Влияние поглощения на свободных носителях заряда на параметры кремниевых фотодиодов (2022)

Приведен расчет фоточувствительности кремниевых фотодиодов с учетом поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях, позволяющий определить требования к их параметрам для снижения этого эффекта.

Показано, что величина пропускания длинноволнового излучения в кремниевых структурах может также уменьшаться за счет поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях.

The calculation results predicts the transmissivity of heavily doped diffusion layers as function of their sheet resistance and wavelength of radiation with accounting free carrier absorption in diffused layers.

Its gives requirements to this layers parameters for reduce this effect on sensitivity silicon photo-diodes.

It is shown also, that silicon structure transmissivity over 2.5 microns’ wavelength is strong dependent on free carrier absorption in in diffused layers.

Тип: Статья
Автор (ы): Климанов Евгений Алексеевич
Соавтор (ы): Давлетшин Ренат Валиевич

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.52. Фотодиоды
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2022-5-38-41
eLIBRARY ID
49606208
Текстовый фрагмент статьи