Статья: Процесс коммутации вакуумного электроразрядного промежутка лазерной плазмой (2014)

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ОБЩАЯ ФИЗИКА

Котов В. М. Акустооптическая модуляция многоцветного излучения с пропорциональным изменением интенсивности световых волн 5
Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И., Яковенко А. Г. Исследование дефектов структуры в кристаллах CdZnTe методами инфракрасной и оптической микроскопии 9
Романов А. В., Степович М. А., Филиппов М. Н. Модель процесса генерации спектров вторичной флуоресценции конденсированного вещества 16
Мамедов Н. А., Гарибов Г. И., Алекберов Ш. Ш., Расулов Э. А. Изменение поверхностного натяжения воды под действием различных физических факторов 20

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Андреев В. В. Исследование воздействия диэлектрического барьерного разряда на кремнийсодержащую плёнку 24
Асюнин В. И., Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Козловская Т. И., Пшеничный А. А., Якубов Р. Х. Некоторые особенности динамики плазмы дугового разряда в неоднородном магнитном поле 29
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Козловская Т. И., Ревазов В. О., Селезнев В. П., Якубов Р. Х. Процесс коммутации вакуумного электроразрядного промежутка лазерной плазмой 32
Иванов В. А., Коныжев М. Е., Дорофеюк А. А., Камолова Т. И., Куксенова Л. И., Лаптева В. Г., Хренникова И. А. Создание прочного микрорельефа на поверхности стали-45 с помощью микроплазменных разрядов 38

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Ильинская Н. Д., Карандашев С. А., Карпухина Н. Г., Лавров А. А., Матвеев Б. А., Ременный М. А., Стусь Н. М., Усикова А. А. Диодные матрицы формата 33 на основе одиночных гетeроструктур р-InAsSbP/n-InAs 47
Никифоров И. А., Никонов А. В., Болтарь К. О., Яковлева Н. И. Исследование температурной зависимости диффузионной длины неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ 52
Лопухин А. А., Степанюк В. Е., Таубкин И. И., Фадеев В. В. Исследование влияния светового отжига на свойства матричных фотоприемных структур на основе антимонида индия 56
Коротаев Е. Д., Яковлева Н. И., Мирофянченко А. Е., Ляликов А. В. Особенности гетероструктур InGaAs/InP, предназначенных для изготовления быстродействующих фотоприемных устройств коротковолнового диапазона ИК-спектра 60
Лопухин А. А. Влияние толщины фоточувствительных слоев на свойства МФПУ на основе антимонида индия 66
Сизов А. Л., Мирофянченко А. Е., Ляликов А. В., Яковлева Н. И. Кристаллографический анализ гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия-ртути 70
Абдинов А. Ш., Мехтиев Н. М., Бабаева Р. Ф., Рзаев Р. М. Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов n-InSe 76

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ

Александров В. В., Бычковский Я. С., Дражников Б. Н., Козлов К. В., Кондюшин И. С., Матвеев А. В. Универсальная установка для контроля параметров электронных блоков, входящих в состав ФПУ 81
Деомидов А. Д., Кононов М. Е., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Хамидуллин К. А., Добрунов С. В. Автоматизированная установка для исследования относительной спектральной характеристики матричного фотоприемного устройства ультрафиолетового диапазона спектра 87
Балиев Д. Л., Бедарева Е. А., Деомидов А. Д., Полесский А. В., Сидорин А. В., Хамидуллин К. А., Юдовская А. Д., Цыганко-ва Г. М. Автоматизированный стенд для измерения основных параметров МФПУ на основе InGaAs 93

ИНФОРМАЦИЯ

Памяти Юраса Карловича Пожелы 99
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» 100
Бланк-заказ для подписки на 2015 г. 102