Статьи

В статье рассмотрен процесс развития технологии роста монокристаллов германия
методом Чохральского, который позволил использовать свойства германия для
применения в ИК-оптике и в детектирование гамма-излучения.
Ожидается, что германий может вновь вернуться в оптоэлектронику: последние разработки выращивания бездислокационных кристаллов показали, что германий является перспективным материалом для наноразмерных электронных устройств следующего поколения и интеграции оптических функций на логических схемах

В работе представлен обзор современного состояния методов получения некоторых
объемных кристаллов фотоники из расплава. В первой части обзора дан анализ текущего
состояния дел в России для некоторых промышленно важных кристаллов фотоники.
Отмечены факторы, являющиеся значимыми для современного производства, а также
определяющими факторами для контроля состава, структуры, морфологии и других
свойств промышленных оптических материалов.

В статье показаны результаты краткого анализа рынка GaAs-пластин, представлен обзор основных продуктов оптоэлектроники, перечислены мировые производители-лидеры
изделий (слитков, пластин и эпитаксиальных слоев) GaAs и рассмотрена ситуация российской базы производства GaAs-материалов. Двойное полупроводниковое соединение арсенид галлия (GaAs) – традиционный материал СВЧ‑электроники. До недавних пор одним из наиболее быстрорастущих сегментов рынка применений этого материала были высокочастотные интегральные схемы (ИС) на GaAs для мобильной телефонии. Однако
парадигма развития рынка GaAs меняется.
Новым двигателем развития мирового рынка арсенида галлия становится фотоника.