Оптическая система контроля роста пленок Si3N4 на кварцевых подложках, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления кремниевой мишени (2022)

Тонкие пленки нитрида кремния широко применяются как в микроэлектронике, так и в оптических и оптоэлектронных приборах. Для получения пленок Si3N4 используются такие методы как химическое осаждение из газовой фазы и магнетронное напыление. В работе представлены результаты исследований по контролю над ростом и оптическими свойствами пленок Si3N4 устройством, работа которого основана на возбуждении поверхностного плазмонного резонанса и позволяет активно влиять на процесс роста нитридной пленки.

Silicon nitride thin films are widely used both in microelectronics and optical and optoelectronic devices. To obtain Si3N4 films, such methods are used as chemical precipitation from the gas phase and magnetron spraying. The paper presents the results of research on control over the growth and optical properties of the Si3N4 films by the device, the operation of which is based on the excitation of the surface plasmon resonance and is revealed to actively influence the growth process of the nitride film.

Тип: Статья
Автор (ы): Кононов Михаил
Соавтор (ы): Растопов Станислав

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
535.016. Оптические явления, зависящие от свойств поверхностей раздела
537.525.99. Прочие виды разрядов в газах при пониженном давлении
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2022-1-70-74
eLIBRARY ID
48038962
Текстовый фрагмент статьи