Научный архив: статьи

Проведено исследование эпитаксиальных пленок PbSe1-xTex<Ga>, полученных на диэлектрических подложках BаF2. Изопериодичность кристаллических решеток и близость коэффициентов термического расширения подложки и выращенных пленок PbSe1-xTex (х = 0,2) дали возможность получения пленок с совершенной структурой и высокими электрическими параметрами. Изготовлены элементы, фоточувствительные в области спектра 3—5 мкм при 77 К. Максимум фоточувствительности соответствует λmax = 5 мкм