается только на диэлектрике, поверхность которого заряжается положительно относительно стенок волновода. Во втором режиме, который реализуется при достаточно высоких напряженностях СВЧ-поля, происходит одновременное возбуждение одностороннего мультипактора на поверхности диэлектрика и двустороннего мультипактора между стенками волновода. В этом случае поверхность диэлектрика и пространство между стенками волновода приобретают отрицательный потенциал. Показано, что учет отражения электронов от поверхности диэлектрика и стенок волновода приводит к появлению высокоэнергетических хвостов функции распределения электронов.
Работа посвящена изучению возможности применения метода плазмохимического синтеза поликристаллических алмазных плёнок в плазме факельного СВЧ-разряда при атмосферном давлении для покрытия рабочей поверхности твердосплавных режущих инструментов с целью увеличения их износостойкости. Режущий инструмент из поликристаллических алмазов находит применение, прежде всего, в станкостроении, автомобильном и сельскохозяйственном машиностроении, авиастроении при точении цветных металлов, титановых, абразивных алюминиевых сплавов, керамических и композиционных материалов. Лучший способ повысить прочность и устойчивость к износу твердосплавных режущих инструментов состоит в том, чтобы на поверхность твердосплавных или PDC-режущих вставок дополнительно нанести монолитный поликристаллический CVD-алмазный слой. Непосредственному нанесению поликристаллического алмазного слоя на поверхность резцов с хорошей адгезией мешает наличие кобальта, цементирующего режущие инструменты. Обсуждаются вопросов выбора лучшего материала и технологии создания изолирующего слоя между алмазом и твердым сплавом и технологии последующего осаждения на него алмазного покрытия в плазме СВЧ-факела.
Рассмотрены вопросы формирования электрических флуктуаций в полупроводниках многозарядными ловушками, образованными дефектами структуры. Проанализированы флуктуации, связанные с дефектами структуры различных типов. Вычислено выражение общего вида для спектра флуктуаций, вызванных многозарядной ловушкой. Дано количественное описание электрических флуктуаций в полупроводниках, обусловленных группой многозарядных ловушек.
Проанализирована возможность повышения термоэлектрической добротности сплавов висмут-сурьма с помощью формирования направленной неоднородности распределения компонентов сплава. Увеличение термоэлектрической эффективности градиентно-варизонных сплавов висмут-сурьма подтверждено экспериментально.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400