Научный архив: статьи

В данной работе представлены результаты применения магнетронной распылительной системы. Методом магнетронного распыления составной графитово-медной мишени получены поверхностные медно-углеродные структуры и выявлены условия их образования. Приведены характерные изображения структур на подложке, полученные с помощью атомно-силовой микроскопии. Найдены режимы распыления графитово-медной мишени. Показано, что на эффективность процесса распыления, кроме конструкции магнетрона и мишени, во многом влияют условия эксперимента. В работе экспериментально подобрана плотность потока распылённых атомов на подложку, температура мишени и подложки, давление аргона. Найдено, что подобные структуры не образуются без промежуточного металлического слоя. В нашем случае это была пленка меди. В общем виде учесть влияние всех этих параметров на полученный результат для расчета процесса распыления составной мишени не представляется возможным. Поэтому трудно оценить возможность получения подобных структур с другими металлами.

Согласно соотношению неопределенности микроструктуры не могут находиться в состоянии покоя даже при нулевой температуре. Создание ленгмюровских пленок приводит к коллективным движениям отдельных дифильных молекул, то есть к созданию волновых движений возникающих в ленгмюровских пленках. Согласно квантовой теории волновые движения поля могут быть описаны как рождение квазичастиц. В статье показано, что наличие волновых процессов приводит к перестройке структур, собранных из набора монослоев ленгмюровских пленок. Эти процессы можно описывать, исследуя устойчивость таких многослойных структур. В данной статье рассматривается процесс спонтанного нарушения симметрии и возможность спонтанных структурных переходов в ленгмюровских пленках. На простой модели определяются условия, при которых происходят такие переходы и устанавливается, существуют ли устойчивые состояния, такие как X- или Z-структуры, при структурных переходах из Y-типа пленки.

Тонкие пленки нитрида кремния широко применяются как в микроэлектронике, так и в оптических и оптоэлектронных приборах. Для получения пленок Si3N4 используются такие методы как химическое осаждение из газовой фазы и магнетронное напыление. В работе представлены результаты исследований по контролю над ростом и оптическими свойствами пленок Si3N4 устройством, работа которого основана на возбуждении поверхностного плазмонного резонанса и позволяет активно влиять на процесс роста нитридной пленки.

На основе метода поверхностного плазмонного резонанса разработана методика из-
мерения толщины растущей металлической пленки порядка 0,1 мкм. В работе при-
менен метод численного моделирования и создание на его основе в среде LabView про-
граммы управления для контроля процесса роста металлической пленки по ее
оптическим параметрам. Показано, что метод является пригодным для его применения
при управлении процессом получения пленок с повторяющимися оптическими свой-
ствами. Возбуждая на поверхности пленки плазмон поляритонные волны и регистрируя
резонансное взаимодействие поверхностных плазмонов с поверхностной электромаг-
нитной волной, получают отклик в виде оптического сигнала. Анализ характеристик
резонансного отклика дает возможность корректировать ход процесса напыления