Лавинный матричный фотомодуль формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs (2015)
Проведено исследование лавинного матричного фотомодуля формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs на спектральный диапазон 0,9—1,7 мкм и барьерным слоем InAlAs. Матрица лавинных фотодиодов формата 320×256 элементов изготавливалась в nBp-наногетероструктуре по мезатехнологии. Измерены количество неработоспособных элементов, зависимость темнового тока от напряжения смещения и коэффициент лавинного усиления.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2015)