С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Котов В. М. Акустооптическая модуляция многоцветного излучения с пропорциональным изменением интенсивности световых волн 5
Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И., Яковенко А. Г. Исследование дефектов структуры в кристаллах CdZnTe методами инфракрасной и оптической микроскопии 9
Романов А. В., Степович М. А., Филиппов М. Н. Модель процесса генерации спектров вторичной флуоресценции конденсированного вещества 16
Мамедов Н. А., Гарибов Г. И., Алекберов Ш. Ш., Расулов Э. А. Изменение поверхностного натяжения воды под действием различных физических факторов 20
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Андреев В. В. Исследование воздействия диэлектрического барьерного разряда на кремнийсодержащую плёнку 24
Асюнин В. И., Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Козловская Т. И., Пшеничный А. А., Якубов Р. Х. Некоторые особенности динамики плазмы дугового разряда в неоднородном магнитном поле 29
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Козловская Т. И., Ревазов В. О., Селезнев В. П., Якубов Р. Х. Процесс коммутации вакуумного электроразрядного промежутка лазерной плазмой 32
Иванов В. А., Коныжев М. Е., Дорофеюк А. А., Камолова Т. И., Куксенова Л. И., Лаптева В. Г., Хренникова И. А. Создание прочного микрорельефа на поверхности стали-45 с помощью микроплазменных разрядов 38
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Ильинская Н. Д., Карандашев С. А., Карпухина Н. Г., Лавров А. А., Матвеев Б. А., Ременный М. А., Стусь Н. М., Усикова А. А. Диодные матрицы формата 33 на основе одиночных гетeроструктур р-InAsSbP/n-InAs 47
Никифоров И. А., Никонов А. В., Болтарь К. О., Яковлева Н. И. Исследование температурной зависимости диффузионной длины неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ 52
Лопухин А. А., Степанюк В. Е., Таубкин И. И., Фадеев В. В. Исследование влияния светового отжига на свойства матричных фотоприемных структур на основе антимонида индия 56
Коротаев Е. Д., Яковлева Н. И., Мирофянченко А. Е., Ляликов А. В. Особенности гетероструктур InGaAs/InP, предназначенных для изготовления быстродействующих фотоприемных устройств коротковолнового диапазона ИК-спектра 60
Лопухин А. А. Влияние толщины фоточувствительных слоев на свойства МФПУ на основе антимонида индия 66
Сизов А. Л., Мирофянченко А. Е., Ляликов А. В., Яковлева Н. И. Кристаллографический анализ гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия-ртути 70
Абдинов А. Ш., Мехтиев Н. М., Бабаева Р. Ф., Рзаев Р. М. Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов n-InSe 76
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Александров В. В., Бычковский Я. С., Дражников Б. Н., Козлов К. В., Кондюшин И. С., Матвеев А. В. Универсальная установка для контроля параметров электронных блоков, входящих в состав ФПУ 81
Деомидов А. Д., Кононов М. Е., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Хамидуллин К. А., Добрунов С. В. Автоматизированная установка для исследования относительной спектральной характеристики матричного фотоприемного устройства ультрафиолетового диапазона спектра 87
Балиев Д. Л., Бедарева Е. А., Деомидов А. Д., Полесский А. В., Сидорин А. В., Хамидуллин К. А., Юдовская А. Д., Цыганко-ва Г. М. Автоматизированный стенд для измерения основных параметров МФПУ на основе InGaAs 93
ИНФОРМАЦИЯ
Памяти Юраса Карловича Пожелы 99
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» 100
Бланк-заказ для подписки на 2015 г. 102
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
V. M. Kotov Acousto-optic modulation of multi-color radiation with the proportional changing of the light waves intensity 5
M. B. Grisheckin, I. А. Denisov, А. А. Silina, N. А. Smirnova, N. I. Shmatov, and А. G. Yakovenko Investigation of structural defects in CdZnTe crystals by the infrared and optical microscopy 9
A. V. Romanov, M. A. Stepovich, and M. N. Filippov Using the model for the generation of secondary fluorescence spectra of condensed matter 16
N. A. Mammadov, G. I. Garibov, Sh. Sh. Alekberov, and E. A. Rasulov Influence of various external factors on the water surface tension 20
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
V. V. Andreev Study of impact of dielectric barrier discharge on the silicon-containing film 24
V. I. Asiunin, S. G. Davydov, A. N. Dolgov, T. I. Kozlovskaya, A. A. Pshenichniy, and R. Kh. Yakubov Arc discharge plasma dynamic features in inhomogeneous magnetic field 29
S. G. Davydov, A. N. Dolgov, T. I. Kozlovskaya, V. O. Revazov, V. P. Seleznev, and R. Kh. Yakubov The commutation process of a vacuum electrical gap in laser plasma 32
V. A. Ivanov, M. E. Konyzhev, A. A. Dorofeyuk, T. I. Kamolova, L. I. Kuksenova, V. G. Lapteva, and I. A. Khrennikova Formation of a strong microrelief on the steel–45 surface by microplasma discharges 38
PHOTOELECTRONICS
N. D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, N. G. Karpukhina, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, and A. A. Usikova The 33 matrix based on p-InAsSbP/n-InAs single heterostructure diodes 47
I. A. Nikiforov, A. V. Nikonov, K. O. Boltar, and N. I. Iakovleva Temperature dependence of minority carriers diffusion length in MCT 52
A. A. Lopukhin, V. E. Stepanyuk, I. I. Taubkin, and V. V. Fadeev Research of infrared light annealing influence on properties the InSb FPA’s structures 56
E. D. Korotaev, N. I. Iakovleva, A. E. Mirifianchenko, and A. V. Lialikov Main features of InGaAs/InP heterostructures intended for SWIR highspeed operation applications 60
A. A. Lopuhin Influence of the photosensitive layer thickness on InSb FPA properties 66
A. L. Sizov, A. E. Mirifianchenko, A. V. Lialikov, and N. I. Iakovleva Сrystallographic analysis of the CdHgTe heteroepitaxial struc-tures 70
A. Sh. Abdinov, N. М. Mehtiyev, R. F. Babayeva, and R. M. Rzayev Multifunctional photodetectors based on the n-InSe crystals 76
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
V. V. Aleksandrov, Y. S. Bychkouski, B. N. Drazhnikov, K. V. Kozlov, I. S. Kondyushin, and A. V. Matveev Universal equipment for measuring the electrical parameters of different electronic devices 81
A. D. Deomidov, M. E. Kononov, A. V. Polesskiy, N. A. Semenchenko, K. A. Khamidullin, and S. V. Dobrunov Test equipment for spectral response measurement of ultraviolet focal plane arrays 87
D. L. Baliev, E. A. Bedareva, A. D. Deomidov, A. V. Polesskiy, A. V. Sidorin, K. A. Khamidullin, A. D. Yudovskaya, and G. M. Tsygankova The automatic test-bench for measurement of the FPA characteristics based on InGaAs 93
INFORMATION
Memery of Academician Yu. K. Pojela 99
Rules for authors 100
Subscription 102
Статьи в выпуске: 8
Проведены экспериментальные исследования сильного локального взаимодействия микроплазменных разрядов с образцами из стали–45 при возбуждении импульсных электрических токов в разрядах с амплитудами от 100 до 600 А. При этом на поверхности образцов формируется сплошной переплавленный слой, который характеризуется сильно измененными микрогеометрическими, физическими и триботехническими свойствами металла. Определены режимы возбуждения микроплазменных разрядов, в результате воздействия которых на поверхности образцов создается развитый микрорельеф. Его прочностные свойства существенно превосходят соответствующие характеристики стальных образцов после стандартной термической закалки.
Проведено исследование зависимости временных параметров процесса коммутации вакуумного промежутка под действием импульса лазерного излучения наносекундной длительности, падающего на катод, от энергии излучения. На основе полученных экспериментальных данных выдвинуто предположение о том, что под действием импульса лазерного излучения в продуктах эрозии электродов зажигается первоначально тлеющий разряд, который в результате развития ионизационно-перегревной неустойчивости испытывает контрактацию токового канала и переходит в дуговой. При величине энергии излучения, превышающей пороговое значение, падающее на катод излучение непосредственно ускоряет процесс развития неустойчивости и переход тлеющего разряда в дуговой за счет поглощения излучения в плазме разряда.
Неднородное аксиально-симметричное магнитное поле, созданное внешним источником, оказало в разряде вакуумной дуги стабилизирующее воздействие на напряжение инициирующего пробоя по поверхности твердотельного диэлектрика. В качестве объяснения предложен механизм формирования плазменного потока, очищающего поверхность диэлектрика от проводящих продуктов эрозии элементов разрядного устройства.
В работе исследованы микроструктура и элементный состав нанесённой на поверхность текстолита плёнки в окрестности точки его электрического пробоя. Цель исследования связана с необходимостью разработки новых диэлектрических материалов, способных противостоять разрушительному воздействию электрического поля, микроразрядов, а также озона, являющегося очень активным элементом, в разрядной ячейке диэлектрического барьерного разряда в воздухе при атмосферном давлении.
В работе экспериментально исследуется влияние на поверхностное натяжение воды различных внешних факторов, таких как намагничивание, воздействие электрическим разрядом, воздействие СВЧ-излучения, насыщение воздухом и озоном, обогащение металлическими ионами. Показано, что эти воздействия приводят к уменьшению коэффициента поверхностного натяжения питьевой воды, причем уменьшение коэффициента существенно зависит от рода и степени воздействия.
Рентгенофлуоресцентный анализ состава вещества (РФА) является распространенным методом, позволяющим определять широкий спектр химических элементов. Настоящая работа посвящена разработке математической модели процесса формирования сигнала вторичной флуоресценции в РФА.
Методом инфракрасной и оптической микроскопии исследованы включения второй фазы и преципитаты микронных размеров в кристаллах CdZnTe. Предложено классифицировать данные типы дефектов по виду границы раздела дефект-матрица, видимую в оптическом микроскопе после селективного травления образцов. Для более точного исследования границы раздела использовался метод растровой электронной микроскопии. Методом энергодисперсионного анализа определен состав исследуемых дефектов.
Предложен режим акустооптической модуляции многоцветного излучения Ar-лазера, который обеспечивает пропорциональное изменение интенсивности монохроматических компонент многоцветного излучения в процессе изменения мощности звука. Режим основан на использовании разных величин фазовой расстройки брэгговского синхронизма для разных лучей многоцветного излучения. Вариант проверен экспериментально на примере дифракции света на звуке многоцветного излучения Ar- лазера в кристаллическом кварце.