Исследуется моделирование деформации пластин InSb диаметром 50,8 мм, возникающей при шлифовании и полировании односторонним методом. Прогнозирование прогиба пластины положительно сказывается на разработке схемы процесса и позволяет корректировать технологические условия для достижения требуемых параметров BOW и WARP пластины для соответствия требованиям молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что обработка подложек InSb с учетом предложенной модели позволяет достигать требуемых геометрических параметров пластины с точностью до 1 мкм.
The modeling of deformation of 2” InSb wafers by one-sided lapping and polishing is studied. Prediction of wafer deflection has a positive effect on the development of the process scheme and allows adjusting the process conditions to achieve the required BOW and WARP parameters of the wafer to meet the requirements of molecular beam epitaxy. It is shown that the processing of InSb substrates taking into account the proposed model allows achieving the required geometric parameters of the wafer with an accuracy of up
to 1 mm.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Электротехника
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469
