Исследуется моделирование деформации пластин InSb диаметром 50,8 мм, возникающей при шлифовании и полировании односторонним методом. Прогнозирование прогиба пластины положительно сказывается на разработке схемы процесса и позволяет корректировать технологические условия для достижения требуемых параметров BOW и WARP пластины для соответствия требованиям молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что обработка подложек InSb с учетом предложенной модели позволяет достигать требуемых геометрических параметров пластины с точностью до 1 мкм.
The modeling of deformation of 2” InSb wafers by one-sided lapping and polishing is studied. Prediction of wafer deflection has a positive effect on the development of the process scheme and allows adjusting the process conditions to achieve the required BOW and WARP parameters of the wafer to meet the requirements of molecular beam epitaxy. It is shown that the processing of InSb substrates taking into account the proposed model allows achieving the required geometric parameters of the wafer with an accuracy of up
to 1 mm.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Электротехника
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469
На основе математических расчетов степени деформации пластины монокристаллического антимонида индия в ходе одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом с учетом кристаллографической ориентации пластины предложена модель, позволяющая с точностью до 1 мкм оценить величину прогиба пластины в результате обработки, что обеспечивает контролируемую подготовку пластин и повышает выход годных.
С учетом разработанной модели и прогнозирования степени деформации пластины разработана схема процесса подготовки поверхности монокристаллического антимонида
индия методом одностороннего шлифования и полирования, включающая необходимые операции с технологическими условиями, направленные на достижение прецизионного результата, с получением геометрических параметров (TTV, BOW, WARP) полированной пластины диаметром 50,8 мм на уровне менее 5 мкм.
По разработанной с учетом представленной модели схеме процесса произведена обработка пластин InSb методом одностороннего шлифования и полирования с применением модифицированного для работы в условиях агрессивных полирующих травителей оборудования. Получены полированные подложки InSb диаметром 50,8 мм с достижением геометрических параметров (TTV, BOW, WARP) на уровне менее 5 мкм и с морфологией поверхности и субнаношероховатым рельефом на уровне Ra = 0,28 нм, пригодными для проведения процессов синтеза эпитаксиальных слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии, что подтверждено успешной технологической апробацией в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН [16–19].
Список литературы
- Diebold A. C., Goodall R. K. / Proceedings of the IEEE 1999 International Interconnect Technology Confer-ence (Cat. № 99EX247). – San Francisco, CA, USA, 1999. P. 77–79. doi: 10.1109/IITC.1999.787083.
- Chiang T., Guo S., Cheng W., Cheng C., Kuo Y., Liu C., Sung C. / Proceedings of the 10th World Congress on Mechanical, Chemical, and Material Engineering (MCM’24). – Barcelona, Spain, 2024. Paper № ICMIE 114. doi: 10.11159/icmie24.114
- Dunn T., Lee C., Tronolone M., Shorey A. / 2012 IEEE 62nd Electronic Components and Technology Con-ference. – San Diego, CA, USA, 2012. P. 1239–1244.
doi: 10.1109/ECTC.2012.6248993 - Wang Bin, Qu Yu-xuan, Hu Shi-gang, Tang Zhi-jun, Li Jin, Hu Ying-lu. / Hindawi Publishing Corporation, Advances in Condensed Matter Physics. 2013. Article ID 465498.
- Yiqing Y., Zhongwei H., Wenshan W., Huan Z., Jing L., Xipeng X. / The International Journal of Advanced Manufacturing Technology. 2020. Vol. 108. P. 997–1006. doi: 10.1007/s00170-019-04592-3
- Dunn Tom, Lee Chris, Tronolone Mark, Shorey Aric. / Electronic Components and Technology Conference (ECTC). 2012. IEEE 62nd.
- Bristow Thomas / SEMANTECH Workshop on 3D Intercorrect Metrology. San Francisco, USA, 2012. P. 22.
- Rogalski A. / Progress in Quantum Electronics. 2012. P. 342.
- [Электронный ресурс] / URL:http://
www.scd.co.il; (SCD Semiconductor Devices. Israel). - Douglas P., McDaniel L., Lee R. Integrated Focal Plane Array Programs by DARPA (англ.). – Arlington, VA: System Planning Corporation. 1980.
- Петров В. / Зарубежное военное обозрение: ежемесячный военно-практический журнал Министерства обороны Союза ССР. – М.: «Красная звезда»,
5 января 1984. № 1. С. 36–41. - Janssen G. C. A. M., Abdalla M. M., van Keu-len F., Pujada B. R., van Venrooy B. / Thin Solid Films. 2009. Vol. 517. № 6. P. 1858–1867.
- Громовик А. И. Расчет круглых пластин. Методические указания. – Омск: Изд-во СибАДИ, 2011.
- DeSain J., Brady B., Metzler K., Curtiss T., Al-bright T. / 45th AIAA/ASME/SAE/ASEE Joint Propulsion Conference & Exhibit, 2009. – Denver, Colorado. Published Online:14 Jun 2012.
https://doi.org/10.2514/6.2009-5115 - Indium antimonide: Mechanical properties,
elastic constants, lattice vibrations. www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InSb/mechanic.htmlanic.html - Трофимов А. А., Козлов Р. Ю., Кривобок В. С., Лопатин В. В., Улькаров В. А., Молодцова Е. В., Павлов П. В., Павлова О. С., Косякова А. М., Комаровский Н. Ю., Нестюркин М. С., Клековкин А. В., Минаев И. И., Ерошенков В. В., Атрашков А. С., Ковин Я. А. / Прикладная физика. 2024. № 5. С. 47.
- Трофимов А. А., Козлов Р. Ю., Кривобок В. С., Улькаров В. А., Молодцова Е. В., Павлов П. В., Павлова О. С., Косякова А. М., Комаровский Н. Ю., Нестюркин М. С., Клековкин А. В., Минаев И. И., Ерошен-ков В. В., Атрашков А. С., Ковин Я. А. / Сборник докладов конференции «Перспективные материалы и технологии» ИПТИП РТУ МИРЭА. – М.: РТУ МИРЭА, 2024. Т. 1. С. 102–116.
- Трофимов А. А., Козлов Р. Ю., Кривобок В. С., Улькаров В. А., Молодцова Е. В., Павлов П. В., Павлова О. С., Косякова А. М., Комаровский Н. Ю., Нестюркин М. С., Клековкин А. В., Минаев И. И., Ерошенков В. В., Атрашков А. С., Ковин Я. А. / 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электро-
ники. – М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 123–126. - Трофимов А. А., Козлов Р. Ю., Кривобок В. С., Улькаров В. А., Молодцова Е. В., Павлов П. В., Павлова О. С., Косякова А. М., Комаровский Н. Ю., Нестюркин М. С., Клековкин А. В., Минаев И. И., Ерошенков В. В., Атрашков А. С., Ковин Я. А. / Материалы XXVII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. – М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 197–200.
- Diebold C. and Goodall R. K. Proceedings of the IEEE 1999 International Interconnect Technology Conference (Cat. № 99EX247). San Francisco, CA, USA, 1999, pp. 77–79, doi: 10.1109/IITC.1999.787083.
- Chiang T., Guo S., Cheng W., Cheng C., Kuo Y., Liu C. and Sung C. Proceedings of the 10th World Congress on Mechanical, Chemical, and Material Engineering (MCM’24). Barcelona, Spain, 2024. Paper № ICMIE 114. doi: 10.11159/icmie24.114
- Dunn T., Lee C., Tronolone M. and Shorey A. 2012 IEEE 62nd Electronic Components and Technology Conference. San Diego, CA, USA, 2012, pp. 1239–1244, doi: 10.1109/ECTC.2012.6248993
- Wang Bin, Qu Yu-xuan, Hu Shi-gang, Tang Zhi-jun, Li Jin, Hu Ying-lu, Hindawi Publishing Corporation, Advances in Condensed Matter Physics, Article ID 465498 (2013).
- Yiqing Y., Zhongwei H., Wenshan W., Huan Z., Jing L. and Xipeng X., The International Journal of Advanced Manufacturing Technology 108, 997–1006 (2020). doi: 10.1007/s00170-019-04592-3
- Dunn Tom, Lee Chris, Tronolone Mark and Shorey Aric. Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2012. IEEE 62nd.
- Bristow Thomas. SEMANTECH Workshop on 3D Intercorrect Metrology. San Francisco, USA, 2012, p. 22.
- Rogalski A. Progress in Quantum Electronics, 2012.
- URL:http://www.scd.co.il; (SCD Semiconductor Devices. Israel).
- Douglas P., McDaniel L. and Lee R. Integrated Focal Plane Array Programs by DARPA (англ.), Arlington, VA: System Planning Corporation, 1980.
- Petrov V., Zarubejnoe voennoe obozrenie, № 1, 36–41 (1984) [in Russian].
- Janssen G. C. A. M., Abdalla M. M., van Keu-len F., Pujada B. R. and van Venrooy B., Thin Solid Films 517 (6), 1858–1867 (2009).
- Gromovik A. I. Raschet kruglykh plastin, Omsk, Metodicheskie ukazaniya, 2011 [in Russian].
- DeSain J., Brady B., Metzler K., Curtiss T. and Albright T. 45th AIAA/ASME/SAE/ASEE Joint Propulsion Conference & Exhibit, 2009, Denver, Colorado. Published Online:14 Jun 2012 https://doi.org/10.2514/6.2009-5115
- Indium antimonide: Mechanical properties,
elastic constants, lattice vibrations. https://www.
ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InSb/mechanic.html - Trofimov A. A., Kozlov R. Yu., Krivobok V. S., Lopatin V. V., Ulkarov V. A., Molodtsova E. V., Pavlov P. V., Pavlova O. S., Kosyakova A. M., Komarovsky N. Yu., Nestyurkin M. S., Klekovkin A. V., Minaev I. I., Eroshenkov V. V., Atrashkov A. S., Kovin Ya. A., Applied Physics, № 5, 47 (2024) [in Russian].
- Trofimov A. A., Kozlov R. Yu., Krivobok V. S., Lopatin V. V., Ulkarov V. A., Molodtsova E. V., Pavlov P. V., Pavlova O. S., Kosyakova A. M., Komarovsky N. Yu., Nestyurkin M. S., Klekovkin A. V., Minaev I. I., Eroshenkov V. V., Atrashkov A. S., Kovin Ya. A. Collection of reports of the conference “Perspektivnye Materialy i Technologii” RTU MIREA, 2024. Vol. 1, pp. 102–116 [in Russian].
- Trofimov A. A., Kozlov R. Yu., Krivobok V. S., Lopatin V. V., Ulkarov V. A., Molodtsova E. V., Pavlov P. V., Pavlova O. S., Kosyakova A. M., Komarov-sky N. Yu., Nestyurkin M. S., Klekovkin A. V., Minaev I. I., Eroshenkov V. V., Atrashkov A. S. and Kovin Ya. A. 15th International Scientific and Practical Conference on Physics and Technology of Nanoheterostructure Microwave Electronics. National Research Nuclear Univer-sity MEPhI, 2024, pp. 123–126 [in Russian].
- Trofimov A. A., Kozlov R. Yu., Krivobok V. S., Lopatin V. V., Ulkarov V. A., Molodtsova E. V., Pavlov P. V., Pavlova O. S., Kosyakova A. M., Komarovsky N. Yu., Nestyurkin M. S., Klekovkin A. V., Minaev I. I., Eroshenkov V. V., Atrashkov A. S. and Kovin Ya. A. Proceedings of the XXVII International Scientific and Technical Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, JSC NPO Orion, 2024, pp. 197–200 [in Russian].
Выпуск
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Осипов К. А., Варюхин А. Н., Гелиев А. В.
Интегро-дифференциальное уравнение и модифицированное уравнение Лондонов для расчета проникновения нестационарного магнитного поля в сверхпроводник в мейснеровском состоянии
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Сорокин Д. А., Белоплотов Д. В., Петренко Т. В., Рябов А. Ю., Соснин Э. А., Кудряшов С. В.
Разложение метилэтилкетона в водном растворе при воздействии плазмы высоковольтного наносекундного разряда
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Бурлаков И. Д., Старцев В. В., Яковлев А. Ю.
Основные тенденции и направления современного развития фотоэлектроники (Обзор материалов XXVII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения)
Наумов А. В., Семенченко Н. А.
XV Конференция «Кремний-2024» – отечественное производство возвращается? (Обзор материалов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе)
Панин Г. Н., Капитанова О. О.
Фотомемристорные сенсоры для автономных систем зрения на основе низкоразмерных материалов
Улькаров В. А., Трофимов А. А., Павлова О. С., Новиков И. В., Саркисов Н. А., Кузин В. О.
Моделирование деформации пластины InSb диаметром 50,8 мм при обработке методом одностороннего шлифования свободным абразивом
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Варюхин А. Н., Дутов А. В., Жарков Я. Е., Козлов А. Л., Мошкунов С. И., Овдиенко М. А., Хомич В. Ю., Шахматов Е. В.
Разработка и моделирование системы управления инверторного привода СДПМ с нелинейной нагрузочной характеристикой для летательного аппарата с распределённой силовой установкой
Другие статьи выпуска
Представлена разработка системы управления двунаправленного инверторного привода синхронного двигателя с постоянными магнитами (СДПМ). Система позволяет осуществлять оптимальное управление СДПМ в условиях нелинейности нагрузки как в режиме генерации крутящего момента, так и в режиме рекуперации мощности, обеспечивая высокую эффективность работы и безопасность функционирования СДПМ.
Рассмотрены фотомемристоры на основе двумерных материалов, таких как графен, оксид графена, дисульфиды переходных металлов, и квантовых точек. Показано, что низкоразмерные материалы в фотомемристорных сенсорах позволяют детектировать свет в широком УФ-ИК диапазоне и обрабатывать оптические сигналы в самом сенсоре. Интеллектуальные фотосенсоры со встроенными нейронными сетями, подобные сетчатке глаза, могут быть изготовлены из гибких биосовместимых материалов, и использоваться в автономных сенсорных системах распознавания объектов в реальном времени.
С 15 по 20 июля 2024 года в Республике Бурятия, с. Сухая состоялась XV Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Конференция была организована Сибирским отделением Российской академии наук, Институтом геохимии им. А. П. Виноградова СО РАН, г. Иркутск, ООО «Старт Инжиниринг», г. Иркутск. Приведен краткий обзор представленных докладов c акцентом на вопросы промышленного производства высокоомного кремния для оптоэлектроники
29–31 мая 2024 года в Государственном научном центре Российской Федерации
Акционерном обществе «НПО «Орион» состоялась XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения.
Исследована степень разложения метилэтилкетона в водном растворе при воздействии плазмы высоковольтного наносекундного разряда, инициируемого над поверхностью и в объёме раствора. Электроразрядная очистка от тестового загрязнителя производилась для образцов растворов на основе дистиллированной и грунтовой вод. Наибольшая степень разложения метилэтилкетона около 94 % была получена для случая раствора на основе грунтовой воды при воздействии неравновесной низкотемпературной плазмы разряда в воздухе атмосферного давления, формируемой над поверхностью раствора. Показано, что увеличение степени разложения тестового загрязнителя обеспечивается в режиме растягивания во времени процесса обработки растворов плазмой, а не увеличения частоты следования импульсов напряжения.
Впервые получено интегро-дифференциальное уравнение для расчета проникновения магнитного поля в сверхпроводник в мейснеровском состоянии для нестационарного случая с учетом возбуждения как сверхпроводящих, так и нормальных электронов согласно двухжидкостной модели сверхпроводников. При синусоидальном изменении магнитного поля данное интегро-дифференциальное уравнение сводится к модифицированному уравнению Лондонов, в котором получено комплексное выражение для глубины проникновения переменного магнитного поля в зависимости от частоты изменения магнитного поля и долей концентраций нормальных и сверхпроводящих электронов. С помощью модифицированного уравнения Лондонов рассмотрено проникновение переменного магнитного поля в плоскопараллельную сверхпроводящую пластину конечной толщины в зависимости от частоты поля.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400