Моделирование структуры бессвинцового перовскитного солнечного элемента (2022)
Рассмотрено численное моделирование бессвинцового перовскитного солнечного элемента в программе SCAPS-1D для оптимизации его структуры и улучшения эффективности преобразования энергии. Проведено исследование влияния толщины, концентраций дефектов и акцепторов в слое бессвинцового перовскита CH3NH3SnI3, а также работы выхода из материала тыльного контакта на фотоэлектрические параметры солнечного элемента. Получено, что оптимальная толщина слоя CH3NH3SnI3 составляет 500 нм, концентрация дефектов должна составлять порядка 1014–1015 см-3, а оптимальная концентрация акцепторов должна составлять 1016 см-3. Показано, что работа выхода материала тыльного контакта должна быть не менее 4,9–5 эВ для создания высокоэффективных солнечных элементов. Получена макси-мальная эффективность 23,13 % для перовскитного солнечного элемента со структу-рой FTO/TiO2/CH3NH3SnI3/Cu2O/C (ток короткого замыкания 31,94 мА/см2, напряже-ние холостого хода 0,95 В, фактор заполнения 76,07 %). Результаты могут быть ис-пользованы при разработке и изготовлении нетоксичных, высокоэффективных и не-дорогих перовскитных солнечных элементов.
The article discusses the numerical simulation of a lead-free perovskite solar cell in the SCAPS-1D program to optimize its structure and improve the energy conversion efficiency. The influence of the thickness, concentration of defects and acceptors in the layer of lead-free perovskite CH3NH3SnI3, as well as the work function of the back contact material on the photovoltaic parameters of a solar cell has been studied. It was found that the optimal thickness of the CH3NH3SnI3 layer is 500 nm, the concentration of defects should be on the order of 1014–1015 cm-3, and the optimal concentration of acceptors should be 1016 cm-3. It is shown that the work function of the rear contact material must be at least 4.9–5 eV to create highly efficient solar cells. A maximum efficiency of 23.13 % was obtained for a perovskite solar cell with the FTO/TiO2/CH3NH3SnI3/Cu2O/C structure (short circuit current 31.94 mA/cm2, open circuit voltage 0.95 V, fill factor 76.07 %). The results can be used in the design and manufacture of non-toxic, high-performance and low-cost perovskite solar cells.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 621.383.51. Фотогальванические элементы, солнечные элементы и батареи (вентильные элементы, панели)
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2022-1-19-27
- eLIBRARY ID
- 48038955
В работе создана модель бессвинцового перовскитного солнечного элемента со структурой FTO/TiO2/CH3NH3SnI3/Cu2O/C в про-грамме SCAPS-1D. Проведено исследование влияния толщины, концентраций дефектов и акцепторов в слое перовскита CH3NH3SnI3, а также работы выхода из материала тыльного контакта на фотоэлектрические параметры солнечного элемента. Получено, что оптимальная толщина слоя перовскита CH3NH3SnI3 составляет 500 нм, концентрация дефектов в перовските должна составлять порядка 1014–1015 см-3, а оптимальная концентрация акцепторов должна составлять 1016 см-3.
Показано, что работа выхода материала тыльного контакта должна быть не менее 4,9–5 эВ для создания высокоэффективных солнечных элементов. Получена максимальная эффективность 23,13 % для бессвинцового перовскитного солнечного элемента со структурой FTO/TiO2/CH3NH3SnI3/Cu2O/C, что на 1,58 % выше, чем теоретическая эффективность для структуры FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/Cu2O/Au [14]. Результаты могут быть использованы при разработке и изготовлении нетоксичных, высокоэффективных и недорогих перовскитных солнечных элементов.
Список литературы
- Linfeng Cai, Furong Zhu // Nano Select. 2021. Vol. 2. P. 1417.
- N. Suresh Kumar, K. Chandra Babu Naidu // Journal of Materiomics. 2021. Vol. 7. P. 940.
- Weifu Sun, Kwang-Leong Choy, Mingqing Wang // Molecules. 2019. Vol. 24. P. 3466.
- Mottakin M., Sobayel K., Dilip Sarkar, Hend Alkhammash, Sami Alharthi, Kuaanan Techato, Md. Sha-hiduzzaman, Nowshad Amin, Kamaruzzaman Sopian, Md. Akhtaruzzaman // Energies. 2021. Vol. 14. P. 7200.
- Hui-Jing Du, Wei-Chao Wang, Jian-Zhuo Zhu // Chin. Phys. B. 2016. Vol. 25. P. 108803.
- Saquib Ahmed, Jalen Harris, Jon Shaffer, Mo-han Devgun, Shaestagir Chowdhury, Aboubakr Abdullah, Sankha Banerjee // Journal of Materials Research. 2019. Vol. 34. P. 2789.
- Mingzhen Liu, Michael B. Johnston, Henry J. Snaith // Nature. 2013. Vol. 501. P. 393.
- Kudryashov D. A., Gudovskikh A. S., Babichev A. V., Filimonov A. V., Mozharov A. M., Agekyan V. F., Bori-
sov E. V., Serov A. Yu., Filosofov N. G. // Semiconductors. 2017. Vol. 51. P. 11. - Behrouznejad F., Shahbazi S., Taghavinia N., Hui-Ping Wud, Eric Wei-Guang Diau // J. Mater. Chem. A. 2016. Vol. 4. P. 13488.
- Burgelman M., Nollet P., Degrave S. // Thin So-lid Films. 2000. Vol. 361–362. P. 527.
- Minemoto T., Murata M. // J. of Appl. Phys. 2014. Vol. 116. P. 054505.
- Himanshu Dixit, Deepak Punetha, Saurabh Kumar Pandey // International Journal for Light and Electron Optics. 2019. Vol. 179. P. 969.
- Malyukov S. P., Sayenko A. V., Ivanova A. V. // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. 2016. Vol. 151. P. 012033.
- Sayenko A. V., Malyukov S. P., Palii A. V., Gon-charov E. V. // Applied Physics. 2021. № 2. P. 45.
- Takashi Minemoto, Yu Kawano, Takahito Nis-himura, Jakapan Chantana // Optical Materials. 2019. Vol. 92. P. 60.
- Abdelaziz S., Zekry A., Shaker A., Abouelatta M. // Optical Materials. 2020. Vol. 101. P. 109738.
- Neelima Singh, Alpana Agarwal, Mohit Agar-wal // Solar Energy. 2020. Vol. 208. P. 399.
- Kawano Yu., Jakapan Chantana, Takahito Nishimura, Takashi Minemoto // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2020. Vol. 205. P. 110252.
- Huanping Zhou, Qi Chen, Gang Li, Song Luo, Tze-bing Song, Hsin-Sheng Duan, Ziruo Hong, Jingbi You, Yongsheng Liu, Yang Yang // Science. 2014. Vol. 345.
P. 542. - Tejas S. Sherkar, Cristina Momblona, Lidon Gil-Escrig, Jorge Avila, Michele Sessolo, Henk J. Bolink, L. Jan Anton Koster // ACS Energy Letters. 2017. Vol. 2. P. 1214.
- Feng Hao, Constantinos C. Stoumpos, Peijun Guo, Nanjia Zhou, Tobin J. Marks, Robert P. H. Chang, Mercouri G. Kanatzidis // J. Am. Chem. Soc. 2015. Vol. 137. P. 11445.
- Feng Hao, Constantinos C. Stoumpos, Duyen Hanh Cao, Robert P. H. Chang, Mercouri G. Kanatzidis // Nature Photonics. 2015. Vol. 137. P. 489.
- Linfeng Cai and Furong Zhu, Nano Select 2, 1417 (2021).
- N. Suresh Kumar and K. Chandra Babu Naidu, Journal of Materiomics 7, 940 (2021).
- Weifu Sun, Kwang-Leong Choy, and Mingqing Wang, Molecules 24, 3466 (2019).
- M. Mottakin, K. Sobayel, Dilip Sarkar, Hend Alkhammash, Sami Alharthi, Kuaanan Techato, Md. Shahiduzzaman, Nowshad Amin, Kamaruzzaman Sopian, and Md. Akhtaruzzaman, Energies 14, 7200 (2021).
- Hui-Jing Du, Wei-Chao Wang, and Jian-Zhuo Zhu, Chin. Phys. B 25, 108803 (2016).
- Saquib Ahmed, Jalen Harris, Jon Shaffer, Mohan Devgun, Shaestagir Chowdhury, Aboubakr Abdullah, and Sankha Banerjee, Journal of Materials Research 34, 2789 (2019).
- Mingzhen Liu, Michael B. Johnston, and Henry J. Snaith, Nature 501, 393 (2013).
- D. A. Kudryashov, A. S. Gudovskikh, A. V. Babichev, A. V. Filimonov, A. M. Mozharov, V. F. Agekyan, E. V. Borisov, A. Yu. Serov, and N. G. Filosofov, Semiconductors 51, 11 (2017).
- F. Behrouznejad, S. Shahbazi, N. Taghavinia, Hui-Ping Wud, and Eric Wei-Guang Diau, J. Mater. Chem. A 4, 13488 (2016).
- M. Burgelman, P. Nollet, and S. Degrave, Thin Solid Films 361–362, 527 (2000).
- T. Minemoto and M. Murata, J. of Appl. Phys. 116, 054505 (2014).
- Himanshu Dixit, Deepak Punetha, and Saurabh Kumar Pandey, International Journal for Light and Electron Optics 179, 969 (2019).
- S. P. Malyukov, A. V. Sayenko, and A. V. Ivanova, IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 151, 012033 (2016).
- A. V. Sayenko, S. P. Malyukov, A. V. Palii, and E. V. Goncharov, Applied Physics, No. 2, 45 (2021).
- Takashi Minemoto, Yu Kawano, Takahito Nishimura, and Jakapan Chantana, Optical Materials 92, 60 (2019).
- S. Abdelaziz, A. Zekry, A. Shaker, and M. Abouelatta, Optical Materials 101, 109738 (2020).
- Neelima Singh, Alpana Agarwal, and Mohit Agarwal, Solar Energy 208, 399 (2020).
- Yu Kawano, Jakapan Chantana, Takahito Nishimura, and Takashi Minemoto, Solar Energy Materials and So-lar Cells 205, 110252 (2020).
- Huanping Zhou, Qi Chen, Gang Li, Song Luo, Tze-bing Song, Hsin-Sheng Duan, Ziruo Hong, Jingbi You, Yongsheng Liu, and Yang Yang, Science 345, 542 (2014).
- Tejas S. Sherkar, Cristina Momblona, Lidon Gil-Escrig, Jorge Avila, Michele Sessolo, Henk J. Bolink, and L. Jan Anton Koster, ACS Energy Letters 2, 1214 (2017).
- Feng Hao, Constantinos C. Stoumpos, Peijun Guo, Nanjia Zhou, Tobin J. Marks, Robert P. H. Chang, and Mercouri G. Kanatzidis, J. Am. Chem. Soc. 137, 11445 (2015).
- Feng Hao, Constantinos C. Stoumpos, Duyen Hanh Cao, Robert P. H. Chang, and Mercouri G. Kanatzidis, Nature Photonics 137, 489 (2015).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Пименов И. С., Белоусов В. И., Борщеговский А. А., Жарков М. Ю., Неудачин С. В., Рой И. Н., Хайрутдинов Э. Н., Попов Л. Г., М. В. Агапова, Л. М. Бельнова
Система ввода СВЧ-излучения гиротронного комплекса токамака Т-15МД на первой стадии работ 5
Чистолинов А. В., Якушин Р. В., Перфильева А. В.
Свечение второй положительной системы молекулярного азота в разряде с жидким электролитным катодом вблизи поверхности катода в воздухе при атмосферном давлении 12
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Саенко А. В., Малюков С. П., Рожко А. А.
Моделирование структуры бессвинцового перовскитного солнечного элемента 19
Гулаков И. Р., Зеневич А. О., Кочергина О. В.
Исследование пропускной способности оптического канала связи с приемником информации в виде кремниевого фотоэлектронного умножителя в условиях фоновой засветки 28
Сорокин Д. В., Драгунов Д. Э., Ляпустин М. Ю., Семенченко Н. А., Шарганов К. А.
Методы скоростной обработки видеоизображений с большим разбросом яркостей с использованием ПЛИС 34
Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д.
Универсальные формулы для коэффициентов излучения и интегральных плотностей потоков излучения черных тел и субволновых частиц 42
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Исмаилов А. М., Муслимов А. Э.
Ориентационная зависимость процессов травления подложек сапфира 51
Гавриш С. В.
Импульсный разряд в парах смесей цезия с металлами 58
Чебан А. Ю.
Технология разработки тонких рудных тел с предварительной лазерной дезинтеграцией прочных горных пород 64
Кононов М. А., Растопов С. Ф.
Оптическая система контроля роста пленок Si3N4 на кварцевых подложках, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления кремниевой мишени 70
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Генцелев А. Н., Баев С. Г.
Способы изготовления самонесущих рентгеношаблонов 75
Воеводин В. В., Ребров И. Е., Хомич В. Ю., Ямщиков В. А.
Электрофизическая установка для электроформования полимерных материалов на диэлектрические подложки посредством смены полярности 83
Денисов Д. Г.
Анализ влияния ограничительных факторов в методе дифференциального рассеяния при контроле поверхностных неоднородностей субнанометрового уровня профилей оптических деталей 89
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
I. S. Pimenov, V. I. Belousov, A. A. Borschegovskiy, M. Y. Zharkov, S. V. Neudatchin, I. N. Roy, E. N. Khayrutdinov, L. G. Popov, M. V. Agapova, and L. M. Belnova
HF-launcher system of the gyrotron set-up of the T-15MD tokamak on the first stage operation 5
A. V. Chistolinov, R. V. Yakushin, and A. V. Perfilieva
Emission of the second positive system of molecular nitrogen in a discharge with a liquid electrolyte cathode near the cathode surface in air at atmospheric pressure 12
PHOTOELECTRONICS
A. V. Saenko, S. P. Malyukov, and A. A. Rozhko
Modeling the structure of a lead-free perovskite solar cell 19
I. R. Gulakov, A. O. Zenevich, O. V. Kochergina
Investigation of the optical communication channel throughput of an information receiver in the form of a silicon photomultiplier tube under conditions of background illumination 28
D. V. Sorokin, D. E. Dragunov, M. Y. Lyapustin, N. A. Semenchenko, and K. A. Sharganov
FPGA-based methods for high-speed processing of video images with large brightness scatter 34
A. N. Sviridov, L. D. Saginov
Universal formulas for calculating emissivity and integral radiation flux densities of black bodies and subwavelength particles 42
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
A. M. Ismailov and A. E. Muslimov
Orientation dependence of sapphire substrate etching processes 51
S. V. Gavrish
Pulsed discharge in vapors of mixtures of cesium with metals 58
A. Yu. Cheban
Technology of development of thin ore bodies with preliminary laser disintegration of strong rocks 64
M. A. Kononov and S. F. Rastopov
Optical control system for the growth of Si3N4 films on quartz substrates applied by the method of reactive magnetron sputtering of silicon target 70
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
A. N. Gentselev and S. G. Baev
Methods of manufacturing self-supporting X-ray templates 75
V. V. Voevodin, I. E. Rebrov, V. U. Khomich, and V. A. Yamshchikov
Electrophysical setup for the electroforming of polymeric materials onto dielectric materials by reversing the polarity 83
D. G. Denisov
The analysis of the influence of limiting factors in the method of differential scattering in the control of surface inhomogeneities of the subnanometer level of the profiles of optical parts 89
Другие статьи выпуска
Для достижения высоких технологические показателей качества различных оптических деталей нового поколения, необходим не только современный подход к методам и средствам обработки деталей, но и реализация перспективных высокоточных бесконтактных методов диагностики. Особое внимание в единой технологической цепочке занимают стадии глубокой полировки, когда высотные статистические параметры профилей достигают нано- и субнанометровых уровней. Для диагностики высотных статистических параметров субнанометрового уровня на сегодняшний день применяются различные классы оптико-электронных приборов и систем. Наибольший интерес в задачах высокоточного аттестационного контроля представляют такие перспективные приборы и системы, как: динамические интерферометры, а также приборы, позволяющие оценивать среднеквадратическое значение поверхностных неоднородностей субнанометрового уровня по данным анализа индикатрисы рассеянного лазерного излучения. В мировой практике методы, основанные на анализе индикатрис рассеянного лазерного излучения, классифицируются на [1–7]: методы полного интегрального рассеяния (TIS – Total Integrated Scattering), методы определения функции распределения коэффициента отражения по двум угловым координатам (метод определения характеристики BRDF – Bidirectional Reflectance Distribution Func-tion), методы дифференциального рассеяния (ARS – Angle-Resolved Scattering). Анализ влияния ограничительных факторов в методе дифференциального рассеяния позволяет определить его систематическую погрешность и повысить точность измерения.
Представлены и реализованы схемотехнические решения питания установки для получения нетканых материалов методом электроформования на коллекторы, покрытые диэлектриком. При помощи нескольких высоковольтных коммутаторов достигается периодическая смена полярности полимерного раствора, что позволяет осуществить осаждение полимерной струи при отсутствии стекания заряда с формованного материала. Приведены характерные электрические характеристики процесса и показаны возможные модификации установки.
Описаны конструкция и способы изготовления самонесущих высококонтрастных в рентгеновском спектральном диапазоне длин волн ( ≈ 0,6÷14 Å) рентгеношаблонов, являющихся инструментом для формирования высокоаспектных резистивных топологий толщиной до 1 мм и более, причем как из позитивных, так и негативных рентгенорезистов. Подробно описаны два способа изготовления: на основе плазмохимического травления и на основе лазерной резки. Были изготовлены образцы обоими этими способами и проведено их сравнение. Выполненная работа показывает, что таким образом можно изготавливать самонесущие высококонтрастные рентгеношаблоны и LIGA-шаблоны из промышленно выпускаемых фольг тяжелых металлов, таких как тантал и др. с минимальными топологическими размерами до 15 мкм. Способ лазерной резки с использованием мощного фемтосекундного лазера более оперативен и требует существенно меньшей технологической подготовки и меньшего количества операций для его реализации.
Тонкие пленки нитрида кремния широко применяются как в микроэлектронике, так и в оптических и оптоэлектронных приборах. Для получения пленок Si3N4 используются такие методы как химическое осаждение из газовой фазы и магнетронное напыление. В работе представлены результаты исследований по контролю над ростом и оптическими свойствами пленок Si3N4 устройством, работа которого основана на возбуждении поверхностного плазмонного резонанса и позволяет активно влиять на процесс роста нитридной пленки.
Представлены результаты резания прочных горных пород мощным лазерным излучением. Предлагается технико-технологическое решение для селективной выемки богатых участков тонких рудных жил из массива прочных горных пород с применением горного комбайна, оснащенного комбинированным лазерно-механическим оборудованием. Лазерное воздействие ведется за контурами тонкой жилы с дезинтеграцией минерализованных вмещающих пород и их последующим фрезерованием с целью образования обнаженных поверхностей в нижней части тонкой жилы для последующей отбойки руды гидравлическим молотом. Дифференцированная разработка массива с применением рационального сочетания различных способов дезинтеграции прочных пород обеспечивает реализацию принципа ресурсосбережения в горном производстве.
На основе результатов расчетных и экспериментальных исследований показана перспективность использования сплава цезия с рубидием в качестве плазмообразующей среды в серийных импульсных источниках ИК-излучения. Установлено, что при 25 % весовом содержании рубидия в сплаве с цезием давление паров и теплопроводность плазмы близки к указанным характеристикам серийной импульсной лампы, наполненной амальгамой цезия. Полученные результаты позволили повысить пиковую мощность излучения и создать экологически чистый импульсный источник ИК-излучения.
Проведен анализ процессов травления сапфировых подложек. Рассматриваются особенности использования методов химико-механического, лазерного, ионного, электронного травления сапфировых подложек. Определено, что при химико-механическом и лазерном травлении плоскостей сапфира происходит послойное удаление материала через промежуточные процессы внутрислоевого растрескивания, а скорость травления коррелирует с межплоскостным расстоянием. В случае применения ионного и электронного травления основным механизмом является образование пронизывающих пор, треков, которые ослабляют межатомные связи и приводят к разрушению кристаллической решетки сапфира. При этом скорость травления различных плоскостей кристалла сапфира коррелирует с потенциальной энергией межатомного взаимодействия внутри соответствующей плоскости. Наименьшая интенсивность F+-полосы катодолюминесценции, как и скорость генерации кислородных вакансий наблюдается для С-плоскости сапфира, атомы кислорода в которых формируют плотноупакованный каркас. Наибольшая интенсивность катодолюминесценции наблюдается для А-плоскости сапфира, в которой атомы обладают наименьшей потенциальной энергией.
Впервые получены универсальные формулы, пригодные для расчетов коэффициентов излучения и интегральных плотностей потоков излучения как тел, имеющих размеры много большие, чем излучаемые ими длины волн («большие тела»), так и субволновых тел (частиц). К несомненным достоинствам предложенного метода расчета, базирующегося на теории мод, следует отнести: точную связь между размерами, формой и температурой тел и величинами коэффициентов излучения и интегральных плотностей потоков излучения; этот метод гораздо менее трудоемок и более нагляден, чем другие методы.
Исследована пропускная способность оптического канала связи с приемником информации в виде кремниевого фотоэлектронного умножителя (Si-ФЭУ) в условиях фоновой засветки. Представлены зависимости пропускной способности оптического канала связи от уровня фоновой засветки, а также определены уровни фоновой засветки, необходимой для «ослепления» фотоприемника от перенапряжения. Показано, что использование светофильтра с длиной волны 470 нм, соответствующего максимуму спектральной чувствительности Si-ФЭУ, позволяет восстановить информационный сигнал после «ослепления». Полученные результаты могут быть использованы при разработке оптических систем связи.
Измерена интенсивность свечения второй положительной системы азота вблизи поверхности раствора в разряде с жидким электролитным катодом при атмосферном давлении в воздухе для водных растворов разного состава. Показано, что интенсивность свечения для всех исследованных растворов сильно падает с ростом разрядного тока от 20 до 100 мА. Показано, что для этих растворов при всех разрядных токах вращательная и колебательная температуры, определённые по молекулярному азоту, идентичны и равны соответственно 2400 и 3800 К. Обсуждаются возможные причины различия в интенсивности свечения второй положительной системы азота при одинаковых температурах.
В настоящее время в Национальном исследовательском центре «Курчатовский институт» идёт подготовительная стадия работ для первых экспериментов на токамаке Т-15МД. Одним из этапов подготовки является сооружение гиротронного комплекса и конструирование системы ввода СВЧ-мощности для электронно-циклотронного резонансного (ЭЦР) нагрева плазмы. Во время наладочных работ, в связи с пониженным энергопитанием, Т-15МД будет работать с относительно низкими магнитными полями (тороидальное магнитное поле в центре плазмы Btor(r/a = 0) 1,5 Тл). Поэтому частота гиротрона выбрана равной 82,6 ГГц при длительности импульса до 30 секунд с выходной мощностью около 1 МВт. Эксперименты предполагается проводить на второй гармонике необыкновенной волны при вводе СВЧ-излучения с внешней стороны вакуумной камеры (резонанс при Btor 1,5 Тл). СВЧ-излучение гиротрона поступает к фланцу камеры установки по вакуумному гофрированному волноводу, длинной около 35 м, с внутренним диаметром 63,5 мм. Главной задачей гиротронного комплекса Т-15МД на первой стадии работ является предыонизация рабочего газа. Система ввода позволяет фокусировать волновой пучок, и в области фокусировки плотность мощности в поперечном сечении достигает значений 0,200,25 МВт/см2, что аналогично успешным экспериментам по пробою на токамаке Т-10. Последнее зеркало системы ввода способно отклонять пучок в тороидальном и полоидальном направлениях в пределах (25о) и (–5о)(+35о) соответственно. Это придаёт гибкость экспериментам, как по пробою, так и другим задачам по ЭЦР-нагреву и поддержанию безындукционного тока электронно-циклотронными волнами на квазистационарной стадии разряда. В условиях пробоя на стороне сильного магнитного поля (Btor(r/a = 0) 1,3 Тл), электротехническая система Т-15МД позволяет быстро поднять поле в процессе разряда, переместив нагрев в центр.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400