Архив статей

Неохлаждаемый матричный фотосенсор 640512 с расширенной областью чувствительности 0,4–2,0 мкм на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS cо слоем из p-NiOx, блокирующим электроны (2025)
Выпуск: №2 (2025)
Авторы: Пономаренко В., Попов В., Панков М. А., Хамидуллин К. А., Фёдоров А. А., Драгунов Д. Э., Лазарев П. С., Бурлаков И., Полесский А. В., Старцев В. В., Деомидов А. Д., Деев Г. Ю., Ильинов Д. В., Бричкин С., Спирин М. Г., Певцов Д. Н., Кацаба А. В., Кириченко А. С., Демкин Д. В., Иванова В. А., Иванов В. В., Разумов В. Ф.

Приборы ночного видения с расширенной областью чувствительности от 0,4 мкм до 2,0 мкм имеют важнейшее значение для научных, гражданских и специальных применений. Приведены архитектура и основные характеристики матричного фотосенсора формата 640512 (шаг 15 мкм) с расширенной областью чувствительности (0,4–2,0 мкм), разработанного на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS. Основная часть фототока генерируется в слое ККТ n-PbS-TBAI. Этот слой изготовлен путем замены исходного лиганда (олеиновая кислота) на йод при обработке слоя ККТ иодидом тетра-н-бутиламмония (TBAI). Слой, блокирующий электроны (транспортный слой для дырок), создавался на основе p-NiOx. Слой, блокирующий дырки (транспортный слой для электронов), изготавливался на основе n-ZnO.

Сохранить в закладках
Синтез и свойства коллоидных квантовых точек селенида ртути, полученных с использованием нового прекурсора селена на основе децена-1 (2024)
Выпуск: № 1 (2024)
Авторы: Шуклов И. А., Попов В., Миленкович Т., Иванова В. А., Майорова А. В., Вершинина О. В., Павлова В. Д.

Разработан новый прекурсор селена, полученный при растворении элементарного се-лена в децене-1 при повышенном давлении. Были найдены оптимальные условия для получения реагента с наибольшей реакционной способностью при синтезе наночастиц. Для полученного реагента проведено исследование состава с помощью ЯМР. Исследован синтез коллоидных квантовых точек HgSe с использованием разработанного прекурсора. Полученные ККТ HgSe обладают сильным поглощением в среднем ИК-диапазоне, связанным с внутризонным переходом. Продемонстрирована возможность создания фоточувствительных структур на основе полученного материала.

Сохранить в закладках