Архив статей

Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов n-InSe (2014)
Выпуск: №6 (2014)
Авторы: Абдинов А. Ш., Мехтиев Н. М., Бабаева Р. Ф., Рзаев Р. М.

Экспериментально исследованы зависимости основных параметров и характеристик собственной фотопроводимости от различных факторов в монокристаллах моноселенида индия (n-InSe). Показано, что полученные экспериментальные результаты могут удовлетворительно объясняться на основе частичной неупорядоченности кристаллов этого полупроводника и позволяют рекомендовать их в качестве подходящего материала для создания многофункциональных фотоприемников света — фоторезисторов со свойством фотоэлектрической памяти и накопления воздействия последовательных слабых световых сигналов.

Сохранить в закладках