Исследование дефектов структуры в кристаллах CdZnTe методами инфракрасной и оптической микроскопии (2014)
Методом инфракрасной и оптической микроскопии исследованы включения второй фазы и преципитаты микронных размеров в кристаллах CdZnTe. Предложено классифицировать данные типы дефектов по виду границы раздела дефект-матрица, видимую в оптическом микроскопе после селективного травления образцов. Для более точного исследования границы раздела использовался метод растровой электронной микроскопии. Методом энергодисперсионного анализа определен состав исследуемых дефектов.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№6 (2014)