Статья: Изготовление индиевых микроконтактов с помощью фоторезиста ФПН-20-ИЗО в БИС считывания фотосигнала (2012)

Читать онлайн

Рассмотрено применение “взрывного” метода с использованием обращаемого фоторезиста для создания индиевых микроконтактов с шагом ≤30 мкм, что позволяет в значительной степени устранить недостатки, присущие методу прямой фотолитографии, а именно, неоднородность химического травления по площади образцов и химическое воздействие на нижележащие технологические слои, приводящее к повышенной плотности дефектов.

The explosive method is used for creation of indium microcontacts (step ≤ 30 μm) by using negotiable photoresist. This method lets to a large degree of removing defects, inherent for method of direct photolithography: floating chemical etching by all surface of samples, chemical influence on inferior technological layers, adducing to high density off defects.

Ключевые фразы: микроконтакт, индий, фоторезист, шаг, метод
Автор (ы): Батырев Николай Иванович (Batyrev N. I.), Климанов Евгений Алексеевич, Лисейкин Виктор Петрович, Надров Дамир Ривкатевич, Седнев Михаил Васильевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
Для цитирования:
БАТЫРЕВ Н. И., КЛИМАНОВ Е. А., ЛИСЕЙКИН В. П., НАДРОВ Д. Р., СЕДНЕВ М. В. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ИНДИЕВЫХ МИКРОКОНТАКТОВ С ПОМОЩЬЮ ФОТОРЕЗИСТА ФПН-20-ИЗО В БИС СЧИТЫВАНИЯ ФОТОСИГНАЛА // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2012. №6
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.