Архив статей журнала

Влияние поглощения на свободных носителях заряда на параметры кремниевых фотодиодов (2022)
Выпуск: № 5 (2022)
Авторы: Климанов Евгений Алексеевич, Давлетшин Ренат Валиевич

Приведен расчет фоточувствительности кремниевых фотодиодов с учетом поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях, позволяющий определить требования к их параметрам для снижения этого эффекта.

Показано, что величина пропускания длинноволнового излучения в кремниевых структурах может также уменьшаться за счет поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях.

Сохранить в закладках