Анализ влияния ограничительных факторов в методе дифференциального рассеяния при контроле поверхностных неоднородностей субнанометрового уровня профилей оптических деталей (2022)
Для достижения высоких технологические показателей качества различных оптических деталей нового поколения, необходим не только современный подход к методам и средствам обработки деталей, но и реализация перспективных высокоточных бесконтактных методов диагностики. Особое внимание в единой технологической цепочке занимают стадии глубокой полировки, когда высотные статистические параметры профилей достигают нано- и субнанометровых уровней. Для диагностики высотных статистических параметров субнанометрового уровня на сегодняшний день применяются различные классы оптико-электронных приборов и систем. Наибольший интерес в задачах высокоточного аттестационного контроля представляют такие перспективные приборы и системы, как: динамические интерферометры, а также приборы, позволяющие оценивать среднеквадратическое значение поверхностных неоднородностей субнанометрового уровня по данным анализа индикатрисы рассеянного лазерного излучения. В мировой практике методы, основанные на анализе индикатрис рассеянного лазерного излучения, классифицируются на [1–7]: методы полного интегрального рассеяния (TIS – Total Integrated Scattering), методы определения функции распределения коэффициента отражения по двум угловым координатам (метод определения характеристики BRDF – Bidirectional Reflectance Distribution Func-tion), методы дифференциального рассеяния (ARS – Angle-Resolved Scattering). Анализ влияния ограничительных факторов в методе дифференциального рассеяния позволяет определить его систематическую погрешность и повысить точность измерения.
To achieve high technological quality indicators of various optical parts of a new generation, not only a modern approach to the methods and means of processing parts is necessary, but also the implementation of promising high-precision non-contact diagnostic methods. Particular attention in a single technological chain is occupied by the stages of deep polishing, when the height statistical parameters of the profiles reach nano- and sub-nanometer levels. To diagnose high-altitude statistical parameters of the subnanometer level, various classes of optoelectronic devices and systems are currently used. Of greatest interest in the problems of high-precision certification control are such promising devices and systems as: dynamic interferometers, as well as devices that allow estimating the root-mean-square value of surface inhomogeneities of the sub-nanometer level according to the analysis of the scattered laser radiation indicatrix. In world practice, methods based on the analysis of the indicatrices of scattered laser radiation are classi-fied into [1–7]: methods of total integral scattering (TIS-Total Integrated Scattering), methods for determining the distribution function of the reflection coefficient in two angular coordinates (method for determining the characteristic BRDF - Bidirectional Reflectance Distribution Function), differential scattering methods (ARS–Angle-Resolved Scattering). Analysis of the influence of limiting factors in the differential scattering method makes it possible to determine its systematic error by increasing the measurement accuracy.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2022-1-89-96
- eLIBRARY ID
- 48038965