Научный архив: статьи

В работе предложена групповая обработка по планетарной схеме, разработаны конструкторско-технологические решения, и проведен ряд процессов для пластин InSb и матричных модулей. По результатам измерений показана возможность увеличения производительности труда и выхода годных в единицу времени при одновременном снижении материальных затрат.

Исследуется моделирование деформации пластин InSb диаметром 50,8 мм, возникающей при шлифовании и полировании односторонним методом. Прогнозирование прогиба пластины положительно сказывается на разработке схемы процесса и позволяет корректировать технологические условия для достижения требуемых параметров BOW и WARP пластины для соответствия требованиям молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что обработка подложек InSb с учетом предложенной модели позволяет достигать требуемых геометрических параметров пластины с точностью до 1 мкм.