Оптическая система контроля роста пленок Si3N4 на кварцевых подложках, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления кремниевой мишени (2022)
Тонкие пленки нитрида кремния широко применяются как в микроэлектронике, так и в оптических и оптоэлектронных приборах. Для получения пленок Si3N4 используются такие методы как химическое осаждение из газовой фазы и магнетронное напыление. В работе представлены результаты исследований по контролю над ростом и оптическими свойствами пленок Si3N4 устройством, работа которого основана на возбуждении поверхностного плазмонного резонанса и позволяет активно влиять на процесс роста нитридной пленки.
Издание:
Прикладная физика
Выпуск:
№ 1 (2022)
Расчет толщины металлической пленки по ее оптическим параметрам в процессе напыления (2023)
На основе метода поверхностного плазмонного резонанса разработана методика из-
мерения толщины растущей металлической пленки порядка 0,1 мкм. В работе при-
менен метод численного моделирования и создание на его основе в среде LabView про-
граммы управления для контроля процесса роста металлической пленки по ее
оптическим параметрам. Показано, что метод является пригодным для его применения
при управлении процессом получения пленок с повторяющимися оптическими свой-
ствами. Возбуждая на поверхности пленки плазмон поляритонные волны и регистрируя
резонансное взаимодействие поверхностных плазмонов с поверхностной электромаг-
нитной волной, получают отклик в виде оптического сигнала. Анализ характеристик
резонансного отклика дает возможность корректировать ход процесса напыления
Издание:
Прикладная физика
Выпуск:
№ 6 (2023)