Электронные состояния системы "эпитаксиальный графен—низкоразмерная структура" (2012)
Выпуск:
№6 (2012)
Исследованы электронные состояния системы “квантовая точка—монослой графена— подложка SiO2+n+Si” во внешнем магнитном поле. Получено аналитическое выражение для величины переходящего заряда в такой системе. Рассмотрены электронные состояния системы “квантовая точка—бислой графена—подложка SiO2+n+Si”. Исследуемые системы интересны с точки зрения возможности управления оптическими свойствами квантовой точки с помощью приложенного электрического поля. Кратко затронут вопрос об электронных состояниях системы “графеновая нанотрубка—квантовая нить”.