ОБЩАЯ ФИЗИКА
Экспериментальная оценка качества лазерного излучения в методе дифференциального рассеяния Денисов Д. Г.
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Неохлаждаемый матричный фотосенсор 640512 с расширенной областью чувствительности 0,4–2,0 мкм на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS cо слоем из p-NiOx, блокирующим электроны Пономаренко В. П., Попов В. С., Панков М. А., Хамидуллин К. А., Деомидов А. Д., Федоров А. А., Деев Г. Ю., Драгунов Д. Э., Епифанов О. В., Зарипов Ш. И., Лазарев П. С., Мирофянченко Е. В., Ильинов Д. В., Петрушина В. А., Бурлаков И. Д., Полесский А. В., Старцев В. В., Бричкин С. Б., Спирин М. Г., Товстун С. А., Гапанович М. В., Гак В. Ю., Гадомская А. В., Певцов Д. Н., Кацаба А. В., Кириченко А. С., Демкин Д. В., Иванова В. А., Иванов В. В., Разумов В. Ф.
Новый прекурсор серы для синтеза экологически безопасных коллоидных квантовых точек CuInS2 Шуклов И. А., Серая А. В., Шалагин А. Ю., Лим В. В., Миленкович Т., Вершинина О. В., Яковлев В. О., Попов В. С., Иванов В. В.
Расчет частот смешанных плазмон-фононных мод для p-InSb и p-GaSb при Т = 295 К
Белов А. Г., Молодцова Е. В., Журавлев Е. О., Козлов Р. Ю., Комаровский Н. Ю., Кузнецов А. Н., Ларионов Н. А. Образование дефектов диэлектрических слоев в процессах диффузии в кремнии Болтарь К. О., Вильдяева М. Н., Иродов Н. А., Климанов Е. А., Ляликов А. В., Малыгин В. А., Молчанов Д. С., Макарова Э. А. Исследование оптических свойств эпитаксиальных пленок CdTe/GaAs(100), выращенных при различных температурных режимах
Грекова А. А., Климов Е. А., Виниченко А. Н., Бурлаков И. Д.
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Оценка влияния плазменных процессов в вакуумном диоде сильноточного электронного ускорителя «Кальмар» на развитие ударно-волновых процессов в мишенях
Казаков Е. Д., Орлов М. Ю., Смирнова А. Р., Стрижаков М. Г., Сунчугашев К. А., Юсупова Л. М., Ткаченко С. И. Визуализация электрического поля в трансформаторном масле с помощью взвешенных микрокапель воды
Панов В. А., Савельев А. С., Куликов Ю. М. Исследование динамики горения дугового разряда в метан-водородосодержащей атмосфере в плазмотроне переменного тока
Дудник Ю. Д., Сафронов А. А., Ширяев В. Н., Васильев М. И., Васильева О. Б.
Сильноточный фотоэмиссионный тлеющий разряд в смеси Xe–Cs
Марциновский А. М., Гавриш С. В., Коренюгин Д. Г., Гуслин А. С., Кузин В. Н.
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ Оптические свойства вольфрамата кальция, допированного различными лантаноидами (Pr, Nd, Eu, Ce, Sm) Кузнецова П. Д., Муханова Е. А., Волик К. К., Панкин И. А., Солдатов А. В.
Исследование акустических свойств Ван-дер Ваальсовых гетероструктур, содержащих монослой WSe2, методом гиперзвуковой микроскопии
Фролов Н. Ю., Клоков А. Ю., Шарков А. И., Николаев С. Н., Чернопицский М. А., Ченцов С. И., Пугачев М. В., Шуплецов А. В., Кривобок В. С., Кунцевич А. Ю.
Синтез покрытий TiN в парах Cu на сплаве Т15К6 методом гибридной плазменной технологии Семенов А. П., Цыренов Д. Б.-Д., Улаханов Н. С., Семенова И. А.
GENERAL PHYSICS
Experimental evaluation of the quality of laser radiation in the differential scattering method
Denisov D. G.
PHOTOELECTRONICS
Extended spectral response (0.4–2.0 m) uncooled colloidal quantum dot PbS photodetector for large format 640512 with electron blocking layer based on p-NiOx
Ponomarenko V. P., Popov V. S., Pankov M. A., Khamidullin K. A., Deomidov A. D., Fedorov A. A., Deev G. Yu., Dragunov D. E., Epifanov O. V., Zaripov S. I., Lazarev P. S., Mirofyanchenko E. V., Ilyinov D. V., Petrushina V. A., Burlakov I. D., Polessky A. V., Startsev V. V., Brichkin S. B., Spirin M. G., Tovstun S. A., Gapanovich M. V., Gak V. Yu., Gadomska A. V., Pevtsov D. N., Katsaba A. V., Kirichenko A. S., Demkin D. V., Ivanova V. A., Ivanov V. V. and Razumov V. F. 12 New sulfur precursor for the synthesis of environmentally friendly CuInS2 colloidal quantum dots Shuklov I. A., Seraia A. V., Shalagin A. Yu., Lim V. V., Milenkovich T., Vershinina O. V., Iakovlev V. O., Popov V. S. and Ivanov V. V. 21 The calculation of coupled plasmon-phonon mode frequencies for p-InSb and p-GaSb at T = 295 K Belov A. G., Molodtsova E. V., Zhuravlev E. O., Kozlov R. Yu., Komarovskiy N. Yu., Kusnetsov A. N. and Larionov N. A.
Defects insulator layers formation during diffusion in silicon
Boltar K. O., Vil, dyeva M. N., Irodov N. A., Klimanov E. A., Lyalikov A. V., Malygin V. A., Molchanov D. S. and Makarova E. A.
Study of optical properties of CdTe/GaAs(100) epitaxial films grown at various temperature regimes
Grekova A. A., Klimov E. A., Vinichenko A. N. and Burlakov I. D.
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Evaluation of the influence of plasma processes in the vacuum diode of the high-current electron accelerator “Kalmar” on the development of shock-wave processes in targets
Kazakov E. D., Orlov M. Yu., Smirnova A. R., Strizhakov M. G., Sunchugashev K. A., Yusupova L. M. and Tkachenko S. I.
Method of visualization of electric field lines in liquid based on electrohydrodynamic spraying of droplets Panov V. A., Saveliev A. S. and Kulikov Yu. M.
Study of the dynamics of arc discharge burning in a methane-hydrogen-containing atmosphere in an alternating current plasma torch
Dudnik Yu. D., Safronov A. A., Shiryaev V. N., Vasilyev M. I. and Vasilieva O. B.
High-current photoemission glow discharge in a Xe–Cs mixture Martsinjvsky A. M., Gavrish S. V., Korenjugin D. G., Guslin A. S. and Kusin V. N.
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Optical properties of calcium tungstate doped with various lanthanides (Pr, Nd, Eu, Ce, Sm)
Kuznetsova P. D., Mukhanova E. A., Volik K. K., Pankin I. A. and Soldatov A. V.
Study of acoustic properties of van der Waals heterostructure based on WSe2 monolayer using by hypersonic microscopy method
Frolov N. Yu., Klokov A. Yu., Sharkov A. I., Nikolaev S. N., Chernopitsky M. A., Chentsov S. I., Pugachev M. V., Shupletsov A. V., Krivobok V. S. and Kuntsevich A. Yu. Synthesis of TiN coatings in Cu vapor on T15K6 alloy by hybrid plasma technology
Semenov A. P., Tsyrenov D. B.-D., Ulakhanov N. S. and Semenova I. A.
Статьи в выпуске: 5
Рассмотрено влияние диффузии фосфора из жидкого источника (POCl3) и твердого источника (метафосфат алюминия (МФА)) на образование локальных дефектов в слоях SiO2 и на поверхности кремния. Установлено, что вероятной причиной образования дефектов является локальное проплавление слоя окисла жидким фосфорно-силикатным стеклом с образованием твердой фазы, обогащенной кремнием. Глубина дефекта пропорциональна его диаметру и уменьшается с понижением температуры процесса.
Проведены теоретические расчеты и получены значения концентраций легких и тя-желых дырок, а также эффективной массы легких дырок для различных значений приведенного уровня Ферми для p-InSb и p-GaSb при Т = 295 К. При расчетах учитыва-лась непараболичность зоны легких дырок. Вычислены значения волновых чисел, от-вечающих плазменной частоте, а также частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды. Построены градуировочные зависимости, связывающие значения концентраций легких и тяжелых дырок со значениями характеристического волнового числа, отвечающего частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды. Показано, что эти зависимости описываются полиномами второй степени.
Разработан новый прекурсор серы, полученный при растворении элементарной серы в децене-1 при повышенных температурах и давлениях. Детально исследован синтез экологически безопасных коллоидных квантовых точек CuInS2 для видимого диапазона с использованием данного прекурсора. Проведено сравнение прекурсоров индия, различ-ных температурных и концентрационных режимов синтеза. Для полученных образцов наночастиц проведена характеризация их состава и спектральных характеристик. Продемонстрирована возможность использования этого прекурсора серы для получения наночастиц AgInS2. На основе полученных материалов получены тонкие пленки и продемонстрирована принципиальная возможность создания фоточувствительных структур.
Приборы ночного видения с расширенной областью чувствительности от 0,4 мкм до 2,0 мкм имеют важнейшее значение для научных, гражданских и специальных применений. Приведены архитектура и основные характеристики матричного фотосенсора формата 640512 (шаг 15 мкм) с расширенной областью чувствительности (0,4–2,0 мкм), разработанного на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS. Основная часть фототока генерируется в слое ККТ n-PbS-TBAI. Этот слой изготов-лен путем замены исходного лиганда (олеиновая кислота) на йод при обработке слоя ККТ иодидом тетра-н-бутиламмония (TBAI). Слой, блокирующий электроны (транспортный слой для дырок), создавался на основе p-NiOx. Слой, блокирующий дырки (транспортный слой для электронов), изготавливался на основе n-ZnO.
Исследовано и экспериментально проанализировано влияние линзовой и зеркальной оптических схем канала подсвета макетного образца оптико-электронной системы для измерения параметров шероховатости ангстремного уровня оптических поверхностей на качество лазерного излучения. На основе разработанного макетного образца с применением линзовой и зеркальной оптических систем дана количественная оценка таким показателям качества лазерного излучения как M2-параметру и функции контраста спекл-структуры в сечении его энергетического профиля. В результате представленного сравнительного анализа влияния двух оптических систем канала подсвета макетного образца на достижимые показатели качества лазерного излучения, сделаны рекомендации о целесообразности применения линзовой оптической си-стемы в канале подсвета с точки зрения минимальной погрешности проводимых измерений.