Изготовление индиевых микроконтактов с помощью фоторезиста ФПН-20-ИЗО в БИС считывания фотосигнала (2012)
Рассмотрено применение “взрывного” метода с использованием обращаемого фоторезиста для создания индиевых микроконтактов с шагом ≤30 мкм, что позволяет в значительной степени устранить недостатки, присущие методу прямой фотолитографии, а именно, неоднородность химического травления по площади образцов и химическое воздействие на нижележащие технологические слои, приводящее к повышенной плотности дефектов.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№6 (2012)