Статья: Электронные состояния системы "эпитаксиальный графен—низкоразмерная структура" (2012)

Читать онлайн

Исследованы электронные состояния системы “квантовая точка—монослой графена— подложка SiO2+n+Si” во внешнем магнитном поле. Получено аналитическое выражение для величины переходящего заряда в такой системе. Рассмотрены электронные состояния системы “квантовая точка—бислой графена—подложка SiO2+n+Si”. Исследуемые системы интересны с точки зрения возможности управления оптическими свойствами квантовой точки с помощью приложенного электрического поля. Кратко затронут вопрос об электронных состояниях системы “графеновая нанотрубка—квантовая нить”.

The electronic states of the “quantum dot—a monolayer of graphene—substrate SiO2+n+Si” in an external magnetic field are investigated. An analytical expression obtained for the charge transfer in such a system. The electronic states of the “quantum dot—a bilayer graphene—substrate SiO2+n+Si” are considered. The study systems are interesting from the standpoint of controlling the optical properties of a quantum dot with an applied electric field. The electronic states of the system “graphene nanotubes—quantum wire” are briefly touched upon.

Ключевые фразы: монослой графена, бислой графена, квантовая точка, электронные состояния, квантовая нить
Автор (ы): Алисултанов Заур Замирович (Alisultanov Z. Z.)
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
538.9. Физика конденсированного состояния (жидкое и твердое состояния) (микроскопическое описание)
Для цитирования:
АЛИСУЛТАНОВ З. З. ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ "ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ГРАФЕН—НИЗКОРАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА" // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2012. №6
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.