Статьи

Методом дугового испарения получены бикомпонентные наночастицы CuO-CuFe2O4 с содержанием CuFe2O4 порядка 20%. Рентгеновское исследование показало, что в образцах содержатся только наночастицы CuO размером 54 nm и CuFe2O4 размером 32 nm. Температурные зависимости намагниченности наночастиц M(T) имеют вид, характерный для суперпарамагнитного состояния с температурой блокировки выше 400 K при H=100 Oe. Полевые зависимости намагниченности M(H) показывают высокие значения намагниченности насыщения при всех исследованных температурах. В малых полях зависимости M(H) имеют гистерезисный характер, и при низкой температуре петля имеет особенности, связанные с разными вкладами в намагниченность от центральной части бикомпонентной частицы (CuFe2O4) и от периферийной части, примыкающей к CuO. Использованный метод синтеза с использованием дугового разряда позволяет эффективно получать бикомпонентные частицы, близкие по размеру и с высокими значениями намагниченности вплоть до температуры 400 K.

Путем дельта-легирования висмутом слоёв арсенида галлия в процессе низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии с последующим отжигом получены квазидвумерные слои наночастиц висмута в матрице эпитаксиального арсенида галлия. Низкая температура эпитаксии обеспечивает формирование в объеме материала высокой концентрации дефектов нестехиометрии, в первую очередь антиструктурных дефектов [AsGa] и вакансий галлия. Миграция этих дефектов в процессе отжига приводит к формированию как мелких преципитатов в слоях низкотемпературного GaAs, так и более крупных нановключений, обогащенных висмутом и расположенных на дельта-слоях Bi.