Методом инфракрасной и оптической микроскопии исследованы включения второй фазы и преципитаты микронных размеров в кристаллах CdZnTe. Предложено классифицировать данные типы дефектов по виду границы раздела дефект-матрица, видимую в оптическом микроскопе после селективного травления образцов. Для более точного исследования границы раздела использовался метод растровой электронной микроскопии. Методом энергодисперсионного анализа определен состав исследуемых дефектов.
Micro-scale secondary phase inclusions and precipitates have been investigated in CdZnTe crystals by infrared and optical microscopy. It has been purposed to classify these defects according with a type of defect-matrix boundary observed by optical microscopy after selective etching of samples. Scanning electron microscopy has been used for more thorough examination of this boundary. Defect composition has been determined by energy-dispersive analysis.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 22628841
Поскольку не существует единого мнения по вопросу о четком разделении дефектов, наблюдаемых в ИК-микроскопе, на включения и преципитаты, была предложена классификация, в соответствии с которой к включению второй фазы относится дефект, имеющий некогерентную границу раздела с окружающей матрицей и отличающийся от него по составу, а преципитат — структурное нарушение кристаллической решетки, представляющее собой, в основном, скопление одного типа атомов с когерентной границей раздела дефект-матрица и небольшими флуктуациями состава.
Было проведено сравнение темных контрастных пятен, наблюдаемых в ИК-микроскопе в приповерхностной области пластин, с оптическими изображениями тех же участков образцов после селективного травления. На основе предложенной классификации показано, что дефекты гексагональной/треугольной формы и звездоподобные образования представляют собой включения второй фазы, в то время как вытянутые конгломераты мелких контрастных ИК-пятен являются скоплениями преципитататов.
Методом энергодисперсионного анализа был исследован состав дефектов, который показал, что включения второй фазы содержат избыток либо Te, либо Cd, а преципитаты имеют состав, практически не отличающийся от окружающей матрицы. Это может быть связано с ограниченностью ЭДС по чувствительности и вытравливанием избыточного компонента во время селективного травления.
Список литературы
1. Magee T. J., Peng J., Bean J. // Physica Status Solidi (a). 1975. V. 27. No. 2. P. 557.
2. Jiqian Zhu, Xiaoping Zhang, Biao, Junhao Chu // Infr. Phys. Tech. 1999. V. 40. P. 411.
3. Jayatirtha H. N., Henderson D. O, Burger A. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 573.
4. Shin S. H., Bajaj J., Moudy L. A., et al. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43. P. 68.
5. Anand K. J. // Int. J. Engineer. Manag. Sci. 2013. V. 4. No. 1. P. 4.
6. Kulkarni G. A., Koteswara Rao K. S. R., Raman R., et al. // Physics of Semiconductor Devices. 2007. IWPSD 2007. International Workshop on. P. 453.
7. Biao Li, Jiqian Zhu, Xiaoping Zhang, et al. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 181. P. 204.
8. Sheng F. F., Zhou C., Sun S. W., et al. // J. Electron. Mater. 2014. V. 43. No. 5. P. 1397.
9. Vydyanath H. R., Ellsworth J., Kennedy J. J., et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992. V. 10. No. 4. P. 1476.
10. Sen S., Liang C. S., Rhiger D. R., et al. // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. No. 8. P. 1188.
11. Vydyanath H. R., Ellsworth J. A., Parkinson J. B., et al. // J. Electron. Mater. 1993. V. 22. No. 8. P. 1073.
12. Rudolph P., Neubert M., Muhlberg M. // J. Cryst. Growth. 1993. V. 128. P. 582.
13. Rudolph P., Engel A., Schentke I., et al. // J. Cryst. Growth. 1995. V. 147. P. 297.
14. Rudlph P. // Cryst. Res. Technol. 2003. V. 38. No. 7—8. P. 542.
15. Hossain A., Bolotnikov A. E., Camarda G. S., et al. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. P. 1795.
16. Rodriguez M. E., Zelaya-Angel O., Perez Bueno J. J., et al. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 213. P. 259.
17. Yadong Xu, Wanqi Jie, Tao Wanga, et al. // J. Alloys Comp. 2011. V. 509. No. 5. P. 2338.
18. Bhaladhare Sachin, Gitau Munge W., Santosh Swain, et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 8142. P. 814210-1.
19. Belas E., Bugar M., Grill R., et al. // J. Electron. Mater. 2007. V. 36. No. 8. P. 1025.
20. Belas E., Bugar M., Grill R., et al. // J. Electron. Mater. 2008. V. 37. No. 9. P. 1212.
21. Sun S. W., Zhou C. H., Yu H. X., et al. // Proc. SPIE. 2013. V. 8907. P. 890704-1.
22. Xu L., Jie W., Bolotnikov A. E., et al. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 355. No. 1. P. 84.
23. Mackenzie J., Kumar F. J., Chen H. // J. Electron. Mater. 2013. V. 42. No. 11. P. 3129.
24. Sheng F. F., Cui X. P, Sun S. W., et al. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 354. P. 76.
25. Pengfei Yu, Wanqi Jie // Cryst. Eng. Comm. 2013. V. 15. P. 5045.
26. Фистуль В. И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. — М.: Металлургия, 1977.
27. Денисов И. А., Смирнова Н. А., Андрусов Ю. Б. и др. // Прикладная физика. 2011. № 5. C. 35.
28. Tao Wang , Wanqi Jie, Dongmei Zeng. // Mat. Sci. Engineer. A. 2008. V. 472. No. 5. P. 227.
29. Durose K., Russel G. J., Woods J. // J. Cryst. Growth. 1985. V. 72. P. 85.
30. Шматов Н. И., Смирнова Н. А., Белов А. Г. и др. // Материалы электронной техники. 2006. № 3. С. 28.
31. Инденбаум Г. В., Бароненкова Р. П., Бойных Н. М. // Физика и химия обработки материалов. 1971. № 2. С. 91.
32. Brion H. G., Mewes C., Hahn I., et al. // J. Cryst. Growth. 1993. V. 134. P. 281.
33. Kim W. J., Park M. J., Kim S. U., et al. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 104. P. 677.
1. T. J. Magee, J. Peng, and J. Bean, Physica Status Solidi (a) 27, 557 (1975).
2. Zhu Jiqian, Zhang Xiaoping, Biao, et al., Infr. Phys. Tech. 40, 411 (1999).
3. H. N. Jayatirtha, D. O. Henderson, and A. Burger, Appl. Phys. Lett. 62, 573 (1993).
4. S. H. Shin, J. Bajaj, L. A.,Moudy, et al., Appl. Phys. Lett. 43, 68 (1983).
5. K. J. Anand, Int. J. Engineer. Manag. Sci. 4, 4 (2013).
6. G. A. Kulkarni, Rao K. S. R. Koteswara, R. Raman, et al., in Proc. on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2007. International Workshop), p. 453.
7. Biao Li, Jiqian Zhu, Xiaoping Zhang, et al., J. Cryst. Growth. 181, 204 (2007).
8. F. F. Sheng, C. Zhou, S. W. Sun, et al., J. Electron. Mater. 43, 1397 (2014).
9. H. R. Vydyanath, J. Ellsworth, J. J. Kennedy, et al., J. Vac. Sci. Technol. B. 10, 1476 (1992).
10. S. Sen, C. S. Liang, D. R. Rhiger, et al., J. Electron. Mater. 25, 1188 (1996).
11. H. R. Vydyanath, J. A. Ellsworth, J. B. Parkinson, et al., J. Electron. Mater. 22, 1073 (1993).
12. P. Rudolph, M. Neubert, and M. Muhlberg , J. Cryst. Growth. 128, 582 (1993).
13. P. Rudolph, A. Engel, I. Schentke, et al., J. Cryst. Growth. 147, 297 (1995).
14. P. Rudolph, Cryst. Res. Technol. 38, 542 (2003).
15. A. Hossain, A. E. Bolotnikov, G. S. Camarda, et al., J. Cryst. Growth. 312, 1795 (2010).
16. M. E. Rodriguez, O. Zelaya-Angel, J. J. Perez Bueno, et al., J. Cryst. Growth. 213, 259 (2000).
17. Yadong Xu, Wanqi Jie, Tao Wanga, et al., J. Alloys Comp. 509, 2338 (2011).
18. Sachin Bhaladhare, Munge W. Gitau, Swain Santosh, et al.., Proc. SPIE 8142, 814210-1 (2011).
19. E. Belas, M. Bugar, R. Grill, et al., J. Electron. Mater. 36, 1025 (2007).
20. E. Belas, M. Bugar, R. Grill, et al., J. Electron. Mater. 37, 1212 (2008).
21. S. W. Sun, C. H. Zhou, H. X. Yu, et al., Proc. SPIE 8907, 890704-1 (2013).
22. L. Xu, W. Jie, A. E. Bolotnikov, et al., J. Cryst. Growth. 355, 84 (2012).
23. J. Mackenzie, F. J. Kumar, and H. Chen, J. Electron. Mater. 42, 3129 (2013).
24. F. F. Sheng, X. P. Cui, S. W. Sun, et al., J. Cryst. Growth. 354,76 (2012).
25. Yu Pengfei and Jie Wanqi, Cryst. Eng. Comm. 15, 5045 (2013).
26. V. I. Fistul, Disintegration of the Supersaturated Semiconductor Solid Solutions (Metallurgia, Moscow, 1977) [in Russian].
27. I. A. Denisov, N. A. Smirnova, Yu. B. Andrusov, et al., Prikladnaya Fizika, No. 5, 35 (2011).
28. Tao Wang , Wanqi Jie, and Dongmei Zeng, Mat. Sci. Engineer. A. 472, 227 (2008).
29. K. Durose, G. J. Russel, and J. Woods, J. Cryst. Growth. 72, 85 (1985).
30. N. I. Shmatov, N. A. Smirnova, A. G. Belov, et al., Materialy Elektronnoi Tekhniki, No. 3, 28 (2006).
31. G. V. Indenbaum, R. P. Baronenkova, and N. M. Boinykh, Fizika i Khimiya Obrabotki Materialov, No. 2, 91 (1971).
32. H. G. Brion, C. Mewes, I. Hahn, et al., J. Cryst. Growth. 134, 281 (1993).
33. W. J. Kim, M. J. Park, S. U. Kim, et al., J. Cryst. Growth. 104, 677.
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Котов В. М. Акустооптическая модуляция многоцветного излучения с пропорциональным изменением интенсивности световых волн 5
Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И., Яковенко А. Г. Исследование дефектов структуры в кристаллах CdZnTe методами инфракрасной и оптической микроскопии 9
Романов А. В., Степович М. А., Филиппов М. Н. Модель процесса генерации спектров вторичной флуоресценции конденсированного вещества 16
Мамедов Н. А., Гарибов Г. И., Алекберов Ш. Ш., Расулов Э. А. Изменение поверхностного натяжения воды под действием различных физических факторов 20
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Андреев В. В. Исследование воздействия диэлектрического барьерного разряда на кремнийсодержащую плёнку 24
Асюнин В. И., Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Козловская Т. И., Пшеничный А. А., Якубов Р. Х. Некоторые особенности динамики плазмы дугового разряда в неоднородном магнитном поле 29
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Козловская Т. И., Ревазов В. О., Селезнев В. П., Якубов Р. Х. Процесс коммутации вакуумного электроразрядного промежутка лазерной плазмой 32
Иванов В. А., Коныжев М. Е., Дорофеюк А. А., Камолова Т. И., Куксенова Л. И., Лаптева В. Г., Хренникова И. А. Создание прочного микрорельефа на поверхности стали-45 с помощью микроплазменных разрядов 38
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Ильинская Н. Д., Карандашев С. А., Карпухина Н. Г., Лавров А. А., Матвеев Б. А., Ременный М. А., Стусь Н. М., Усикова А. А. Диодные матрицы формата 33 на основе одиночных гетeроструктур р-InAsSbP/n-InAs 47
Никифоров И. А., Никонов А. В., Болтарь К. О., Яковлева Н. И. Исследование температурной зависимости диффузионной длины неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ 52
Лопухин А. А., Степанюк В. Е., Таубкин И. И., Фадеев В. В. Исследование влияния светового отжига на свойства матричных фотоприемных структур на основе антимонида индия 56
Коротаев Е. Д., Яковлева Н. И., Мирофянченко А. Е., Ляликов А. В. Особенности гетероструктур InGaAs/InP, предназначенных для изготовления быстродействующих фотоприемных устройств коротковолнового диапазона ИК-спектра 60
Лопухин А. А. Влияние толщины фоточувствительных слоев на свойства МФПУ на основе антимонида индия 66
Сизов А. Л., Мирофянченко А. Е., Ляликов А. В., Яковлева Н. И. Кристаллографический анализ гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия-ртути 70
Абдинов А. Ш., Мехтиев Н. М., Бабаева Р. Ф., Рзаев Р. М. Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов n-InSe 76
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Александров В. В., Бычковский Я. С., Дражников Б. Н., Козлов К. В., Кондюшин И. С., Матвеев А. В. Универсальная установка для контроля параметров электронных блоков, входящих в состав ФПУ 81
Деомидов А. Д., Кононов М. Е., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Хамидуллин К. А., Добрунов С. В. Автоматизированная установка для исследования относительной спектральной характеристики матричного фотоприемного устройства ультрафиолетового диапазона спектра 87
Балиев Д. Л., Бедарева Е. А., Деомидов А. Д., Полесский А. В., Сидорин А. В., Хамидуллин К. А., Юдовская А. Д., Цыганко-ва Г. М. Автоматизированный стенд для измерения основных параметров МФПУ на основе InGaAs 93
ИНФОРМАЦИЯ
Памяти Юраса Карловича Пожелы 99
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» 100
Бланк-заказ для подписки на 2015 г. 102
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
V. M. Kotov Acousto-optic modulation of multi-color radiation with the proportional changing of the light waves intensity 5
M. B. Grisheckin, I. А. Denisov, А. А. Silina, N. А. Smirnova, N. I. Shmatov, and А. G. Yakovenko Investigation of structural defects in CdZnTe crystals by the infrared and optical microscopy 9
A. V. Romanov, M. A. Stepovich, and M. N. Filippov Using the model for the generation of secondary fluorescence spectra of condensed matter 16
N. A. Mammadov, G. I. Garibov, Sh. Sh. Alekberov, and E. A. Rasulov Influence of various external factors on the water surface tension 20
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
V. V. Andreev Study of impact of dielectric barrier discharge on the silicon-containing film 24
V. I. Asiunin, S. G. Davydov, A. N. Dolgov, T. I. Kozlovskaya, A. A. Pshenichniy, and R. Kh. Yakubov Arc discharge plasma dynamic features in inhomogeneous magnetic field 29
S. G. Davydov, A. N. Dolgov, T. I. Kozlovskaya, V. O. Revazov, V. P. Seleznev, and R. Kh. Yakubov The commutation process of a vacuum electrical gap in laser plasma 32
V. A. Ivanov, M. E. Konyzhev, A. A. Dorofeyuk, T. I. Kamolova, L. I. Kuksenova, V. G. Lapteva, and I. A. Khrennikova Formation of a strong microrelief on the steel–45 surface by microplasma discharges 38
PHOTOELECTRONICS
N. D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, N. G. Karpukhina, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, and A. A. Usikova The 33 matrix based on p-InAsSbP/n-InAs single heterostructure diodes 47
I. A. Nikiforov, A. V. Nikonov, K. O. Boltar, and N. I. Iakovleva Temperature dependence of minority carriers diffusion length in MCT 52
A. A. Lopukhin, V. E. Stepanyuk, I. I. Taubkin, and V. V. Fadeev Research of infrared light annealing influence on properties the InSb FPA’s structures 56
E. D. Korotaev, N. I. Iakovleva, A. E. Mirifianchenko, and A. V. Lialikov Main features of InGaAs/InP heterostructures intended for SWIR highspeed operation applications 60
A. A. Lopuhin Influence of the photosensitive layer thickness on InSb FPA properties 66
A. L. Sizov, A. E. Mirifianchenko, A. V. Lialikov, and N. I. Iakovleva Сrystallographic analysis of the CdHgTe heteroepitaxial struc-tures 70
A. Sh. Abdinov, N. М. Mehtiyev, R. F. Babayeva, and R. M. Rzayev Multifunctional photodetectors based on the n-InSe crystals 76
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
V. V. Aleksandrov, Y. S. Bychkouski, B. N. Drazhnikov, K. V. Kozlov, I. S. Kondyushin, and A. V. Matveev Universal equipment for measuring the electrical parameters of different electronic devices 81
A. D. Deomidov, M. E. Kononov, A. V. Polesskiy, N. A. Semenchenko, K. A. Khamidullin, and S. V. Dobrunov Test equipment for spectral response measurement of ultraviolet focal plane arrays 87
D. L. Baliev, E. A. Bedareva, A. D. Deomidov, A. V. Polesskiy, A. V. Sidorin, K. A. Khamidullin, A. D. Yudovskaya, and G. M. Tsygankova The automatic test-bench for measurement of the FPA characteristics based on InGaAs 93
INFORMATION
Memery of Academician Yu. K. Pojela 99
Rules for authors 100
Subscription 102
Другие статьи выпуска
Приведены результаты разработки стенда, предназначенного для автоматизированного измерения параметров матричных фотоприемных устройств на основе InGaAs. Стенд позволяет проводить измерения удельной обнаружительной способности, вольтовой чувствительности, динамического диапазона, а также проводить поиск дефектных элементов. В статье рассмотрены вопросы отличия методик измерения параметров фотоприемных устройств первого и второго поколений, приведены методики расчета параметров матричных фотоприемных устройств на основе InGaAs.
Приведены результаты разработки установки исследования спектральной характеристики ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства в диапазоне спектра 190—540 нм. Описан основной функционал установки и рассмотрен вопрос методики измерения.
Разработана универсальная установка измерения и контроля параметров электронных блоков фотоприемных устройств, позволяющая проводить тестирование сложных электронных блоков без монтажа специального оборудования и оснастки. Высокая универсальность установки заключается в наличии широкого набора средств для работы с цифровыми и аналоговыми сигналами, а также гибко настраиваемым программным обеспечением. Для подключения к измерительному тракту достаточно разработки жгутов и программного обеспечения, использующего модули АЦП, ЦАП, порты цифрового ввода-вывода и стандартное контрольно-измерительное оборудование, размещенное в 19’ серверной стойке, управляемое по интерфейсам IVI, NI DAQ, SCPI и VISA. В качестве примера применения измерительной установки представлены исследования характеристик электронного тракта блока телеметрии
Экспериментально исследованы зависимости основных параметров и характеристик собственной фотопроводимости от различных факторов в монокристаллах моноселенида индия (n-InSe). Показано, что полученные экспериментальные результаты могут удовлетворительно объясняться на основе частичной неупорядоченности кристаллов этого полупроводника и позволяют рекомендовать их в качестве подходящего материала для создания многофункциональных фотоприемников света — фоторезисторов со свойством фотоэлектрической памяти и накопления воздействия последовательных слабых световых сигналов.
Для кристаллографического анализа гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия-ртути использованы высокоточные методы микроскопии высокого разрешения, рентгеновской дифрактометрии, энергодисперсионного и микрорентгеновского анализа. Определен количественный состав химических компонентов внутри области структурного V-дефекта. Определены значения углов Брэгговского отражения, которые составили 47,1—47,5 градуса, и полуширины кривой качания, которая по измеренным образцам составила 74˝.
Исследовано влияние толщины фоточувствительного слоя в МФПУ на основе антимонида индия на одноточечную дефектность и чувствительность до и после утоньшения. На большом объеме матричных фотоприемников (МФП) установлено отсутствие увеличения одноточечной дефектности после утоньшения. Показана возможность изготовления МФП в области диапазона толщин 8÷12 мкм в случае улучшения контроля толщины без уменьшения процента выхода годных. В этом случае должна отсутствовать корреляция между чувствительностями до и после утоньшения, то есть исключено влияние величины объемной диффузионной длины неосновных носителей заряда на квантовый выход МФП после утоньшения, а также должны быть меньше величина разброса чувствительности после утоньшения и меньше взаимосвязь.
Рассмотрены особенности построения гетероструктур на основе InGaAs, предназначенных для изготовления быстродействующих фотоприемных устройств коротковолнового диапазона спектра. Проведен анализ их структурного совершенства и морфологии поверхности. Анализ показал, что исследуемые структуры обладают наношероховатой поверхностью с малым количеством дефектов и структурных несовершенств. Плотность дефектов составила ~ 5 см-2, средневквадратичное значение шероховатости ~ 0,8 нм, выявлены структурные особенности роста эпитаксиальных слоев.
Исследовано влияние светового отжига на напряжение пробоя фотодиодов на пластинах InSb, объемную диффузионную длину неосновных носителей заряда и одноточечную дефектность матричных фотоприемников (МФП) на основе InSb, изготовленных из различных слитков. Обнаружено, что объемная диффузионная длина неосновных носителей заряда в среднем меньше для светового отжига по сравнению со стандартным отжигом в печи для всех исследованных слитков InSb. Установлено отсутствие ухудшения величины напряжения пробоя на пластинах InSb, прошедших световой отжиг, по сравнению с отжигом в печи. Тот факт, что разброс одноточечной дефектности МФП оказался больше разницы средних значений дефектности при различных методах отжига свидетельствует о том, что дефектность фотодиодов не связана с методом отжига.
Исследована температурная зависимость диффузионной длины неосновных носителей заряда в активном фоточувствительном слое матричного фотоприёмного устройства на основе гетероэпитаксиальной структуры КРТ, выращенной методом молекулярнолучевой эпитаксии.
В работе приведены результаты исследований электролюминесценции и фотоэлектрических свойств монолитной диодной матрицы 33 на основе одиночной гетероструктуры р-InAsSbP/n-InAs/n+-InAs, чувствительной/излучающей на длинах волн вблизи 3,3 мкм в области рабочих температур -20….+80 оС. Рассмотрены возможности формирования как положительного, так и отрицательного эквивалента теплового контраста.
Проведены экспериментальные исследования сильного локального взаимодействия микроплазменных разрядов с образцами из стали–45 при возбуждении импульсных электрических токов в разрядах с амплитудами от 100 до 600 А. При этом на поверхности образцов формируется сплошной переплавленный слой, который характеризуется сильно измененными микрогеометрическими, физическими и триботехническими свойствами металла. Определены режимы возбуждения микроплазменных разрядов, в результате воздействия которых на поверхности образцов создается развитый микрорельеф. Его прочностные свойства существенно превосходят соответствующие характеристики стальных образцов после стандартной термической закалки.
Проведено исследование зависимости временных параметров процесса коммутации вакуумного промежутка под действием импульса лазерного излучения наносекундной длительности, падающего на катод, от энергии излучения. На основе полученных экспериментальных данных выдвинуто предположение о том, что под действием импульса лазерного излучения в продуктах эрозии электродов зажигается первоначально тлеющий разряд, который в результате развития ионизационно-перегревной неустойчивости испытывает контрактацию токового канала и переходит в дуговой. При величине энергии излучения, превышающей пороговое значение, падающее на катод излучение непосредственно ускоряет процесс развития неустойчивости и переход тлеющего разряда в дуговой за счет поглощения излучения в плазме разряда.
Неднородное аксиально-симметричное магнитное поле, созданное внешним источником, оказало в разряде вакуумной дуги стабилизирующее воздействие на напряжение инициирующего пробоя по поверхности твердотельного диэлектрика. В качестве объяснения предложен механизм формирования плазменного потока, очищающего поверхность диэлектрика от проводящих продуктов эрозии элементов разрядного устройства.
В работе исследованы микроструктура и элементный состав нанесённой на поверхность текстолита плёнки в окрестности точки его электрического пробоя. Цель исследования связана с необходимостью разработки новых диэлектрических материалов, способных противостоять разрушительному воздействию электрического поля, микроразрядов, а также озона, являющегося очень активным элементом, в разрядной ячейке диэлектрического барьерного разряда в воздухе при атмосферном давлении.
В работе экспериментально исследуется влияние на поверхностное натяжение воды различных внешних факторов, таких как намагничивание, воздействие электрическим разрядом, воздействие СВЧ-излучения, насыщение воздухом и озоном, обогащение металлическими ионами. Показано, что эти воздействия приводят к уменьшению коэффициента поверхностного натяжения питьевой воды, причем уменьшение коэффициента существенно зависит от рода и степени воздействия.
Рентгенофлуоресцентный анализ состава вещества (РФА) является распространенным методом, позволяющим определять широкий спектр химических элементов. Настоящая работа посвящена разработке математической модели процесса формирования сигнала вторичной флуоресценции в РФА.
Предложен режим акустооптической модуляции многоцветного излучения Ar-лазера, который обеспечивает пропорциональное изменение интенсивности монохроматических компонент многоцветного излучения в процессе изменения мощности звука. Режим основан на использовании разных величин фазовой расстройки брэгговского синхронизма для разных лучей многоцветного излучения. Вариант проверен экспериментально на примере дифракции света на звуке многоцветного излучения Ar- лазера в кристаллическом кварце.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400