Научный архив: статьи

Представлены результаты экспериментальных исследований по резанию карбонатных горных пород лазерным излучением. Предлагается лазерный автоматизированный комплекс для оснащения карьерных комбайнов при технологической подготовке скальных пород к выемке.

В первом борновском приближении найдены сечения неполяризованного тормозного излучения электронов, ускоряемых однородным электрическим полем и проходящих через упорядочную многослойную структуру кулоновых центров. Проведенный численными методами анализ полученных сечений показал, что с увеличением числа слоев кулоновых центров, к которым внешнее поле нормально, пространственная структура тормозного излучения заметно изменяется по сравнению с излучением на одном слое. Такое изменение связано с быстрым ростом (с увеличением числа слоев) вклада в тормозное излучение рассеяния электронов на кулоновых центрах по сравнению с их движением в однородном поле.

Построена нелинейная теория плазменно-пучковых супергетеродинных лазеров на свободных электронах доплертронного и Н-убитронного типов с учетом неосевого влета релятивистского электронного пучка по отношению к продольному фокусирующему магнитному полю. Показано, что с увеличением угла влета электронного пучка коэффициент усиления электромагнитного сигнала увеличивается. Выяснено, что такое увеличение усиления сигнала определяется возрастанием инкремента нарастания плазменно-пучковой неустойчивости, что связано с уменьшением продольной энергии электронов.

Исследованы наночастицы, образовавшиеся в плазме емкостного высокочастотного разряда при распылении керамической мишени титаната бария-стронция в среде кислорода. В полученных спектрах комбинационного рассеяния наблюдаются как линии исходного сложного оксида, так и линии простых оксидов. Приведены временные зависимости концентрации пыли в потенциальной ловушке, проанализирована динамика изменений. Сделанные оценки скорости движения пылевых частиц в разрядной камере согласуются с экспериментальными результатами.

Методом малоуглового рентгеновского рассеяния исследована наноструктура кристаллов карбида кремния. Детальный анализ индикатрис рассеяния позволил установить наличие структурных неоднородностей в виде точечных дефектов, линейных и объемных фракталов. Характерной особенностью кристаллов является отсутствие фрактальных поверхностей раздела рассеивающих образований и агрегатов.

Ранее нами было показано, что увеличение выхода вторичных ионов из полупроводника при подсветке связано с раскачкой кристаллической решетки за счет энергии рекомбинирующих электронно-дырочных пар в узкозонной фазе. Применение подобных рассуждений к электронному газу в полупроводниках наводит на мысль о возможности туннельной фотоэмиссии электронов под действием плазменного резонанса в ближней и средней инфракрасной области спектра. Необходимый рельеф поверхности может быть обеспечен в гетерофазных радиационно-стойких пленках типа CdS-PbS.

В данной статье представлен анализ имеющихся в настоящее время экспериментальных работ по получению лазерной генерации в структурах CdxHg1-xTe (КРТ) с множественными квантовыми ямами (МКЯ), выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии (МЛЭ). Для рассмотренных структур было проведено моделирование электронного спектра носителей заряда в квантовой яме, рассчитаны энергии оптических переходов и дана интерпретация наблюдаемых в экспериментах пиков спонтанного и стимулированного излучения.

Обсуждаются преимущества лазерного акселерометра с неподвижным содержимым. Он основан на новых явлениях динамического изменения моды излучения в жёстком лазерном резонаторе (без движущихся или напрягающихся при движении частей) при его ускоренном движении. Создан прототип автономного резонаторного датчика.

В работе исследованы эпитаксиальные структуры n-InAs, выращенные на сильнолегированной подложке n++-InAs методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Представлены экспериментально полученные спектры показателя поглощения n++-InAs при 83 К и 300 К. Проведено сравнение спектральных зависимостей доли поглощаемого в эпитаксиальном слое излучения при облучении со стороны подложки с различным уровнем легирования n = (0,6–3,3)·1018 см-3.

Авторами показано, что при изготовлении матриц фоточувствительных элементов на гетероструктурах InGaAs/InP по мезапланарной технологии использование травителя HCl: HNO3: CH3COOH: H2O2 = 1:6:1:1 позволило воспроизводимо получать мезаструктуры глубиной 3÷7 мкм с полированной боковой поверхностью и углом наклон мезаструктуры 60°.

Проведено сравнение результатов измерений среднеквадратичного отклонения профиля шероховатости (rms) поверхности подложек CdZnTe методами конфокальной микроскопии (КМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рентгеновской рефлектометрии (РР). Установлено, что метод КМ дает большие значения rms, метод АСМ занимает промежуточное положение, а РР дает значения на порядок меньшие остальных двух методов. Показано, что значения rms существенно различаются в КМ при использовании разных объективов. Обсуждаются возможные причины рассогласования полученных результатов.

Экспериментально исследована полная проводимость МДП-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe в широком диапазоне частот и температур. Наличие варизонного слоя в МДП-структурах на основе n-HgCdTe (x = 0,22—0,23) приводит к эффективному подавлению процессов туннелирования через глубокие уровни. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда в сильной инверсии для МДП-структур на основе n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 с варизонным слоем, а также x = 0,31—0,32) ограничено процессами генерации Шокли-Рида в диапазоне температур 8—77 К.